[發明專利]光刻設備和方法

有效

• 申請號: 200810085879.9
• 申請日: 2008-03-28
• 公開（公告）號: CN101276154A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發明（設計）人: 海涅·麥利·馬爾德;約翰尼斯·雅克布斯·曼塞阿斯·卑斯爾曼思;艾德瑞納斯·弗朗西斯克斯·皮卓斯·恩格倫;馬卡斯·弗朗西斯克斯·安東尼斯·歐林斯;亨德瑞卡斯·羅伯特斯·瑪麗·范格林溫布洛克;帕特瑞卡斯·阿洛伊修斯·雅克布斯·蒂內曼斯;保羅·范德文;威爾弗萊德·愛德伍德·恩登迪基克
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G02B27/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 王波波

1.一種方法，所述方法包括：

采用照射系統提供輻射束；

采用圖案形成裝置將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束；以及

將圖案化的輻射束投影到所述襯底的目標部分上，

其中所述照射系統包括：獨立可控的元件陣列以及相關的光學部件，所述獨立可控的元件陣列以及相關的光學部件被設置用于將輻射束轉換成所需的照射方式；以及

其中分配方案用于將不同的獨立可控的元件分配給所述照射方式的不同部分，所述分配方案被選擇用于提供所述照射方式或所述輻射束的至少一種屬性的所需修改。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述分配方案包括：采用位于陣列的不同部分中的獨立可控的元件，將輻射引導到照射方式中的相鄰位置上。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述分配方案包括將所述獨立可控的元件隨機地分配。

4.根據權利要求2所述的方法，其中所述分配方案包括分配一對獨立可控的元件，以將輻射引導到照射方式中的給定位置上，所述一對獨立可控的元件中的每個獨立可控的元件位于陣列的不同部分。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述分配方案包括選擇一定數量的獨立可控的元件，所述獨立可控的元件將輻射引導到所述方式中的給定位置上，所述選擇步驟依賴于從每個獨立可控的元件所提供的輻射的強度。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述選擇步驟基于所述獨立可控的元件的反射率。

7.根據權利要求5所述的方法，其中所述選擇步驟基于入射到所述獨立可控的元件時的輻射束的強度。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述分配方案包括：與被分配以將輻射引導至輻射束的中心部分的獨立可控的元件的數量相比，分配更多的獨立可控的元件以將輻射引導到輻射束的外部，從而在將圖案化的輻射束投影到襯底上的過程中，減弱輻射束的變跡效應。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述分配方案包括：順序采用不同的獨立可控的元件將輻射引導到照射方式中的給定位置上，所述獨立可控的元件選自所述陣列的不同部分，以便減弱輻射束中的強度變化的效應。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述分配方案包括采用獨立可控的元件的陣列的不同部分，將輻射引導到照射方式的不同區域上，所述陣列的所述部分被選擇，以便應用輻射束的能量分布的所需修改。

11.根據權利要求10所述的方法，其中所述能量分布的修改是輻射束的聚焦遠心或橢圓率的修改。

12.根據權利要求10所述的方法，其中所述部分的形狀被選擇用于應用輻射束的能量分布的所需修改。

13.根據權利要求10所述的方法，其中所述部分的位置被選擇用于應用輻射束的能量分布的所需修改。

14.根據權利要求1所述的方法，其中所述分配方案包括采用獨立可控的元件的陣列的不同部分，將輻射引導到所述照射方式的不同區域上，所述陣列的所述部分被選擇用于將所需比例的輻射束引導到所述照射方式的不同部分上。

15.根據權利要求14所述的方法，其中所述部分的尺寸被修改用于對被引導到所述照射方式的不同部分的輻射束的比例進行修改。

16.根據權利要求14所述的方法，其中邊界存在于所述照射方式的不同區域之間，所述照射方式的不同部分通過采用獨立可控的元件的陣列的不同部分而被形成，且位于所述陣列的這些部分的邊界附近的獨立可控的元件被用于將輻射引導到所述照射方式的相鄰區域上。

17.根據權利要求14所述的方法，其中所述分配方案考慮與大多數反射鏡相比引導較少輻射的反射鏡，所述分配方案采用這些反射鏡中的至少一個為被引導到所述照射方式的不同部分的輻射束的比例提供精細調整。

18.根據前面的權利要求中的任一項所述的方法，其中入射到各個獨立可控的元件上的輻射被選擇性地阻擋。

19.根據前面的權利要求中的任一項所述的方法，其中所述獨立可控的元件被設置用于進行平移運動。

20.根據權利要求1所述的方法，其中所述獨立可控的元件是反射鏡。