[發明專利]提高電場傳感器的靈敏度的方法、存儲設備及再現方法

無效

• 申請號: 200810086943.5
• 申請日: 2008-03-28
• 公開（公告）號: CN101359493A
• 公開（公告）日: 2009-02-04
• 發明（設計）人: 全大暎;閔桐基;高亨守;洪承范
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11B9/02
• 分類號: G11B9/02
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司
• 代理人: 韓明星;劉奕晴

1.一種提高電場傳感器的靈敏度的方法，該電場傳感器包括源區、漏區 和將源區電連接到漏區的電阻區，該電阻區具有根據電場的強度而變化的電 阻，該方法通過檢測流過電阻區的漏電流的變化來檢測電場的變化，檢測漏 電流的變化的步驟包括：

使漏電流流過至少一個負電阻器；

檢測漏區和所述至少一個負電阻器之間的電壓的變化，

其中，負電阻器的負載線的負電阻區的梯度與電場傳感器的漏電壓-漏電 流曲線的線性區的梯度相似，并且所述負電阻區和所述線性區彼此相交。

2.如權利要求1所述的方法，還包括：使用隧道二極管作為所述至少一 個負電阻器。

3.如權利要求1所述的方法，還包括：使用串聯和/或并聯的多個隧道 二極管作為負電阻器。

4.如權利要求3所述的方法，其中，所述多個隧道二極管串聯和/或并 聯，以使得隧道二極管的負載線的負電阻區的梯度與電場傳感器的漏電壓-漏 電流曲線的線性區的梯度相似，并且所述負電阻區和線性區彼此相交。

5.一種存儲設備，包括：

鐵電記錄介質；

電場傳感器，包括源區、漏區和電阻區，所述電阻區將源區電連接到漏 區，并且所述電阻區的電阻根據由鐵電記錄介質的電疇的極化電壓引起的電 場的強度而變化；

電壓施加單元，在源區和漏區之間施加電壓；

再現信號檢測單元，包括至少一個負電阻器，用于檢測漏區和所述至少 一個負電阻器之間的電壓的變化，所述至少一個負電阻器安裝在將漏區連接 到電壓施加單元的電路中，

其中，負電阻器的負載線的負電阻區的梯度與電場傳感器的漏電壓-漏電 流曲線的線性區的梯度相似，并且所述負電阻區和所述線性區彼此相交。

6.如權利要求5所述的存儲設備，其中，所述負電阻器是隧道二極管。

7.如權利要求6所述的存儲設備，其中，所述再現信號檢測單元包括串 聯和/或并聯的多個隧道二極管。

8.如權利要求7所述的存儲設備，其中，所述隧道二極管串聯和/或并 聯，以使得隧道二極管的負載線的負電阻區的梯度與電場傳感器的漏電壓-漏 電流曲線的線性區的梯度相似，并且所述負電阻區和線性區彼此相交。

9.如權利要求5所述的存儲設備，其中，所述電場傳感器還包括：設置 在所述電阻區上的寫電極，絕對值等于或大于閾值電壓的電壓被施加到該寫 電極，以便在鐵電記錄介質上記錄信息，其中，在所述寫電極和電阻區之間 設置有絕緣層。

10.一種再現存儲設備的信息的方法，該存儲設備包括：鐵電記錄介質； 電場傳感器，包括源區、漏區和電阻區，所述電阻區將源區電連接到漏區， 并且所述電阻區的電阻根據由鐵電記錄介質的電疇的極化電壓引起的電場的 強度而變化；電壓施加單元，在源區和漏區之間施加電壓，其中，該方法包 括：

在將漏區連接到電壓施加單元的電路中安裝至少一個負電阻器，以使電 場傳感器的輸出電流流過所述至少一個負電阻器；

檢測所述漏區和所述至少一個負電阻器之間的電壓的變化，以獲得再現 信號，

其中，負電阻器的負載線的負電阻區的梯度與電場傳感器的漏電壓-漏電 流曲線的線性區的梯度相似，并且所述負電阻區和所述線性區彼此相交。

11.如權利要求10所述的方法，其中，串聯和/或并聯的多個隧道二極 管被用作所述負電阻器。

12.如權利要求11所述的方法，其中，所述隧道二極管串聯和/或并聯， 以使得隧道二極管的負載線的負電阻區的梯度與電場傳感器的漏電壓-漏電 流曲線的線性區的梯度相似，并且所述負電阻區和線性區彼此相交。