[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光顯示器及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810086479.X
• 申請(qǐng)日: 2008-03-14
• 公開（公告）號(hào): CN101266756A
• 公開（公告）日: 2008-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 辛惠真
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星SDI株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G09G3/30
• 分類號(hào): G09G3/30;G09G3/32;H01L27/32;H01L21/82
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 李家麟;劉宗杰

1.一種有機(jī)發(fā)光顯示器，包括：

包括多根數(shù)據(jù)線、多根掃描線、和多個(gè)像素的像素區(qū)域，所述多根數(shù)據(jù)線與所述多根掃描線交叉，并且所述像素與所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線耦合；

與所述數(shù)據(jù)線耦合的用于傳送數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器；

與所述掃描線耦合的用于傳送掃描信號(hào)的掃描驅(qū)動(dòng)器；以及

在所述像素區(qū)域和所述掃描驅(qū)動(dòng)器之間的連接區(qū)域處的放電電容器單元。

2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，至少一個(gè)所述像素包括：

在所述像素區(qū)域上形成圖案的多晶硅層；

在所述多晶硅層上的第一絕緣膜；

在所述第一絕緣膜上并且耦合到所述掃描線的柵極電極；

在所述柵極電極上的第二絕緣膜；以及

通過接觸孔與所述多晶硅層接觸的源極-漏極電極。

3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，所述放電電容器單元包括：

多個(gè)放電電容器，對(duì)于每根所述掃描線，包括至少一個(gè)放電電容器，

其中，每個(gè)放電電容器的第一電極包括在所述像素區(qū)域外圍處的一部分所述多晶硅層，以及

其中，每個(gè)放電電容器的第二電極包括與所述多晶硅層的所述部分重疊的所述掃描線中相應(yīng)的一根的一部分。

4.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示器的方法，所述方法包括：

當(dāng)形成晶體管的有源層時(shí)，在基板上形成多晶硅層以形成放電電容器的第一電極；以及

形成金屬層以形成所述晶體管的柵極、掃描線、存儲(chǔ)電容器的電極以及所述放電電容器的第二電極。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述放電電容器處于與用于傳送掃描信號(hào)的掃描驅(qū)動(dòng)器相鄰的區(qū)域。

6.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述放電電容器的所述第一電極包括在所述像素區(qū)域的外圍處的一部分所述多晶硅層，而所述放電電容器的所述第二電極包括與所述多晶硅層的所述部分重疊的所述掃描線的一部分。