[發明專利]制造多晶硅的方法

無效

• 申請號: 200810085083.3
• 申請日: 2008-03-17
• 公開（公告）號: CN101311346A
• 公開（公告）日: 2008-11-26
• 發明（設計）人: 林田智
• 申請（專利權）人: 智索株式會社
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B28/14;C01B33/03
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種制造多晶硅的方法，其中所述方法在一反應器中進行氯化硅氣 體與還原劑氣體的氣相反應，其特征在于所述方法包括：

將氯氣吹入含有在所述氣相反應中作為副產物而產生的還原劑氯化物 氣體和未反應氣體的廢氣，以引發反應的步驟；

將所述廢氣中所含的還原劑氯化物與其它雜質分離的步驟；以及

回收所述還原劑氯化物的步驟。

2.根據權利要求1所述的制造多晶硅的方法，其特征在于，其中所述 氯化硅氣體與還原劑氣體的氣相反應于800℃到1200℃范圍內的溫度下進 行。

3.根據權利要求1或2所述的制造多晶硅的方法，其特征在于，其中 通過將氯氣吹入廢氣中所引發的所述反應于400℃到1200℃范圍內的溫度 下進行。

4.根據權利要求1或2所述的制造多晶硅的方法，其特征在于，其中 通過將氯氣吹入廢氣中所引發的所述反應是通過從安裝在連接于進行氯化 硅氣體與還原劑氣體的氣相反應的反應器的氯化反應裝置中的氯氣引入 管，將氯氣吹入廢氣中來進行。

5.根據權利要求4所述的制造多晶硅的方法，其特征在于，其中所述 氯化反應裝置是由將廢氣從反應器排出的廢氣抽出管和與其連接的氯氣引 入管構成。

6.根據權利要求1或2所述的制造多晶硅的方法，其特征在于，其中 冷卻通過廢氣與氯氣的反應所產生的反應氣體，以便將所產生的還原劑氯 化物分離且以液體或固體形式回收。

7.根據權利要求1或2所述的制造多晶硅的方法，其特征在于，其中 冷卻通過廢氣與氯氣的反應所產生的反應氣體，且將所產生的還原劑氯化 物分離并回收，且進一步，將氯和氯化硅從所述反應氣體中分離并回收。

8.根據權利要求1或2所述的制造多晶硅的方法，其特征在于，其中 所述氯化硅氣體為至少一種選自由以Si_mH_nCl_2m+2-n表示的氯硅烷組成的群 組的氣體，其中m為1到3的整數，且n為0或0以上的整數，不超過2m+2。

9.根據權利要求1或2所述的制造多晶硅的方法，其特征在于，其中 所述氯化硅氣體為四氯化硅氣體。

10.根據權利要求1或2所述的制造多晶硅的方法，其特征在于，其中 所述還原劑氣體為至少一種選自由鈉、鉀、鎂、鋅和氫組成的群組的氣體。

11.根據權利要求1或2所述的制造多晶硅的方法，其特征在于，其 中所述還原劑氣體為鋅氣體。