[發明專利]形成覆蓋膜部分的基底處理方法無效
| 申請號: | 200810085589.4 | 申請日: | 2008-03-19 |
| 公開(公告)號: | CN101269479A | 公開(公告)日: | 2008-09-24 |
| 發明(設計)人: | 間瀨惠二;石橋正三 | 申請(專利權)人: | 株式會社不二制作所 |
| 主分類號: | B24C11/00 | 分類號: | B24C11/00;B24C1/10 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 李雪春;武玉琴 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 形成 覆蓋 部分 基底 處理 方法 | ||
1.一種形成覆蓋膜部分的基底處理方法,其特征在于,通過把磨粒混合分散在彈性體的母材中或使上述磨粒承載在上述彈性體的母材表面上所得到的彈性研磨材料,噴射到處理對象的形成覆蓋膜部分上,磨粒不會埋入上述形成覆蓋膜部分,并且,在上述形成覆蓋膜部分上,以使所形成的覆蓋膜產生固定效果的規定的表面粗糙度,形成凹凸。
2.如權利要求1所述的形成覆蓋膜部分的基底處理方法,其特征在于,通過改變上述彈性研磨材料中的上述磨粒的顆粒直徑,來控制上述形成覆蓋膜部分的表面粗糙度。
3.如權利要求1或2所述的形成覆蓋膜部分的基底處理方法,其特征在于,通過改變上述彈性研磨材料的噴射條件,來控制上述形成覆蓋膜部分的表面粗糙度。
4.如權利要求3所述的形成覆蓋膜部分的基底處理方法,其特征在于,在噴射壓力為0.01MPa~0.5MPa、噴射距離為10mm~200mm的條件下,把平均顆粒直徑0.5~230μm的絕緣性磨粒,承載在對應于該顆粒直徑選擇的平均顆粒直徑為10~2000μm的上述彈性體上所得到的彈性研磨材料,以30~75°的入射角度進行噴射。
5.如權利要求1所述的形成覆蓋膜部分的基底處理方法,其特征在于,通過噴射上述彈性研磨材料,在上述形成覆蓋膜部分,上述彈性研磨材料中的磨粒成分Si的原子濃度水平沒有增加。
6.如權利要求1所述的形成覆蓋膜部分的基底處理方法,其特征在于,上述覆蓋膜是在除了硬脆性材料之外的處理對象上形成,并隨著施加電壓而形成,上述磨粒是金剛砂、綠金剛砂、氧化鋁等絕緣材料。
7.如權利要求4所述的形成覆蓋膜部分的基底處理方法,其特征在于,在噴射壓力為0.02MPa~0.5MPa、噴射距離為50mm~100mm的條件下,噴射將平均顆粒直徑1.0~40μm的絕緣性磨粒,混合分散在對應于該顆粒直徑選擇的平均顆粒直徑為35~1000μm的橡膠制彈性體中所得到的彈性研磨材料。
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