[發明專利]具有監視存儲器單元的非易失性存儲器設備及其驅動方法有效
| 申請號: | 200810085641.6 | 申請日: | 2008-02-13 |
| 公開(公告)號: | CN101246744A | 公開(公告)日: | 2008-08-20 |
| 發明(設計)人: | 姜相求;林瀛湖 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | G11C16/26 | 分類號: | G11C16/26 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 邵亞麗 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 監視 存儲器 單元 非易失性存儲器 設備 及其 驅動 方法 | ||
1.一種驅動包括存儲器單元陣列的非易失性存儲器設備的方法,該存儲 器單元陣列包括多電平單元陣列和監視存儲器單元,該方法包括:
使用第一讀取電壓對至少一個監視存儲器單元執行初始讀取操作;
在初始讀取操作過程中,確定初始存儲在監視存儲器單元中的數據與從 監視存儲器單元中讀取的數據是否相同;以及
當初始存儲在監視存儲器單元中的數據與相對于第一讀取電壓從監視存 儲器單元中讀取的數據不同時,將主讀取電壓設置為與第一讀取電壓的電平 不同的電平,
其中,監視存儲器單元被設置為與多電平單元陣列的編程單元相對應, 并且每個編程單元包括連接到單一字線的一個或多個多電平單元,
其中,設置主讀取電壓包括:當確定初始存儲在監視存儲器單元中的數 據與實際從監視存儲器單元中讀取的數據不同時,使用具有與第一讀取電壓 的電平不同的電平的多個預設讀取電壓重復對監視存儲器單元的初始讀取操 作,并且將所述多個預設讀取電壓當中的、在初始存儲在監視存儲器單元中 的數據與實際從監視存儲器單元中讀取的數據相同時執行的初始讀取操作中 所使用的預設讀取電壓,設置為主讀取電壓;并且
其中,監視存儲器單元包括適于存儲與限定的多個電平相對應的多個數 據值的多個單元;并且對分別與所述多個數據值相關聯的多個讀取電壓中的 每一個執行設置主讀取電壓的操作。
2.如權利要求1所述的方法,還包括:使用主讀取電壓對存儲器單元陣 列執行主讀取操作。
3.如權利要求2所述的方法,其中設置主讀取電壓包括:
當初始存儲在監視存儲器單元中的數據與相對于第一讀取電壓從監視存 儲器單元中讀取的數據不同時,使用具有與第一讀取電壓的電平不同電平的 第二讀取電壓來執行監視存儲器單元上的讀取操作;以及
確定初始存儲在監視存儲器單元中的數據與相對于第二讀取電壓從監視 存儲器單元讀取的數據是否相同。
4.如權利要求3所述的方法,其中設置主讀取電壓還包括:
使用不同的讀取電壓重復進行指向監視存儲器單元的讀取操作,以及將 相對于不同讀取電壓從監視存儲器單元獲得的讀取數據與初始存儲在監視存 儲器單元中的數據進行比較,直到讀取數據與初始存儲的數據相同;以及
限定與讀取電壓有關的主讀取電壓,該讀取電壓與重復的讀取操作中的 一次及其相應的讀取電壓相關聯。
5.如權利要求1所述的方法:其中一旦確定初始存儲在監視存儲器單元 中的數據與相對于第一讀取電壓從監視存儲器單元中讀取的數據相同,就將 主讀取電壓設置為第一讀取電壓。
6.如權利要求1所述的方法,其中重復執行初始讀取操作,從而根據施 加于監視存儲器單元的重復執行的初始讀取操作的不同結果,將具有不同電 壓電平的不同主讀取電壓施加于各編程單元。
7.如權利要求1所述的方法,其中監視存儲器單元被設置在存儲器單元 陣列的分區中;以及
根據施加于監視存儲器單元的初始讀取操作的結果,將單獨的主讀取電 壓施加于各編程單元。
8.如權利要求1所述的方法,其中監視存儲器單元包括存儲第一數據值 的存儲器單元,該第一數據值選自分別與限定的多個電平相對應的多個數據 值中;以及
相對于與第一數據關聯的讀取電壓來執行設置主讀取電壓的操作。
9.如權利要求1所述的方法,還包括:
在執行初始讀取操作之前選擇主讀取電壓設置模式。
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