[發明專利]固體電解電容器及其制造方法

無效

• 申請號: 200810086839.6
• 申請日: 2008-03-19
• 公開（公告）號: CN101271778A
• 公開（公告）日: 2008-09-24
• 發明（設計）人: 加藤菊子;矢野睦;高谷和宏;西村康一;梅本卓史;野野上寬
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社
• 主分類號: H01G9/15
• 分類號: H01G9/15
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉春成

1.一種固體電解電容器，其特征在于，包括：

由具有閥作用的金屬或者合金構成的陽極；

設置在所述陽極表面上的電介質層；和

電解質層，其由以與所述電介質層表面上的一部分區域相接的方式設置的導電性高分子層和以與所述電介質層表面上的其它部分區域相接的方式設置的二氧化錳層構成。

2.如權利要求1所述的固體電解電容器，其特征在于：

表示所述導電性高分子層和所述電介質層相接的區域的面積相對于所述電介質層表面整體面積的比例的導電性高分子層的覆蓋率在3～70％的范圍。

3.如權利要求1或2所述的固體電解電容器，其特征在于：

所述導電性高分子層在所述電介質層表面上設置為島狀，以覆蓋所述導電性高分子層和所述電介質層表面的方式設置有所述二氧化錳層。

4.如權利要求1～3中任一項所述的固體電解電容器，其特征在于：

所述二氧化錳層的厚度在10～100nm的范圍。

5.如權利要求1～4中任一項所述的固體電解電容器，其特征在于：

所述具有閥作用的金屬或合金是鈮或者以鈮為主要成分的合金。

6.如權利要求1～5中任一項所述的固體電解電容器，其特征在于：

所述導電性高分子層由聚乙烯二氧噻吩或聚吡咯形成。

7.如權利要求1～6中任一項所述的固體電解電容器，其特征在于：

在所述電解質層的表面上還設置有導電性高分子層。

8.一種固體電解電容器的制造方法，制造權利要求1～7中任一項所述的固體電解電容器，其特征在于，包括：

在所述陽極的表面上形成所述電介質層的工序；

在所述電介質層表面上的一部分區域上，利用化學聚合法形成所述導電性高分子層的工序；和

以至少覆蓋未形成所述導電性高分子層的所述電介質層表面上的方式形成所述二氧化錳層的工序。