[發(fā)明專利]提高電場傳感器的靈敏度的方法、存儲設(shè)備及再現(xiàn)方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810086943.5 | 申請日： | 2008-03-28 |
| 公開（公告）號： | CN101359493A | 公開（公告）日： | 2009-02-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 全大暎;閔桐基;高亨守;洪承范 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | G11B9/02 | 分類號： | G11B9/02 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 韓明星;劉奕晴 |
| 地址： | 韓國京畿道*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 提高 電場 傳感器 靈敏度 方法 存儲 設(shè)備 再現(xiàn) | ||
1.一種提高電場傳感器的靈敏度的方法，該電場傳感器包括源區(qū)、漏區(qū) 和將源區(qū)電連接到漏區(qū)的電阻區(qū)，該電阻區(qū)具有根據(jù)電場的強(qiáng)度而變化的電 阻，該方法通過檢測流過電阻區(qū)的漏電流的變化來檢測電場的變化，檢測漏 電流的變化的步驟包括：
使漏電流流過至少一個負(fù)電阻器；
檢測漏區(qū)和所述至少一個負(fù)電阻器之間的電壓的變化，
其中，負(fù)電阻器的負(fù)載線的負(fù)電阻區(qū)的梯度與電場傳感器的漏電壓-漏電 流曲線的線性區(qū)的梯度相似，并且所述負(fù)電阻區(qū)和所述線性區(qū)彼此相交。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：使用隧道二極管作為所述至少一 個負(fù)電阻器。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：使用串聯(lián)和/或并聯(lián)的多個隧道 二極管作為負(fù)電阻器。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述多個隧道二極管串聯(lián)和/或并 聯(lián)，以使得隧道二極管的負(fù)載線的負(fù)電阻區(qū)的梯度與電場傳感器的漏電壓-漏 電流曲線的線性區(qū)的梯度相似，并且所述負(fù)電阻區(qū)和線性區(qū)彼此相交。
5.一種存儲設(shè)備，包括：
鐵電記錄介質(zhì)；
電場傳感器，包括源區(qū)、漏區(qū)和電阻區(qū)，所述電阻區(qū)將源區(qū)電連接到漏 區(qū)，并且所述電阻區(qū)的電阻根據(jù)由鐵電記錄介質(zhì)的電疇的極化電壓引起的電 場的強(qiáng)度而變化；
電壓施加單元，在源區(qū)和漏區(qū)之間施加電壓；
再現(xiàn)信號檢測單元，包括至少一個負(fù)電阻器，用于檢測漏區(qū)和所述至少 一個負(fù)電阻器之間的電壓的變化，所述至少一個負(fù)電阻器安裝在將漏區(qū)連接 到電壓施加單元的電路中，
其中，負(fù)電阻器的負(fù)載線的負(fù)電阻區(qū)的梯度與電場傳感器的漏電壓-漏電 流曲線的線性區(qū)的梯度相似，并且所述負(fù)電阻區(qū)和所述線性區(qū)彼此相交。
6.如權(quán)利要求5所述的存儲設(shè)備，其中，所述負(fù)電阻器是隧道二極管。
7.如權(quán)利要求6所述的存儲設(shè)備，其中，所述再現(xiàn)信號檢測單元包括串 聯(lián)和/或并聯(lián)的多個隧道二極管。
8.如權(quán)利要求7所述的存儲設(shè)備，其中，所述隧道二極管串聯(lián)和/或并 聯(lián)，以使得隧道二極管的負(fù)載線的負(fù)電阻區(qū)的梯度與電場傳感器的漏電壓-漏 電流曲線的線性區(qū)的梯度相似，并且所述負(fù)電阻區(qū)和線性區(qū)彼此相交。
9.如權(quán)利要求5所述的存儲設(shè)備，其中，所述電場傳感器還包括：設(shè)置 在所述電阻區(qū)上的寫電極，絕對值等于或大于閾值電壓的電壓被施加到該寫 電極，以便在鐵電記錄介質(zhì)上記錄信息，其中，在所述寫電極和電阻區(qū)之間 設(shè)置有絕緣層。
10.一種再現(xiàn)存儲設(shè)備的信息的方法，該存儲設(shè)備包括：鐵電記錄介質(zhì)； 電場傳感器，包括源區(qū)、漏區(qū)和電阻區(qū)，所述電阻區(qū)將源區(qū)電連接到漏區(qū)， 并且所述電阻區(qū)的電阻根據(jù)由鐵電記錄介質(zhì)的電疇的極化電壓引起的電場的 強(qiáng)度而變化；電壓施加單元，在源區(qū)和漏區(qū)之間施加電壓，其中，該方法包 括：
在將漏區(qū)連接到電壓施加單元的電路中安裝至少一個負(fù)電阻器，以使電 場傳感器的輸出電流流過所述至少一個負(fù)電阻器；
檢測所述漏區(qū)和所述至少一個負(fù)電阻器之間的電壓的變化，以獲得再現(xiàn) 信號，
其中，負(fù)電阻器的負(fù)載線的負(fù)電阻區(qū)的梯度與電場傳感器的漏電壓-漏電 流曲線的線性區(qū)的梯度相似，并且所述負(fù)電阻區(qū)和所述線性區(qū)彼此相交。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，串聯(lián)和/或并聯(lián)的多個隧道二極 管被用作所述負(fù)電阻器。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述隧道二極管串聯(lián)和/或并聯(lián)， 以使得隧道二極管的負(fù)載線的負(fù)電阻區(qū)的梯度與電場傳感器的漏電壓-漏電 流曲線的線性區(qū)的梯度相似，并且所述負(fù)電阻區(qū)和線性區(qū)彼此相交。
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