[發明專利]半導體發光組件

有效

• 申請號: 200810086106.2
• 申請日: 2008-03-11
• 公開（公告）號: CN101552310A
• 公開（公告）日: 2009-10-07
• 發明（設計）人: 蔡宗良;王偉凱;林素慧;陸薏存
• 申請（專利權）人: 廣鎵光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 上海翰鴻律師事務所
• 代理人: 李佳銘

1.一種半導體發光組件，其特征在于，包含：

一基板；

一第一傳導型態半導體材料層，所述第一傳導型態半導體材料層形成于 所述基板上，所述第一傳導型態半導體材料層具有一上表面，并且所述上表 面包含一第一區域以及不同于所述第一區域的一第二區域；

一第一電極，所述第一電極形成于所述第一區域上；

一發光層，所述發光層形成于所述第二區域上；

一第二傳導型態半導體材料層，所述第二傳導型態半導體材料層形成于 所述發光層上；

一第二電極，所述第二電極形成于所述第二傳導型態半導體材料層上； 以及

數個凸狀結構，所述數個凸狀結構形成于所述第一傳導型態半導體材料 層的所述上表面上并且介于所述第一區域以及所述第二區域之間，其中至少 一個凹陷形成于每一個凸狀結構的側壁，每一個凸狀結構由折射率大于1的 材料所制成，所述凸狀結構的材料選自由ITO、SiO₂、SiN、ZnO、聚酰亞胺、 BCB、SOG、InO及SnO所組成的一群組中的其一，

并且，所述第一電極的一第一頂表面大致上與每一個凸狀結構的一第二 頂表面同高或低于每一個凸狀結構的所述第二頂表面。

2.如權利要求1所述的半導體發光組件，其特征在于：每一個凸狀結 構的部分側壁與所述第一傳導型態半導體材料層的所述上表面的一夾角大 于或小于90度。

3.如權利要求1所述的半導體發光組件，其特征在于：每一個凸狀結 構包含：

一第一結構層；以及

一第二結構層，形成于所述第一結構層上。

4.如權利要求3所述的半導體發光組件，其特征在于：所述第一結構 層的一第三頂表面大致上與所述第二傳導型態半導體材料層的一第四頂表 面同高或低于所述第二傳導型態半導體材料層的所述第四頂表面。

5.如權利要求1所述的半導體發光組件，其特征在于：進一步包含一 透明導電層，所述透明導電層形成于所述第一傳導型態半導體材料層的所述 上表面上并且包覆所述第二傳導型態半導體材料層、所述發光層以及所述數 個凸狀結構。

6.如權利要求1所述的半導體發光組件，其特征在于：至少一個凹陷 進一步形成于每一個凸狀結構的頂表面。

7.如權利要求1所述的半導體發光組件，其特征在于：每一個凸狀結 構的頂表面進一步具有一弧形的輪廓。

8.如權利要求1所述的半導體發光組件，其特征在于：所述第一傳導 型態是N型態，并且所述第二傳導型態是P型態。

9.如權利要求1所述的半導體發光組件，其特征在于：所述基板由選 自由玻璃、硅、鍺、氮化鎵、砷化鎵、磷化鎵、氮化鋁、藍寶石、尖晶石、 三氧化二鋁、碳化硅、氧化鋅、氧化鎂、二氧化鋰鋁、二氧化鋰鎵以及四氧 化鎂二鋁所組成的一群組中的其一所形成。