[發明專利]三族氮化合物半導體發光元件及其制造方法

無效

• 申請號: 200810083678.5
• 申請日: 2008-03-14
• 公開（公告）號: CN101533878A
• 公開（公告）日: 2009-09-16
• 發明（設計）人: 黃世晟;涂博閔;葉穎超;林文禹;吳榆翔;徐智鵬;詹世雄
• 申請（專利權）人: 先進開發光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳 晨;吳世華

1、一種三族氮化合物半導體發光元件的制造方法，包含下列步驟：

成長第一三族氮化合物半導體層于臨時基板的表面；

以光刻工藝圖案化所述第一三族氮化合物半導體層；

形成第二三族氮化合物半導體層于所述已圖案化的第一三族氮化合物半導體層上；

形成導電材料層于所述第二三族氮化合物半導體層；以及

自所述第一三族氮化合物半導體層將所述臨時基板移除，以得到所述第二三族氮化合物半導體層及所述導電材料層的組合體。

2、根據權利要求1的三族氮化合物半導體發光元件的制造方法，其中所述光刻工藝包含下列步驟：

于所述第一三族氮化合物半導體層上先形成圖案化的介電掩模層；

蝕刻所述第一三族氮化合物半導體層無覆蓋所述介電掩模層的部分；以及

移除所述介電掩模層。

3、根據權利要求2的三族氮化合物半導體發光元件的制造方法，其中所述介電掩模層是光致抗蝕劑層。

4、根據權利要求1的三族氮化合物半導體發光元件的制造方法，其還包括在所述第二三族氮化合物半導體層及所述導電材料層之間形成金屬鏡面層的步驟。

5、根據權利要求1的三族氮化合物半導體發光元件的制造方法，其中所述導電材料層通過電鍍或復合電鍍沉積的銅、鎳或鎢銅合金。

6、根據權利要求1的三族氮化合物半導體發光元件的制造方法，其還包括去除所述第二三族氮化合物半導體層表面存留的所述第一三族氮化合物半導體層的步驟。

7、根據權利要求6的三族氮化合物半導體發光元件的制造方法，其中所述第一三族氮化合物半導體層通過濕蝕刻去除。

8、根據權利要求1的三族氮化合物半導體發光元件的制造方法，其中所述臨時基板的材料是藍寶石、碳化硅、硅、氧化鋅、氧化鎂及砷化鎵。

9、根據權利要求1的三族氮化合物半導體發光元件的制造方法，其中所述第一三族氮化合物半導體層通過照射激光光束而分解，從而使得所述第二三族氮化合物半導體層及所述導電材料層的組合體能和所述臨時基板分離。

10、根據權利要求1的三族氮化合物半導體發光元件的制造方法，其中所述第一三族氮化合物半導體層通過濕蝕刻而分解，從而使得所述第二三族氮化合物半導體層及所述導電材料層的組合體能和所述臨時基板分離。

11、根據權利要求4的三族氮化合物半導體發光元件的制造方法，其還包括于所述第二三族氮化合物半導體層及所述金屬鏡面層之間形成N型半導體材料層、有源層及P型半導體材料層的步驟。

12、根據權利要求1的三族氮化合物半導體發光元件的制造方法，其中所述圖案化的第一三族氮化合物半導體層包含多個凸部及多個介于所述多個凸部中間的溝槽。

13、根據權利要求12的三族氮化合物半導體發光元件的制造方法，其中所述多個凸部是六角柱體、圓柱體或四方柱體，所述多個溝槽分別圍繞各所述凸部周圍。

14、根據權利要求12的三族氮化合物半導體發光元件的制造方法，其中所述多個凸部是狹長條狀物，所述多個溝槽分隔相鄰所述凸部。

15、根據權利要求4的三族氮化合物半導體發光元件的制造方法，其還包括于所述導電材料層及所述金屬鏡面層表面施以蝕刻保護層的步驟。

16、一種三族氮化合物半導體發光元件，包含：

三族氮化合物半導體層；

金屬鏡面層，形成于所述三族氮化合物半導體層上；以及

導電材料層，形成于所述金屬鏡面層上。

17、根據權利要求16的三族氮化合物半導體發光元件，其中所述三族氮化合物半導體層的材料是Al_xIn_yGa_1-x-yN，其中0≦x≦1及0≦y≦1。

18、根據權利要求16的三族氮化合物半導體發光元件，其中所述導電材料層通過電鍍或復合電鍍沉積的銅、鎳或鎢銅合金。

19、根據權利要求16的三族氮化合物半導體發光元件，其還包括于所述第二三族氮化合物半導體層及所述金屬鏡面層之間設有N型半導體材料層、有源層及P型半導體材料層。