[發明專利]電場驅動型裝置、液晶裝置以及電子設備

有效

• 申請號: 200810085890.5
• 申請日: 2008-03-28
• 公開（公告）號: CN101276102A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發明（設計）人: 若林淳一
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1362;H01L27/12
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 汪惠民

技術領域

本發明涉及電場驅動型裝置、液晶裝置以及電子設備。

背景技術

在電場驅動型裝置中存在一種通過電場驅動液晶來調制透過光的液晶裝置。作為該液晶裝置的一個方式，公知通過平行于基板的橫向電場來驅動液晶的FFS(Fringe?Field?Switching)模式的液晶裝置。該液晶裝置中，在一個基板中與液晶對置的面上具有像素電極、和在該像素電極上夾著絕緣層并層疊的公共電極，其中在該公共電極設有多個狹縫。在這樣的構成中，若向像素電極和公共電極之間施加驅動電壓，則該驅動電壓從公共電極的上表面發出，通過狹縫，產生具有到達像素電極上表面的電力線的電場。此時，液晶分子通過上述電場中、公共電極的上方產生的與基板平行的成分(橫向電場)驅動，使得取向方向變化。FFS模式的液晶裝置是這樣驅動液晶分子并利用其偏振光變換功能調制入射光的裝置。

圖17是在FFS模式的液晶裝置中著眼于公共電極26上設置的狹縫27之一的放大俯視圖。圖17(a)是表示不施加電壓時的圖，液晶分子50a平行于X軸取向，另一方面，狹縫27沿著相對于X軸傾斜的方向(方位D)延伸。若施加驅動電壓，則產生與狹縫27的延伸方向垂直的方向的(方位C)的橫向電場，液晶分子50a向右旋轉，例如平行于橫向電場、即沿著方位C取向(圖17(b))。

此時，在從平行于方位C的方向E觀察顯示的情況下、以及從相對于Y軸而與方向E對稱的方向F觀察顯示的情況下，由于液晶分子50a的表觀折射率不同，所以色調看上去不同。基于同樣的理由，在從平行于方位D的方向G觀察顯示的情況下、以及從相對于Y軸而與方向G對稱的方向H觀察顯示的情況下，色調看上去不同。

為了改善這樣的顯示顏色對視角的依賴性，如圖18所示，提供了一種使設于公共電極26的狹縫27的延伸方向在紅、綠、藍的子像素4R、4G、4B中分別交替不同的結構(參照專利文獻1)。

專利文獻1：日本專利特開2000-29072號公報

但是，在上述結構中，由于狹縫在相鄰的子像素的交界彎曲，所以存在電場混亂而容易產生液晶的晶疇(domain)的問題。另外，在以一列反復排列偶數色的子像素時，存在同一色的子像素間液晶的取向方向一致，導致無法改善顯示顏色對視角的依賴性的問題。

發明內容

本發明正是為了解決上述課題的至少一部分而做出的，能通過以下的方式或應用例來實現。

[應用例1]

一種電場驅動型裝置，其中在基板上的像素區域以矩陣狀配置多個像素，該像素由與相互不同顏色對應的兩個以上的子像素構成，該電場驅動型裝置包括：像素電極，其按每個所述子像素形成在所述基板上；公共電極，其按照至少一部分在俯視下與所述像素電極重疊的方式形成在所述基板上的所述像素電極上方，且具有多個狹縫；絕緣層，其形成在所述基板上的所述像素電極和所述公共電極之間；和物質，其通過因所述像素電極和所述公共電極之間的電位差而產生的電場來驅動；所述多個狹縫的至少一部分在俯視下與所述像素電極重疊，所述狹縫的至少一部分具有連續部，該連續部在所述子像素內相互平行，并且在包含于一個所述像素中且相互相鄰的多個所述子像素中以一直線狀連續，一個所述像素中包含的所述連續部的延伸方向、和與該像素相鄰的至少一個所述像素中包含的所述連續部的延伸方向互不相同。

根據這樣的結構，在相鄰像素間狹縫的連續部的延伸方向不同。因此，即使在各像素的同一顏色所對應的子像素之間，能使狹縫的延伸方向不同。由此，在同一顏色的子像素之間，能使施加到物質上的電場的方向不同，能減輕顯示顏色對視角的依賴性。另外，由于狹縫遍及多個子像素連續，所以與在各子像素中設置獨立的狹縫的結構比較，能減少導致電場混亂的狹縫的端部的數量。由此，能減少電場混亂區域的面積，能提高電場驅動型裝置的顯示品質。

[應用例2]

在上述電場驅動型裝置中，一個所述像素中包含的所述連續部的延伸方向、和與該像素相鄰的至少一個所述像素中包含的所述連續部的延伸方向相對于所述像素的交界線對稱。

根據這樣的結構，在各像素中施加到物質上的電場的方向相對于交界線成相等的角度。由此，能減輕對視角的依賴性，同時能對各子像素的物質施加均勻作用的電場。

[應用例3]

在上述電場驅動型裝置中，所述像素是平行四邊形，所述狹縫平行于所述平行四邊形的一個邊。

根據這樣的結構，由于像素的兩邊平行于狹縫，所以與該兩邊不平行于狹縫的情況比較，能減少像素內電場混亂區域的面積。

[應用例4]