[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 200810083557.0
• 申請日: 2008-03-12
• 公開（公告）號: CN101290912A
• 公開（公告）日: 2008-10-22
• 發明（設計）人: 竹村康司;平野博茂;伊藤豐;佐野光;小池功二
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L23/522;H01L23/58;H01L21/00;H01L21/768
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 汪惠民

1.一種半導體裝置，其特征在于：

包括：形成在基板上的層間絕緣膜，

形成在位于上述基板的芯片區域的上述層間絕緣膜中的布線，

形成在位于上述芯片區域的周緣部的上述層間絕緣膜中且圍繞上述芯 片區域的密封環，以及

形成在設置有上述布線和上述密封環的上述層間絕緣膜上的第一保護 膜；

上述第一保護膜設置有第一開口部，該第一開口部使上述密封環及上 述層間絕緣膜各自的至少一部分從上述第一保護膜露出，

上述第一開口部包括：設置了與上述密封環相接的蓋層的第一區域； 和從上述芯片區域看位于比上述密封環更靠外側的位置且未形成蓋層的第 二區域。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

在位于上述第二區域的上述層間絕緣膜露出于上述第一開口部的部分 中，形成有槽。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

上述第一區域與上述第二區域相互鄰接。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

上述第一區域與上述第二區域之間存在有上述第一保護膜的一部分。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于：

在位于上述第一區域與上述第二區域之間的上述第一保護膜的上述第 二區域一側的側面，形成有由與上述蓋層的材料相同的材料構成的側壁隔 離物。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于：

上述側壁隔離物的下表面位于比上述第一保護膜的下表面靠下方的位 置。

7.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于：

位于上述第二區域的上述層間絕緣膜露出于上述第一開口部的部分的 表面位于比上述側壁隔離物的下表面更靠下方的位置。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

按照連續地覆蓋上述第一開口部的上述第一區域和上述第一保護膜的 方式，形成有蓋層。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于：

形成有覆蓋從上述第一開口部來看位于上述芯片區域的相反一側的上 述第一保護膜的端部的其它蓋層。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

在位于上述布線上的上述第一保護膜中設置有襯墊用開口部，在該襯 墊用開口部形成有與上述布線連接在一起的襯墊。

11.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

在位于上述布線上的上述第一保護膜中設置有最上層布線用開口部， 在該最上層布線用開口部形成有與上述布線連接在一起的最上層布線。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于：

在上述第一保護膜上形成有覆蓋上述最上層布線的第二保護膜，

在位于上述第一開口部上的上述第二保護膜中設置有第二開口部。

13.根據權利要求12所述的半導體裝置，其特征在于：

從上述第一開口部來看位于上述芯片區域的相反一側的上述第一保護 膜的端部、與從上述第二開口部來看位于上述芯片區域的相反一側的上述 第二保護膜的端部錯開著。

14.根據權利要求13所述的半導體裝置，其特征在于：

從上述第二開口部來看位于上述芯片區域的相反一側的上述第二保護 膜的端部，位于從上述第一開口部來看位于上述芯片區域的相反一側的上 述第一保護膜的上側。

15.根據權利要求13所述的半導體裝置，其特征在于：

從上述第一開口部來看位于上述芯片區域的相反一側的上述第一保護 膜的端部，位于從上述第二開口部來看位于上述芯片區域的相反一側的上 述第二保護膜的下側。