[發明專利]模擬的組合存儲設備

有效

• 申請號: 200810085970.0
• 申請日: 2008-06-06
• 公開（公告）號: CN101383180A
• 公開（公告）日: 2009-03-11
• 發明（設計）人: 盧卡·德安布洛吉;斯特凡·迪特里希;彼得·施羅格邁爾;馬爾科·雷代利
• 申請（專利權）人: 奇夢達股份公司
• 主分類號: G11C7/10
• 分類號: G11C7/10
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 余 剛;尚志峰

本申請要求于2007年6月8日提交的題為“模擬的組合存儲 設備”的第60/942,894號美國臨時申請的優先權，其全部內容通過 引用結合于此。

技術領域

本申請涉及一種模擬的組合存儲設備。

背景技術

存儲設備實質上用于所有的計算應用和許多電子設備中。對于 一些應用，可以使用甚至在沒有電源時仍能夠保留其所保存的數據 的非易失性存儲器。例如，非易失性存儲器通常用于數碼相機、便 攜式音頻播放器、無線通信設備、個人數字助理和外圍設備中，也 用于將固件存儲在計算機和其他設備中。非易失性存儲器通常相對 地很慢，并且在有限次的寫循環之后會停止運行。例如，其對典型 的快速存儲設備的讀取訪問可能需要約70ns～100ns，并且用于讀 取的時間更長。在喪失存儲數據的能力之前，典型的快速存儲設備 能承受約106次的寫入。

當沒有電源時會丟失數據的易失性存儲器通常具有比非易失 性存儲器更快的寫入速度，并且取決于易失性存儲器技術，易失性 存儲器可能具有更快的讀取速度。例如，靜態存儲器通常具有低于 10ns的用于讀取和寫入的訪問時間。另外，在喪失存儲數據的能力 之前，大多數易失性存儲器技術能承受比大多數非易失性存儲器技 術多了多個數量級的寫入周期。例如，一些動態隨機存取存儲器 (DRAM)技術可能承受1015個寫入周期。易失性存儲器用于大 多數的計算應用中，通常作為存儲正在執行的程序指令和臨時數據 的“工作”存儲器。

已經開發了廣泛多種的存儲器技術。非易失性存儲器技術包 括：快速存儲器、磁阻隨機存取存儲器(MRAM)、相變隨機存取 存儲器(PCRAM)、和導電橋式隨機存取存儲器(CBRAM)。易失 性存儲器技術包括多種動態隨機存取存儲器(DRAM)技術，以及 靜態隨機存取存儲器(SRAM)和偽靜態隨機存取存儲器(PSRAM) 技術。由于對存儲設備的大量需求，研究人員正持續改進存儲器技 術，并且開發了新型的存儲器。

諸如蜂窩電話和其他便攜式電子設備的許多電子設備通常既 使用易失性存儲器又使用非易失性存儲器。例如，通常廉價的蜂窩 電話可能包括32兆位和128兆位(Mb)之間的非易失性存儲器(例 如，NOR型快速存儲器)、以及16Mb和64Mb之間的更高速的易 失性存儲器(諸如PSRAM)。目前，通常的慣例是使用多芯片模塊 來組合這兩種類型的存儲器，多芯片模塊包括用于非易失性存儲器 和易失性存儲器的獨立的多個集成電路器件。

發明內容

多個實施例提供了一種集成電路存儲設備，其包括：非易失性 存儲器陣列，具有第一模擬存儲器區域和第二模擬存儲器區域；以 及控制器，具有接口。存儲設備被配置為模擬第一模擬存儲器類型 和第二模擬存儲器類型。存儲設備進一步被配置為當存儲設備模擬 第一模擬存儲器類型時，將數據存儲在第一模擬存儲器區域中，以 及當存儲設備模擬第二模擬存儲器類型時，將數據存儲在第二模擬 存儲器區域中。

進一步地，所述第一模擬存儲器類型是非易失性存儲器類型， 以及所述第二模擬存儲器類型是易失性存儲器類型。

進一步地，所述第一模擬存儲器類型是NOR閃存。

進一步地，所述第二模擬存儲器類型是偽靜態隨機存取存儲 器。

進一步地，所述第一接口被配置為提供對所述第一模擬存儲器 類型和所述第二模擬存儲器類型的存取。

進一步地，還包括：選擇器，被配置為選擇模擬所述第一模擬 存儲器類型還是所述第二模擬存儲器類型。

進一步地，所述選擇器被配置為至少部分基于將被存取的存儲 器地址，確定模擬所述第一模擬存儲器類型還是所述第二模擬存儲 器類型。

進一步地，所述選擇器被配置為至少部分基于配置寄存器的內 容，確定模擬所述第一模擬存儲器類型還是所述第二模擬存儲器類 型。

進一步地，所述控制器包括：控制所述第一模擬存儲器類型的 模擬的第一控制部；以及控制所述第二模擬存儲器類型的模擬的第 二控制部。

進一步地，所述控制器還包括第二接口，以及其中，所述第一 接口與所述第一控制部相關聯，以及所述第二接口與所述第二控制 部相關聯。

進一步地，所述第一接口包括啟動所述第一控制部的第一芯片 啟動線，以及所述第二接口包括啟動所述第二控制部的第二芯片啟 動線。