[發(fā)明專利]增層線路板的制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810083536.9 | 申請(qǐng)日： | 2008-03-06 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101527266A | 公開（公告）日： | 2009-09-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 林文強(qiáng);王家忠;陳振重 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 鈺橋半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/48 | 分類號(hào)： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 長(zhǎng)沙正奇專利事務(wù)所有限責(zé)任公司 | 代理人： | 何 為 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)北*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 線路板 制作方法 | ||
1.一種增層線路板的制作方法，其特征在于：該方法至少包含下列步 驟：
(A)選擇一包含一第一介電層、一第一金屬層及一第二金屬層的雙 面基板；
(B)分別于該雙面基板的第一、二金屬層上各形成一第一、二阻 層；
(C)在該第一阻層上形成數(shù)個(gè)第一開口，顯露其下的第一金屬層；
(D)移除該第一開口下方的第一金屬層；
(E)移除該第一阻層及該第二阻層，形成一具有作為電性連接墊的 第一線路層；
(F)于該第一線路層及該第一介電層上形成一第二介電層及一第三 金屬層，形成一三層結(jié)構(gòu)的電路基板；
(G)于該第三金屬層與該第二介電層上形成數(shù)個(gè)第二開口，顯露其 下的第一線路層的第一面；
(H)于數(shù)個(gè)第二開口中及該第一線路層與該第三金屬層上形成一第 四金屬層；
(I)分別于該第四、二金屬層上各形成一第三、四阻層；
(J)在該第三阻層上形成數(shù)個(gè)第三開口，顯露其下的第四金屬層；
(K)移除該第三開口下方的第三金屬層與第四金屬層；
(L)移除該第三阻層及該第四阻層，使該第三、四金屬層形成一已 圖案化的第三線路層，至此完成一兩層具圖案化線路及電性連接的三層基 板；
(M)于該第三線路層及該第二介電層上再壓合一第三介電層及一第 五金屬層；
(N)分別于該第二金屬層與該第一介電層上形成數(shù)個(gè)第四開口，顯 露其下已圖案化的第一線路層的第二面，以及于該第五金屬層與該第三介 電層上形成數(shù)個(gè)第五開口，顯露其下已圖案化的第三線路層；
(O)分別于數(shù)個(gè)第四開口中及該第二金屬層上形成一第六金屬層， 以及于數(shù)個(gè)第五開口中及該第五金屬層上形成一第七金屬層；
(P)分別于該第六、七金屬層上各貼合一第五、六阻層；
(Q)分別于該第五阻層上形成數(shù)個(gè)第六開口，顯露其下的第六金屬 層，以及于該第六阻層上形成數(shù)個(gè)第七開口，顯露其下的第七金屬層；
(R)分別移除該第六開口下方的第二金屬層與第六金屬層，以及移 除該第七開口下方的第五金屬層與第七金屬層；
(S)分別移除該第五阻層，以形成一已圖案化的第二線路層，以及 移除該第六阻層，以形成一已圖案化的第四線路層，至此完成一四層具圖 案化線路及電性連接的四層基板，并選擇直接進(jìn)行步驟(T)或步驟 (U)；
(T)進(jìn)行一置晶側(cè)與球側(cè)線路層電性連接墊制作，其至少包含下列 步驟：
(t1)分別于該第二線路層與該第一介電層上涂覆一第一防焊層， 以及于該第四線路層與該第三介電層上涂覆一第二防焊層；
(t2)分別在該第一、二防焊層上各形成數(shù)個(gè)第八、九開口，藉此 顯露線路增層結(jié)構(gòu)作為電性連接墊；以及
(t3)分別于數(shù)個(gè)第八、九開口中各形成一第一、二阻障層；
(U)進(jìn)行上、下兩層的線路增層結(jié)構(gòu)制作，其至少包含下列步驟：
(u1)分別于該第二線路層與該第一介電層上貼合一第四介電層， 以及于該第四線路層與該第三介電層上貼合一第五介電層；
(u2)分別于該第四介電層上形成數(shù)個(gè)第十開口，顯露其下的第二 線路層，以及于該第五介電層上形成數(shù)個(gè)第十一開口，顯露其下的第四線 路層；
(u3)分別于該第四介電層與數(shù)個(gè)第十開口表面形成一第一晶種 層，以及于該第五介電層與數(shù)個(gè)第十一開口表面形成一第二晶種層；
(u4)分別于該第一、二晶種層上各形成一第七、八阻層；
(u5)分別于該第七阻層上形成數(shù)個(gè)第十二開口，并顯露該第一晶 種層，以及于該第八阻層上形成數(shù)個(gè)第十三開口，并顯露該第二晶種層；
(u6)分別于數(shù)個(gè)第十二開口中的第一晶種層上形成一第八金屬 層，以及于數(shù)個(gè)第十三開口中的第二晶種層上形成一第九金屬層；
(u7)移除該第七、八阻層，并分別顯露其下的第一、二晶種層； 以及
(u8)分別移除該顯露的第一晶種層，并于該第四介電層上形成一 第五線路層，以及移除該顯露的第二晶種層，并于該第五介電層上形成一 第六線路層。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
