[發明專利]具有超高親水性的太陽能板自潔結構及其制法無效
| 申請號: | 200810084630.6 | 申請日: | 2008-03-14 |
| 公開(公告)號: | CN101533865A | 公開(公告)日: | 2009-09-16 |
| 發明(設計)人: | 謝逸弘;簡永杰 | 申請(專利權)人: | 東捷科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;H01L31/18 |
| 代理公司: | 天津三元專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 胡畹華 |
| 地址: | 中國*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 超高 親水性 太陽能 結構 及其 制法 | ||
技術領域
本發明涉及一種具有超高親水性的太陽能板自潔結構及其制法,其兼具直接利用太陽能中的紫外線產生超高親水性、結構簡單而成本低,可直接加設于市面的太陽能裝置,及具有清洗裝置可加強清潔太陽能電池模塊等優點及功效。
背景技術
參閱圖1及圖2,現有太陽能裝置是于一太陽能電池模塊81上設置一透光隔層82,如此,在使用過程中,散布于空氣中的污漬71(例如大氣中的水氣、油氣、灰塵等)即會沉積于該透光隔層82上,不會弄臟太陽能電池模塊81。
然而,以太陽電池先前技術而言,目前大家都著重于太陽電池本身結構及電池的效率,但是卻忽略了太陽電池使用一段長時間之后,會因為大氣中的水氣、油氣、灰塵及其他有機污染物使得太陽電池表面沉積臟污,而影響到光線的穿透率及光電轉換效率。
太陽能電池長時間曝曬在大氣環境中,而大氣環境中含有許多水氣、油氣及灰塵等,將逐漸會沉積在太陽電池表面上,這些表面的臟污會阻礙部分的陽光,進而影響到光線的入射透光率,結果導致太陽電池發電效率降低。
其次,在雨天過后所殘留在表面的水滴,或是露水,通常會在太陽電池表面上停留一段時間,直到自然蒸發為止。在完全蒸發前,若水滴或露水接觸到油氣、臟污或是灰塵,最后仍會殘留在太陽電池表面上,形成固態的圈狀的水漬(沿水滴邊緣的形狀)、污垢,使太陽電池發電效率降低。
發明內容
本發明所要解決的主要技術問題在于,克服現有技術存在的上述缺陷,而提供一種具有超高親水性的太陽能板自潔結構及其制法,其可直接利用太陽能中的紫外線產生超高親水性,具有結構簡單而成本低的優點,且可直接加設于市面的太陽能裝置,具有清洗裝置可加強清潔太陽能電池模塊。
本發明具有超高親水性的太陽能板自潔結構是:
一種具有超高親水性的太陽能板自潔結構,其特征在于,包括:一透光隔層,至少具有一入光表面及一出光表面,該出光表面鄰近一太陽能電池模塊;一固態的二氧化鈦層,是位于該入光表面上,該二氧化鈦層具有一介于0.1μm至2μm間的鍍膜厚度,且該二氧化鈦層經一預定強度的紫外光照射預定時間后會由一誘發前狀態轉變成一誘發后狀態;在該誘發前狀態時,該二氧化鈦層表面的誘發前接觸角是介于40度至50度之間,而在該誘發后狀態時,該二氧化鈦層表面的誘發后接觸角是介于0度至10度之間,借此,利用紫外光的誘發而成為超高親水狀態,達到具有防霧、抗水滴、表面自潔的效果。
前述的具有超高親水性的太陽能板自潔結構,其中又包括:一摻雜層,是設于該二氧化鈦層與該入光表面之間,該摻雜層為二氧化硅,其厚度是介于0.01μm~0.025μm之間;該摻雜層是用以調整復合薄膜觸媒轉換特性;且該摻雜層與該二氧化鈦層的厚度比是介于1:40~1:10之間;一清洗裝置,用以產生清水,以去除具有預定傾斜角的太陽能電池模塊上的二氧化鈦層表面上的污垢;該二氧化鈦層設于該入光表面上的方式,是選自電子槍蒸鍍、直流動力濺鍍、射頻動力濺鍍其中之一。
前述的具有超高親水性的太陽能板自潔結構,其中二氧化鈦層是以相對低氣壓濺鍍沉積于該入光表面而形成R-TiO2;所述二氧化鈦層的厚度是介于0.2μm~0.4μm之間;所述紫外光的預定強度為1μW/cm2以上,且所述紫外光的波長范圍是介于100nm至400nm之間。
前述的具有超高親水性的太陽能板自潔結構,其中二氧化鈦層是以相對高氣壓濺鍍沉積于該入光表面而形成A-TiO2;所述二氧化鈦層的厚度是介于0.2μm~0.4μm之間;所述紫外光的預定強度為1μW/cm2以上,且所述紫外光的波長范圍是介于100nm至400nm之間。
前述的具有超高親水性的太陽能板自潔結構,其中相對高氣壓值是介于0.1~15Pa之間。
前述的具有超高親水性的太陽能板自潔結構,其中相對高氣壓值是介于1~3Pa之間。
本發明具有超高親水性的太陽能板自潔結構的制法是:
一種具有超高親水性的太陽能板自潔結構的制法,其特征在于,其包括下列步驟:
一.準備步驟:準備一透光隔層,該透光隔層至少具有一入光表面及一出光表面;該出光表面是鄰近一太陽能電池模塊;
二.二氧化鈦層產生步驟:于該透光隔層的入光表面上設置一厚度介于0.1μm至2μm間的二氧化鈦層;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





