[發明專利]基板熱處理裝置和噴嘴部件有效
| 申請號: | 200810086700.1 | 申請日: | 2008-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN101276735A | 公開(公告)日: | 2008-10-01 |
| 發明(設計)人: | 中根慎悟 | 申請(專利權)人: | 大日本網目版制造株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 | 代理人: | 馬少東;徐恕 |
| 地址: | 日本京都*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 熱處理 裝置 噴嘴 部件 | ||
技術領域
本發明涉及一種對半導體基板、液晶顯示裝置用玻璃基板、等離子體顯示裝置用玻璃基板、光掩模用玻璃基板、光盤用玻璃基板等(下面,稱為“基板”)實施熱處理的基板熱處理裝置和該裝置中采用的噴嘴部件。
背景技術
現有技術中,作為這種基板熱處理裝置有如下所述的裝置:在框體的內部空間設置有加熱板和貫通該加熱板而進行進退移動的基板支撐銷,用該支撐銷支撐基板,并利用由加熱板產生的熱對該基板實施熱處理。
該基板熱處理裝置中,例如在對涂敷有抗蝕液的基板實施熱處理時,會出現如下情況,即,有些種類的抗蝕液其成分升華,其升華物附著·堆積到框體的內壁面,尤其是上面(頂棚面)。當這種附著物等從框體的內壁面剝離而落到基板上時,則會引起產品不良。
因此,為了規避相關麻煩,近年來提出了如日本特開2005-183638號公報中所記載的基板熱處理裝置。該裝置中,將噴出噴嘴配置在框體的頂棚面的下方,并邊從該噴出噴嘴沿者頂棚面噴出熱空體(凈化空氣)邊進行排氣。即,使熱空氣沿框體的頂棚面流動,由此來防止升華物的結晶化,進一步,通過對該熱空氣和所述升華物同時進行排氣,來防止所述升華物向所述頂棚面附著·堆積。
現有技術的基板熱處理裝置中,所述噴出噴嘴具有沿基板的一邊超長且中空的噴嘴形狀,并從沿長度方向并列的多個開口噴出熱空氣,為提高隔熱性,噴嘴整體采用不銹鋼等導熱性低的材料構成。
在日本特開2005-183638號公報所記載的現有技術的基板熱處理裝置中,通過空氣供給管供給的空氣由設置在空氣供給管中途部分的加熱器加熱后,被導入到所述框體內,所以,從加熱器到噴出噴嘴的距離比較遠,存在著因熱損失而導致熱空氣的溫度下降之慮。因此,為了規避這樣的麻煩,考慮在噴出噴嘴的附近,例如在框體外側壁中的噴出噴嘴附近設置加熱器而對空氣進行加熱,但是,當考慮到節省空間(占用面積縮小化)時,很多情況下難以采用該結構。因此,在基板熱處理裝置中,期望在不限定加熱器配置的情況下,能夠將所希望溫度的熱空氣恰當地供給到框體內。
另外,在基板熱處理裝置中,熱空氣經由配管導入噴出噴嘴,但噴嘴內流動的熱空氣會因放熱等原因出現溫度下降的情況。因此,為了均勻地噴出所希望溫度的空氣,期望在噴嘴長度方向的最接近的多個位置將熱空氣導入噴出噴嘴。但由于各種原因,例如,將熱空氣對噴出噴嘴的導入位置限定在噴嘴長度方向的一端或中央一個位置的情況較少。該情況下,越遠離導入位置,噴嘴內的熱空氣的溫度會越低,在噴出空氣的溫度中會出現將空氣導入位置的溫度為峰值的溫度斜坡。該溫度斜坡中的噴出空氣的最大溫差隨噴嘴長度變長而變大。因此,在以大型基板作為對象的噴嘴長度長的裝置中,會出現所述溫度差大至在對基板實現均勻的熱處理時不可忽視的程度的情況,因此,期望能夠改善該方面。
此外,在基板的生產線上,為同時處理多張基板,多數情況是將基板熱處理裝置層疊為多層,并利用搬運臂水平支撐基板的狀態下,通過設置在所述框體的側壁的出入口,對各基板熱處理裝置進行基板的搬入·搬出。在這種生產線中,不管是從生產線的節省空間化考慮,還是從縮小搬運臂的可動范圍而使該臂的驅動系統簡單化的方面考慮,均優選將基板熱處理裝置的層疊部分能夠向高度方向小型化的結構。然而,現有裝置中,為避免在將基板向框體搬入·搬出時噴出噴嘴和搬運臂等的干涉,在充分確保搬運臂出入的上下方向的空間后,將所述噴出噴嘴配置在該空間的上方。因此,難以沿其高度方向使基板熱處理裝置小型化,很難對應如上所述的要求。因此,期望改善該方面。
發明內容
本發明鑒于上述情況而作出,其第一目的在于,在將熱氣體噴出到框體內從而防止抗蝕液的升華物等的附著·堆積的基板熱處理裝置中,能夠將所希望溫度的熱氣體更恰當地供給到框體內,其第二目的在于,能夠使裝置沿其高度方向小型化。
為解決所述課題,本發明中提供一種基板熱處理裝置,其包括:框體,在該框體的內底部設置有對基板實施熱處理的基臺;熱氣體供給機構,該熱氣體供給機構從外部將熱氣體供給到所述框體內,以便沿著該框體的頂棚壁形成熱氣體流,其中,所述熱氣體供給機構具有:加熱機構,所述加熱機構對氣體進行加熱從而生成所述熱氣體;供給流路,所述供給流路將由該加熱機構加熱的所述熱氣體供給到框體內部,且所述供給流路的至少一部分設置在所述框體的隔壁內部(技術方案1)。
采用如此的通過框體的隔壁內部而供給熱氣體,供給流路內的熱氣體以基臺作為熱源而被間接地加熱,由此,能夠抑制熱氣體溫度下降。
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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