[發(fā)明專利]閃存介質掃描方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810084053.0
• 申請日: 2008-03-21
• 公開（公告）號: CN101540204A
• 公開（公告）日: 2009-09-23
• 發(fā)明（設計）人: 盧賽文
• 申請（專利權）人: 深圳市朗科科技股份有限公司
• 主分類號: G11C29/14
• 分類號: G11C29/14;G11C16/06
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權代理有限責任公司
• 代理人: 胡海國;王艷春

技術領域

本發(fā)明涉及半導體存儲介質領域，特別涉及一種閃存介質掃描方法。

背景技術

閃存介質(Flash)包括多個存儲塊簡稱塊(Block，擦除閃存介質的基 本單位)，每個塊包括多個頁(Page，讀寫閃存介質的基本單位)，每個頁包 括多個位(bit，取值為0或1)。可以實現(xiàn)取值從0到1和從1到0的逆轉換 的位稱為好位，否則認為是壞位，不能用于存儲數(shù)據(jù)。為識別閃存介質是否 可以使用，需掃描其內(nèi)部的塊。現(xiàn)有一種閃存介質掃描的流程如圖1所示， 判斷某塊是否好塊的做法是將某塊擦除，然后寫數(shù)據(jù)到該塊，再從每一頁中讀 出數(shù)據(jù)，與寫入的數(shù)據(jù)相比較。當某頁中出現(xiàn)寫入和讀出的數(shù)據(jù)不相同，則 認為該頁是不可使用的頁，簡稱壞頁，壞頁所在的塊認為是不可使用的塊， 簡稱壞塊；若某頁中所有寫入和讀出的數(shù)據(jù)都相同，則認為該頁是好頁，所 有頁都是好頁的塊稱為好塊。對于包含較少壞塊的閃存介質，采用上述掃描 方法就可以順利完成識別。

隨著閃存介質技術和應用的快速發(fā)展，閃存介質市場越來越大，容量越 來越高，開發(fā)商對閃存介質掃描效率和閃存介質良率的要求也越來越高。采 用上述的掃描技術能全面準確地完成掃描，但對一片大容量如1G的閃存介質 進行掃描往往需要半個小時甚至更久時間，速度慢效率低不適于實際生產(chǎn)應 用；上述的掃描技術可以單獨運行幾次掃描，分別產(chǎn)生掃描結果再整合形成 最終掃描結果，對于壞塊較多的情況，壞塊會被掃描多次。現(xiàn)有另一種掃描 技術可以提高掃描速度，但無法全面找出壞塊，掃描結果準確度和可靠性不 強。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種針對閃存介質的掃描方法，以實現(xiàn)對閃存介 質的快速準確掃描。

本發(fā)明提供一種閃存介質掃描方法，包括步驟：對閃存介質進行擦除掃 描，產(chǎn)生擦除掃描結果；對閃存介質進行至少一掃描周期的掃描，分別產(chǎn)生 至少一周期掃描結果；整合擦除掃描結果和/或至少一周期掃描結果，形成最 終掃描結果。

優(yōu)選地，上述擦除掃描包括步驟：將閃存介質所有塊擦除；檢查閃存介 質，判斷數(shù)據(jù)是否正確擦除，找出未能正確擦除的壞塊，產(chǎn)生擦除掃描結果； 擦除閃存介質中的好塊。

優(yōu)選地，上述進行至少一掃描周期的掃描包括步驟：將掃描數(shù)據(jù)寫入閃 存介質；讀取閃存介質中的數(shù)據(jù)，與寫入的掃描數(shù)據(jù)相比較，將寫入和讀出 的數(shù)據(jù)存在不一致的塊認為是壞塊，否則認為是好塊；擦除閃存介質中的好 塊。

優(yōu)選地，上述將掃描數(shù)據(jù)寫入閃存介質的步驟是抽取其中至少一塊、抽 取塊中至少一頁、頁中至少一字節(jié)和/或至少一位，向其中寫入掃描數(shù)據(jù)，讀 取閃存介質中的數(shù)據(jù)是指從閃存介質中抽取寫入了數(shù)據(jù)的至少一塊、塊中至 少一頁、頁中至少一字節(jié)和/或至少一位，讀取其中的數(shù)據(jù)。

優(yōu)選地，上述閃存介質掃描方法還包括：預設一壞位上限；對包含壞位 數(shù)不超過所述壞位上限的塊，將其作為好塊。

本發(fā)明提供的閃存介質掃描方法能快速準確掃描閃存介質，在短時間內(nèi) 找出壞塊并剔除，不用于后續(xù)的傳統(tǒng)掃描過程，大大提高掃描速度又保留了 傳統(tǒng)掃描過程所具有的全面性。

附圖說明

圖1是本發(fā)明現(xiàn)有技術掃描閃存介質的流程示意圖；

圖2是本發(fā)明第一實施例掃描流程示意圖；

圖3是本發(fā)明第二實施例擦除掃描流程示意圖；

圖4是本發(fā)明第二實施例擦除掃描部分具體流程示意圖；

圖5是本發(fā)明第三實施例快速掃描流程示意圖；

圖6是本發(fā)明第四實施例掃描閃存介質的具體流程示意圖；

圖7是本發(fā)明第五實施例對一塊進行掃描的流程示意圖。

本發(fā)明目的的實現(xiàn)、功能特點及優(yōu)點將結合實施例，參照附圖做進一步 說明。

具體實施方式

本發(fā)明提出第一實施例，對閃存介質進行至少一掃描周期的掃描，整合 至少一掃描周期產(chǎn)生的周期掃描結果，形成最終掃描結果。

如圖2所示，第一實施例掃描流程包括：

步驟S1，對閃存介質進行擦除掃描，產(chǎn)生擦除掃描結果；

步驟S2，對閃存介質進行至少一掃描周期的掃描，分別產(chǎn)生至少一周期 掃描結果；

步驟S3，整合擦除掃描結果和/或至少一周期掃描結果，形成最終掃描結 果。