[發明專利]絕緣柵型半導體裝置無效
| 申請號： | 200810085496.1 | 申請日： | 2008-03-19 |
| 公開（公告）號： | CN101271899A | 公開（公告）日： | 2008-09-24 |
| 發明（設計）人： | 吉村充弘 | 申請（專利權）人： | 三洋電機株式會社;三洋半導體株式會社 |
| 主分類號： | H01L27/088 | 分類號： | H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人： | 陶鳳波 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 絕緣 半導體 裝置 | ||
1.一種絕緣柵型半導體裝置，其特征在于，具有：
一導電型半導體基板，
設置在該半導體基板之上的一導電型半導體層，
設置在該半導體層表面上的第一動作部，
設置在所述半導體層表面，面積比所述第一動作部小的第二動作部，
設置在所述第一動作部上的反導電型第一溝道區域和第一晶體管，
設置在所述第二動作部上的反導電型第二溝道區域和第二晶體管，
設置在所述第二動作部的周圍的分離區域。
2.如權利要求1所述的絕緣柵型半導體裝置，其特征在于，在所述分離區域設置有深度，該深度抑制從所述第二溝道區域向所述半導體層流動的電流在水平方向擴散。
3.如權利要求1所述的絕緣柵型半導體裝置，其特征在于，所述分離區域設置為比所述第二溝道區域深。
4.如權利要求1所述的絕緣柵型半導體裝置，其特征在于，所述分離區域是絕緣層。
5.如權利要求1所述的絕緣柵型半導體裝置，其特征在于，所述分離區域是高濃度的反導電型雜質區域。
6.如權利要求1所述的絕緣柵型半導體裝置，其特征在于，所述分離區域具有貫通所述半導體層和所述半導體基板的貫通孔和設置在該貫通孔側壁上的絕緣膜。
7.如權利要求1所述的絕緣柵型半導體裝置，其特征在于，所述第一晶體管和所述第二晶體管各自的柵極電極共同連接。
8.如權利要求1所述的絕緣柵型半導體裝置，其特征在于，所述第二晶體管是用于檢測所述第一晶體管的電流的晶體管。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
