[發(fā)明專利]具有非晶硅多結(jié)構(gòu)層薄膜的太陽(yáng)能電池

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810084631.0
• 申請(qǐng)日: 2008-03-14
• 公開（公告）號(hào): CN101533866A
• 公開（公告）日: 2009-09-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊燕智;簡(jiǎn)永杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東捷科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/075
• 分類號(hào): H01L31/075
• 代理公司: 天津三元專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 錢 凱

1.一種具有非晶硅多結(jié)構(gòu)層薄膜的太陽(yáng)能電池，其特征在于，包括：

一基板，可透光；

一第一穿透電膜，是設(shè)于該基板上且可透光；

一第一光電轉(zhuǎn)換層，是由一第一P層、一第一I層及一第一N層堆疊而成，其中，該第一I層是由a-SiN構(gòu)成，而該第一光電轉(zhuǎn)換層是設(shè)于該第一穿透電膜上，且可調(diào)變的能帶寬是介于1.7ev至2.3ev之間；

一第二光電轉(zhuǎn)換層，是由一第二P層、一第二I層及一第二N層堆疊而成，其中，該第二I層是由a-Si所構(gòu)成，而該第二光電轉(zhuǎn)換層是設(shè)于該第一光電轉(zhuǎn)換層上，且可調(diào)變的能帶寬為1.7ev左右；

一第三光電轉(zhuǎn)換層，是由一第三P層、一第三I層及一第三N層堆疊而成，其中，該第三I層是由a-SiSn構(gòu)成，而該第三光電轉(zhuǎn)換層是設(shè)于該第二光電轉(zhuǎn)換層上，且可調(diào)變的能帶寬介于0.08ev至1.1ev之間，又，該第一光電轉(zhuǎn)換層的能隙是大于該第二光電轉(zhuǎn)換層的能隙，且該第二光電轉(zhuǎn)換層的能隙是大于該第三光電轉(zhuǎn)換層的能隙；

一第二穿透電膜，是設(shè)于該第三光電轉(zhuǎn)換層的上方且可透光；

一上電極，是設(shè)于該第二穿透電膜上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有非晶硅多結(jié)構(gòu)層薄膜的太陽(yáng)能電池，其特征在于：所述第一、第二及第三光電轉(zhuǎn)換層又可分別設(shè)有一第一緩沖層、一第二緩沖層及一第三緩沖層，又，所述第一光電轉(zhuǎn)換層的能隙大于所述第二光電轉(zhuǎn)換層的能隙，該第二光電轉(zhuǎn)換層的能隙大于所述第三光電轉(zhuǎn)換層的能隙。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有非晶硅多結(jié)構(gòu)層薄膜的太陽(yáng)能電池，其特征在于：

所述第一光電轉(zhuǎn)換層是以制程氣體SiH4/NH3比例調(diào)變能帶寬；

所述第二光電轉(zhuǎn)換層是以制程氣體SiH4/H2比例調(diào)變能帶寬；

所述第三光電轉(zhuǎn)換層是以濺鍍或蒸鍍方式調(diào)變能帶寬。