[發明專利]基板處理系統和基板清洗裝置有效
| 申請號: | 200810086918.7 | 申請日: | 2008-03-28 |
| 公開(公告)號: | CN101276739A | 公開(公告)日: | 2008-10-01 |
| 發明(設計)人: | 守屋剛;大西正;野中龍;西村榮一 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/306;B08B3/10;B08B3/12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 系統 清洗 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及基板處理系統和基板清洗裝置,并且涉及具有除去附著在基板背面或周緣部的異物的基板清洗裝置的基板處理系統。
背景技術
通常,在對作為基板的半導體晶片(以下簡單地稱“晶片”)進行規定處理的基板處理裝置中,產生由晶片與放置該晶片的載置臺接觸而引起的金屬片(例如鋁金屬片)或由處理氣體反應引起的反應生成物(例如碳氟化合物的聚合物)等。這些異物(顆粒)附著在晶片上,使在該晶片表面上形成的半導體器件的品質降低。
作為除去附著在晶片上的顆粒的方法,已知有濕式清洗方法,即,在濕式處理室中,利用氟酸溶液或純水對經過蝕刻處理的晶片進行水洗(參照專利文獻1)。另外,還已知有將多個晶片浸漬在充滿氨水或氟酸溶液等清洗液的清洗槽中的清洗方法。利用這些方法,能夠除去在蝕刻處理中附著在晶片上的顆粒。
專利文獻1:日本特開平4-14222號公報。
然而,利用上述濕式清洗方法,由于主要是向晶片的表面噴射純水等,所以不能除去附著在晶片背面的顆粒以及附著在晶片周緣部(傾斜(bevel)部分)上的傾斜聚合物(bevel?polymer:斜面聚合物)。
對于附著在晶片背面的顆粒而言,當將晶片放置在載置臺上時,其會導致該晶片浮起,因此,在對涂敷于晶片表面的光致抗蝕劑進行曝光的平版印刷工序中,焦點位置與光致抗蝕劑的位置不一致,不能正確地進行曝光。另外,在液浸曝光裝置中,當相對于透鏡移動晶片時,晶片周緣部的傾斜聚合物在介于晶片和透鏡之間的超純水中通過。這時,傾斜聚合物剝離并混在超純水中,由于該傾斜聚合物會遮擋光,因此不能正確地進行曝光。另外,在該平版印刷工序前,在晶片周緣部上形成的光致抗蝕劑殘渣殘留下來,該光致抗蝕劑殘渣與傾斜聚合物相同,混在超純水中。其結果,存在基于該晶片制造的半導體器件的品質降低的問題。
另外,將進行蝕刻處理的晶片收容在互相平行保持多個晶片的密閉容器(例如前端開口統一容器(FOUP:晶圓傳送盒))中搬送,但是,在該FOUP內,異物(顆粒、聚合物)從位于上方的晶片背面或周緣部剝離,落在位于下方的晶片表面并附著在其上,使得基于該下方晶片制造的半導體器件的品質降低。
另外,利用將多個晶片浸漬在上述清洗槽中的方法,不僅能夠除去晶片表面的顆粒,而且晶片背面的顆粒以及晶片周緣部的傾斜聚合物也能夠被除去,但由于除去的顆粒留在清洗液中,該顆粒有可能再附著在晶片上(交叉污染),使半導體器件的品質降低。
另外,在上述的濕式清洗方法中,即使假設除去晶片背面的顆粒和傾斜聚合物,但由于不能控制濕式清洗的純水的流動,使得除去的顆粒等鄰近正在被濕式清洗的晶片,例如有可能再附著在同時進行濕式清洗的晶片表面上,從而使半導體器件的品質降低。
發明內容
本發明的目的在于提供一種能夠完全除去附著在基板背面或周緣部的異物的基板處理系統和基板清洗裝置。
為了實現上述目的,本發明第一方面所述的一種基板處理系統,它具有在基板上進行規定處理的基板處理裝置和至少在上述規定處理前后的任一個中對上述基板進行清洗的基板清洗裝置,其特征在于:上述基板清洗裝置具有向著上述基板的背面或周緣部噴出呈氣相和液相的二個相狀態的清洗物質和高溫氣體的噴出裝置。
本發明第二方面所述的基板處理系統,其特征在于:在本發明第一方面所述的基板處理系統中,上述噴出裝置相對于上述基板的背面傾斜地噴出上述清洗物質和上述高溫氣體。
本發明第三方面所述的基板處理系統,其特征在于:在本發明第一或第二方面所述的基板處理系統中,上述噴出裝置和上述基板互相平行并且相對地移動。
本發明第四方面所述的基板處理系統,其特征在于:在本發明第一至第三方面中任一方面所述的基板處理系統中,上述噴出裝置具有向著上述基板背面開口的吸氣部。
本發明第五方面所述的基板處理系統,其特征在于:在本發明第一至第四方面中任一方面所述的基板處理系統中,上述基板清洗裝置具有向著上述基板的表面噴出其它氣體的其它噴出裝置。
本發明第六方面所述的基板處理系統,其特征在于:在本發明第一至第五方面中任一方面所述的基板處理系統中,上述基板清洗裝置具有保持上述基板的保持裝置。
本發明第七方面所述的基板處理系統,其特征在于:在本發明第六方面所述的基板處理系統中,上述保持裝置使上述基板反轉。
本發明第八方面所述的基板處理系統,其特征在于:在本發明第六或第七方面所述的基板處理系統中,上述基板清洗裝置具有對上述保持裝置施加振動的振動施加裝置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





