[發明專利]受光元件無效
| 申請號: | 200810086527.5 | 申請日: | 2008-03-14 |
| 公開(公告)號: | CN101276822A | 公開(公告)日: | 2008-10-01 |
| 發明(設計)人: | 長谷川昭博 | 申請(專利權)人: | 三洋電機株式會社;三洋半導體株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/144 | 分類號: | H01L27/144 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 李香蘭 |
| 地址: | 日本國大阪府守*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 元件 | ||
技術領域
本發明涉及具備多個受光區域的受光元件,其中受光區域具有被分割為多個區段(segment)的受光部。
背景技術
圖1示出現有的受光元件170的平面構成。受光元件170具有第一受光區域72和第二受光區域78。第一受光區域72具有第一主受光部72-1和第一副受光部72-2、72-3。在第一副受光部72-2、72-3之間配置第一主受光部72-1。第二受光區域78也與第一受光區域72同樣,具有第二主受光部78-1和第二副受光部78-2、78-3,第二副受光部78-2、78-3之間配置有第二主受光部78-1。另外,這些受光部的結構被公開于特開2006-332104號公報中。
圖2中示出現有的受光元件170的剖面結構。圖2表示沿圖1所示的A-A’線的剖面結構。受光元件170采用如下半導體基板而形成,該半導體基板在作為導入了P型雜質的p型硅基板的P-sub層90之上層疊了雜質濃度比P-sub層90還低且具有高電阻率的外延層92。P-sub層90由導入了硼等p型雜質的硅基板構成。外延層92是在構成P-sub層90的硅基板之上使硅外延生長而形成的。在外延層92的表面上形成擴散了n型雜質的陰極區域82。P-sub層90、外延層92及陰極區域82構成PIN光電二極管(PD)76,該光電二極管76以p型的P-sub層90為陽極區域,以n型的陰極區域82為陰極區域。
外延層92的表面上通過導入p型雜質而形成分離區域80。分離區域80配置為劃分多個陰極區域82。受光元件170輸出從被分離區域80劃分的多個陰極區域82讀出的電流信號。由形成于第一受光區域72及第二受光區域78周圍并且未圖示的電路元件組對從多個陰極區域82讀出的電流信號進行電流-電壓轉換、信號放大的處理。
由此,在形成了半導體基板表面上的PD76的結構后,在半導體基板上形成布線結構或保護膜等。例如,在基板表面上層疊防反射膜126,層疊第一層間絕緣膜130,層疊由金屬膜構成的布線層138,層疊第二層間絕緣膜136。
受光元件170被利用于進行DVD或CD等光盤的記錄、再生用的光拾器中。第一及第二受光區域72、78接受從光拾器輸出的激光的反射光,生成電流信號。第一及第二主受光部72-1、78-1生成的電流信號被輸入到信號處理電路。信號處理電路進行解調處理、譯碼處理,根據所輸入的電流信號來再生數字數據。第一及第二副受光部72-2、72-3、78-2、78-3生成的電流信號被用于控制光拾器的動作。具體是,根據副受光部的輸出信號生成跟蹤誤差信號。設有光拾器的光盤記錄再生裝置根據跟蹤誤差信號來控制光拾器,以便在形成于光盤上的記錄磁道上進行追蹤。
第一受光區域72及第二受光區域78是為了對種類互不相同的光盤進行記錄、再生處理而設置的。例如,第一受光區域72是為了對DVD進行記錄、再生處理而設置的,第二受光區域78是為了對CD進行記錄、再生處理而設置的。在對DVD進行記錄、再生處理時,激光的反射光入射到第一受光區域72,在對CD進行記錄、再生處理時,激光的反射光入射到第二受光區域78。此時,第一受光區域72所包含的第一主受光部72-1與第一副受光部72-2、72-3的間隔被設定得比第二域78包含的第二受光部78-1與第二受光部78-2、78-3的間隔窄。
設置于受光元件170中的第一受光區域72或第二受光區域78經由未圖示的光學透鏡接受激光的反射光。例如,在進行DVD的記錄、再生處理之際,擇一地使第一受光區域72動作,使第一受光區域72接受激光的反射光。此時,由于光學透鏡所產生的光的分散等的影響,反射光不但入射到第一受光區域72,也入射到第二受光區域78,生成信號電荷。
由于第一受光區域72與第二受光區域78被分離區域80分離,故第二受光區域78中生成的信號電荷,基本由第二受光區域78保持。但是,在使第一受光區域72動作并接受激光的反射光時,第二受光區域78成為浮游狀態,因此第二受光區域78中生成的信號電荷中的一部分會越過分離區域80。例如,第二受光區域78所包含的PD76-1、76-2中生成的信號電荷的一部分會越過分離區域80而移動到第一受光區域72所包含的PD76-3、76-4,作為噪聲電荷而與這些PD76-3、76-4的信號電荷疊加。此時,第一受光區域72所包含的PD76-3、76-4根據第一受光區域72生成的信號電荷與第二受光區域78生成的噪聲電荷之和,輸出電流信號。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





