[發明專利]圖像傳感器及其制造方法

無效

• 申請號: 200810085395.4
• 申請日: 2008-03-14
• 公開（公告）號: CN101266992A
• 公開（公告）日: 2008-09-17
• 發明（設計）人: 金兌規
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L21/822
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 蔡勝有;王春偉

1.一種圖像傳感器，包括：

包括電路區域的半導體襯底；

在所述半導體襯底上的包括金屬互連和層間電介質的金屬互連層；

在所述層間電介質上的多個第一像素隔離層，每個所述第一像素隔離層突出在所述層間電介質的表面之上；

在所述第一像素隔離層之間并電連接到所述金屬互連的光接收部，其中所述光接收部包括沿所述第一像素隔離層的側壁的突出區域；

在所述光接收部上的第一上電極；和

在所述第一像素隔離層和所述光接收部上的多個第二像素隔離層，所述第二像素隔離層彼此分隔，以選擇性地暴露出所述第一上電極的區域。

2.根據權利要求1的圖像傳感器，其中所述光接收部包括：

在所述側壁上和在所述第一像素隔離層之間的第一導電型導電層；

在上述第一導電型導電層上的本征層；和

在所述本征層上的第二導電型導電層。

3.根據權利要求2的圖像傳感器，其中所述光接收部的突出區域包括所述第一導電型導電層、所述本征層、和所述第二導電型導電層的一部分。

4.根據權利要求2的圖像傳感器，還包括在所述第二導電型導電層上的第一上電極。

5.根據權利要求4的圖像傳感器，其中所述第一上電極的一部分突出到所述光接收部的所述突出區域的高度。

6.根據權利要求2的圖像傳感器，其中所述光接收部包括P-I-N二極管或N-I-P二極管。

7.根據權利要求1的圖像傳感器，其中所述光接收部包括I-P二極管。

8.根據權利要求1的圖像傳感器，其中所述第一上電極的一部分突出到所述光接收部的所述突出區域的高度。

9.根據權利要求1的圖像傳感器，其中所述第一像素隔離層和所述第二像素隔離層包含氧化物層或氮化物層。

10.根據權利要求1的圖像傳感器，還包括在包括所述第二像素隔離層和所述第一上電極的半導體襯底上的第二上電極。

11.根據權利要求10的圖像傳感器，其中所述第一上電極和所述第二上電極由相同的物質形成。

12.根據權利要求11的圖像傳感器，其中所述第一上電極和所述第二上電極包括透明電極。

13.一種制造圖像傳感器的方法，包括：

在包括電路區域的半導體襯底上形成包括多個金屬互連和層間電介質的金屬互連層；

在所述層間電介質上形成多個第一像素隔離層；

在所述第一像素隔離層之間形成光接收部，其中所述光接收部包括沿所述第一像素隔離層的側壁的突出區域；

還包括：

在所述光接收部上形成第一上電極；

形成具有暴露出所述第一上電極的一部分的開口的第二像素隔離層；和

在包括所述第二像素隔離層的所述半導體襯底上形成第二上電極。

14.根據權利要求13的方法，其中形成所述光接收部包括：

在所述金屬互連層和所述第一像素隔離層上形成第一導電型導電層物質；

在所述第一導電型導電層物質上形成本征層物質；和

在所述本征層物質上形成第二導電型導電層物質。

15.根據權利要求14的方法，還包括：

在所述第二導電型導電層物質上形成第一上電極物質；和

蝕刻所述第一像素隔離層上的所述第一導電型導電層物質、所述本征層物質、所述第二導電型導電層物質、和所述第一上電極物質，以暴露出所述第一像素隔離層的頂表面。

16.根據權利要求13的方法，其中所述第一像素隔離層和所述第二像素隔離層由氧化物層或氮化物層形成。

17.根據權利要求13的方法，其中所述第一上電極和所述第二上電極包括透明電極。