[發明專利]半導體集成電路及其相位補償用電容的電容值調整方法

有效

• 申請號: 200810086537.9
• 申請日: 2008-03-14
• 公開（公告）號: CN101266275A
• 公開（公告）日: 2008-09-17
• 發明（設計）人: 阿川謙一
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: G01R31/00
• 分類號: G01R31/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 岳耀鋒

1.一種半導體集成電路，其特征在于具有：

放大電路，其包含相位補償用電容，具有對來自第1以及第2輸入端子的輸入電壓差進行放大后從輸出端子輸出的放大器，并且在所述第1輸入端子和所述輸出端子之間具有反饋環路；以及

穩定性判定調整電路，其向所述第1或第2輸入端子輸出不同頻率的正弦波電壓，對所述正弦波電壓下的所述放大電路的輸出電壓的振幅進行測定，根據所述振幅之比對所述相位補償用電容的電容值進行調整。

2.根據權利要求1所述的半導體集成電路，其特征在于：

所述正弦波電壓是預定的多個頻率的正弦波電壓。

3.根據權利要求1所述的半導體集成電路，其特征在于，所述穩定性判定調整電路將所述放大電路的輸出電壓的振幅成為最大值的頻率設為第1頻率，根據所述最大值與比所述第1頻率低的第2頻率的所述輸出電壓的振幅之比，對所述相位補償用電容的電容值進行調整。

4.根據權利要求3所述的半導體集成電路，其特征在于，所述第2頻率為所述第1頻率的十分之一以下。

5.一種半導體集成電路，其特征在于具有：

放大電路，其包含相位補償用電容，具有對來自第1以及第2輸入端子的輸入電壓差進行放大后從輸出端子輸出的放大器，并且在所述第1輸入端子和所述輸出端子之間形成反饋環路；

正弦波產生部，其根據頻率控制信號改變頻率，使正弦波電壓經由到達所述第1或第2輸入端子的路徑輸入到所述第1或第2輸入端子；

振幅測定部，其與所述輸出端子連接，對來自所述輸出端子的輸出電壓的振幅進行測定；

控制部，其根據電容控制信號對所述相位補償用電容的電容值進行調整；以及

運算部，其輸出所述頻率控制信號，根據在所述振幅測定部中測定的振幅以及從所述正弦波產生部輸出的正弦波電壓的振幅求出基于所述頻率控制信號的頻率下的閉環路增益，向所述控制部輸出所述電容控制信號，以使第1頻率下的所述閉環路增益和比所述第1頻率低的第2頻率下的所述閉環路增益之比成為預定值。

6.根據權利要求5所述的半導體集成電路，其特征在于，所述運算部將所述閉環路增益成為最大值的頻率設為所述第1頻率。

7.根據權利要求6所述的半導體集成電路，其特征在于，所述第2頻率為所述第1頻率的十分之一以下。

8.一種半導體集成電路，其特征在于具有：

正弦波產生部，其根據頻率控制信號改變頻率來輸出正弦波電壓；

放大電路，其包含相位補償用電容，并且具有對來自第1以及第2輸入端子的輸入電壓差進行放大后從輸出端子輸出的放大器、和對連接所述第1輸入端子與所述輸出端子來形成反饋環路或連接所述第1輸入端子與所述正弦波產生部進行切換的第1開關；

第2開關，其連接在所述第1或第2輸入端子與所述正弦波產生部之間；

振幅測定部，其與所述輸出端子連接，對來自所述輸出端子的輸出電壓的振幅進行測定；

控制部，其根據開關控制信號進行所述第1以及第2開關的控制，根據電容控制信號進行所述相位補償用電容的電容值的調整；以及

運算部，其輸出所述頻率控制信號，輸出所述開關控制信號，以經由所述第1開關連接所述第1輸入端子與所述正弦波產生部且使所述第2開關斷開，由此計算出任意的頻率下的所述放大電路的環路增益，根據所述環路增益計算出單位增益頻率，輸出所述開關控制信號，以經由所述第1開關連接所述第1輸入端子與所述輸出端子而形成反饋環路且使所述第2開關接通，由此計算出所述單位增益頻率下的所述放大電路的閉環路增益與比所述單位增益頻率低的第2頻率下的閉環路增益之比，向所述控制部輸出所述電容控制信號，以使所述比成為預定值。

9.根據權利要求8所述的半導體集成電路，其特征在于，所述第2頻率為所述單位增益頻率的十分之一以下。