[發明專利]可增加發光效率的發光二極管

有效

• 申請號: 200810084939.5
• 申請日: 2008-03-10
• 公開（公告）號: CN101533879A
• 公開（公告）日: 2009-09-16
• 發明（設計）人: 潘錫明;鄭惟剛;黃國欽
• 申請（專利權）人: 璨圓光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京恒久聯達知識產權代理有限公司
• 代理人: 李連生

1.一種可增加發光效率的發光二極管，其特征在于，其包 含：

一個發光二極管芯片；

一個光學層，設于該發光二極管芯片的底部，以增加該發 光二極管芯片的發光效率，其中該光學層為一個導光層、一個 光反射層及一個能量轉換層中選擇其一；以及

一個粗化層，設于該發光二極管芯片與該光學層間。

2.如權利要求1所述的可增加發光效率的發光二極管，其 特征在于，更設置于一個封裝結構內，其中該封裝結構包含：

一個承載座，包含二導腳，并承載該發光二極管，該發光 二極管芯片以導線與該二導腳電性連接；以及

一個罩體，覆蓋于該承載座，其中該罩體更包含一個能量 轉換層。

3.如權利要求1所述的可增加發光效率的發光二極管，其 特征在于，該光學層的最小厚度為5um。

4.如權利要求1所述的可增加發光效率的發光二極管，其 特征在于，該粗化層的中心線平均粗糙度是介于0.5nm與150nm 之間。

5.如權利要求1所述的可增加發光效率的發光二極管，其 特征在于，該光學層更設有多個熱傳導通道，該些熱傳導通道 更分別填入導熱材料。

6.如權利要求1所述的可增加發光效率的發光二極管，其 特征在于，更包含：一個選擇性反射層，設于該發光二極管芯 片，并與該光學層相對，該選擇性反射層為布拉格光柵。

7.如權利要求1所述的可增加發光效率的發光二極管，其 特征在于，該光學層由旋轉涂布、噴墨、電子槍蒸鍍、濺鍍或 網版印刷制作。

8.一種可增加發光效率的發光二極管，其特征在于，其包 含：

一個發光二極管芯片；以及

一個光學層，設于該發光二極管芯片的底部，以增加該發 光二極管芯片的發光效率，其中該光學層為一個能量轉換層， 該光學層更延伸包覆該發光二極管芯片的側邊；以及

一個粗化層，設于該發光二極管芯片與該光學層間。

9.如權利要求8所述的可增加發光效率的發光二極管，其 特征在于，該能量轉換層由旋轉涂布、噴墨、電子槍蒸鍍、濺 鍍或網版印刷制作。

10.如權利要求8所述的可增加發光效率的發光二極管， 其特征在于，更設置于一個封裝結構內，其中該封裝結構包含：

一個承載座，包含二導腳，并承載該該發光二極管，該發 光二極管芯片以導線與該二導腳電性連接；以及

一個罩體，覆蓋于該承載座。

11.如權利要求8所述的可增加發光效率的發光二極管， 其特征在于，該光學層的最小厚度為5um。

12.如權利要求8所述的可增加發光效率的發光二極管， 其特征在于，該粗化層的中心線平均粗糙度是介于0.5nm與 150nm之間。

13.如權利要求8所述的可增加發光效率的發光二極管， 其特征在于，該能量轉換層更設有多個熱傳導通道，該些熱傳 導通道更分別填入導熱材料。

14.如權利要求8所述的可增加發光效率的發光二極管， 其特征在于，更包含：一個選擇性反射層，設于該發光二極管 芯片，并與該光學層相對，該選擇性反射層為布拉格光柵。