[發明專利]灰階掩模的缺陷修正方法和制造方法、灰階掩模及圖案轉印方法

無效

• 申請號: 200810086584.3
• 申請日: 2008-03-20
• 公開（公告）號: CN101276140A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發明（設計）人: 佐野道明
• 申請（專利權）人: HOYA株式會社
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;G03F7/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 李貴亮

1.一種灰階掩模的缺陷修正方法，所述灰階掩模具有對曝光光進行遮光的遮光部、使曝光光透過的透光部、以及將曝光光的透過量降低規定量的半透光部，用于在被轉印體上形成膜厚呈階段性或連續性不同的抗蝕圖案，

其特征在于，

具有：利用半透光膜形成所述半透光部，在所述半透光部確定缺陷區域的工序；和在包含所述缺陷區域的區域形成修正膜的工序，

所述修正膜在相比于其中心部更靠周緣側的部分具有曝光光的透過量大于中心部的區域。

2.如權利要求1所述的灰階掩模的缺陷修正方法，其特征在于，

所述修正膜從其中心部向周邊部，曝光光的透過量呈連續性或階段性增大。

3.如權利要求1所述的灰階掩模的缺陷修正方法，其特征在于，

所述修正膜在相比于其中心部更靠周緣側的部分具有膜厚小于中心部的區域。

4.如權利要求3所述的灰階掩模的缺陷修正方法，其特征在于，

所述修正膜從其中心部向周緣部，膜厚呈連續性或階段性減少。

5.如權利要求1所述的灰階掩模的缺陷修正方法，其特征在于，

所述缺陷區域是如下這樣的區域，其由于相對于正常的半透光部，半透光膜的膜厚小或具有半透光膜缺失的部位，所以曝光光的透過量大于正常的半透光部。

6.如權利要求1所述的灰階掩模的缺陷修正方法，其特征在于，

所述缺陷區域是如下這樣的區域，其由于相對于正常的半透光部，半透光膜的膜厚大或者附著有半透光膜以外的成份，所以曝光光的透過量小于正常的半透光部。

7.如權利要求1所述的灰階掩模的缺陷修正方法，其特征在于，

所述修正膜的形成工序具有兩次以上的成膜工序，在各個成膜工序中成膜半透光膜，該半透光膜的曝光光的透過量大于半透光部的帶來期望灰階效果的曝光光的透過量。

8.如權利要求7所述的灰階掩模的缺陷修正方法，其特征在于，

所述修正膜的兩次以上的成膜工序包括：在缺陷區域內的小于該缺陷區域的區域進行成膜的工序；以及在包含該缺陷區域且大于該缺陷區域的區域進行成膜的工序。

9.如權利要求1所述的灰階掩模的缺陷修正方法，其特征在于，

所述修正膜的形成工序適用收束離子束法。

10.如權利要求9所述的灰階掩模的缺陷修正方法，其特征在于，

在散焦的狀態下照射離子束。

11.一種灰階掩模的制造方法，其特征在于，

包含基于權利要求1至10中的任一項所述的缺陷修正方法進行的缺陷修正工序。

12.一種灰階掩模，具有對曝光光進行遮光的遮光部、使曝光光透過的透光部、以及將曝光光的透過量降低規定量的半透光部，用于在被轉印體上形成膜厚呈階段性或連續性不同的抗蝕圖案，

其特征在于，

所述半透光部由半透光膜形成，并且，在所述半透光膜的規定部分形成有修正膜，該修正膜在相比于中心部更靠周緣側的部分，具有曝光光的透過量大于中心部的區域。

13.如權利要求12所述的灰階掩模，其特征在于，

所述修正膜從其中心部向周緣部，曝光光的透過量呈連續性或階段性變大。

14.如權利要求12所述的灰階掩模，其特征在于，

所述修正膜在相比于其中心部更靠周緣側的部分，具有膜厚小于中心部的區域。

15.如權利要求14所述的灰階掩模，其特征在于，

所述修正膜從其中心部向周緣部，膜厚呈連續性或階段性減少。

16.一種圖案轉印方法，其特征在于，

利用基于權利要求11所述的制造方法制造的灰階掩模以及曝光機，將形成于所述灰階掩模的圖案轉印到被轉印體上。

17.一種圖案轉印方法，其特征在于，

利用基于權利要求12至15中的任意一項所述的灰階掩模以及曝光機，將形成于所述灰階掩模的圖案轉印到被轉印體上。