[發明專利]一種光電元件的客制化制造方法

有效

• 申請號: 200810083255.3
• 申請日: 2008-03-04
• 公開（公告）號: CN101527253A
• 公開（公告）日: 2009-09-09
• 發明（設計）人: 謝明勛
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;G05B19/04;G05B19/418
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 葛寶成

技術領域

本發明涉及一種光電元件的客制化制造方法。

背景技術

半導體光電元件，例如發光二極管(LED)或太陽能電池(solar?cell)，分 別具有節能及干凈能源的功效，受到世界環保團體及各國政府廣泛的重視， 并已訂定時間表積極推廣，以解決地球暖化的問題。面對快速成長的需求， 光電元件制造廠傳統的人工結合半自動生產方式，至少會面臨包括交期縮短， 以及客戶端為因應多元應用產生的多樣化產品規格的挑戰。因此，除了積極 的擴張生產線以因應大量需求及多元的應用，有效率的生產流程及快速反應 客戶的需求已為當前亟待改善的重點。

本發明提供一光電元件的客制化生產方法，同時兼顧客戶需求及有效率 的生產，以加速產業運用。

發明內容

本發明揭露一光電元件的客制化制造方法。此客制化制造方法包含提供 一生產流程，包含一前段流程、一客制化模塊接續此前段流程、以及一寄存 步驟介于此前段流程及此客制化模塊之間；并且依前段流程生產一預定數量 的半成品暫停于此寄存步驟，依據一客戶要求以調制此客制化模塊使符合此 客戶要求。

依本發明一實施例，所述的客戶要求包含一亮度要求。

依本發明一實施例，所述的客戶要求包含一光形或出光角度要求。

依本發明一實施例，所述的客戶要求包含一波長要求。

依本發明一實施例，所述的客戶要求包含一熱阻要求。

依本發明一實施例，所述的客制化模塊更包含預置一對照表或對照曲線 用以調制此客制化模塊。

依本發明一實施例，所述的光電元件包含發光二極管或太陽能電池。

附圖說明

圖1為一流程圖，顯示依本發明的客制化制造方法的一實施例；

圖2為一流程圖，進一步揭示圖1的客制化模塊Q1；

圖3為一流程圖，進一步揭示圖1的客制化模塊Q2；

圖4為一流程圖，進一步揭示圖1的客制化模塊Q3；

圖5為一流程圖，進一步揭示圖1的客制化模塊Q4；

圖6為一流程圖，顯示依本發明的客制化制造方法的另一實施例。

附圖符號說明

????a1、a2：客制化模塊Q1的子模塊；

????b1、b2：客制化模塊Q2的子模塊；

????c1：客制化模塊Q3的子模塊；

????d1、d2：客制化模塊Q4的子模塊；

????ap1、ap2、bp1、bp2、cp1、dp1、dp2：客制化參數

????P1：亮度要求；

????P2：光形或出光角度要求；

????P3：波長要求；

????P4：熱阻要求；

????Q1-Q4：客制化模塊；

????S1-S7：標準流程步驟；

????T1-T5：寄存步驟；

????旁通1-旁通5：旁通步驟。

具體實施方式

圖1揭示一符合本發明的客制化生產流程，包括標準流程步驟S1-S7、 介于步驟S4及S5間的客制化模塊Q1-Q4、以及于客制化模塊Q1-Q4前的一 寄存步驟T1。各步驟說明如下：

S1(成長基板)：提供一成長基板，用以成長一半導體磊晶迭層，此成長 基板包括用以成長磷化鋁鎵銦(AlGaInP)的砷化鎵(GaAs)晶片，或用以成長氮 化銦鎵(InGaN)的藍寶石(Al₂O₃)晶片、氮化鎵(GaN)晶片或碳化硅(SiC)晶片， 或用以成長III-V族太陽能電池迭層的硅晶片、鍺晶片、或砷化鎵晶片；

S2(磊晶成長)：在此成長基板上成長一具有光電特性的磊晶迭層，例如 發光(light-emitting)迭層或光伏(photovoltaic)迭層；

S3(晶片檢測)：以一晶片測試機(testing?prober)，測試成長基板上的 磊晶迭層是否符合電性要求，如定電壓的電流值(I_v)；或波長特性如峰波長 值(peak?wavelength)或半峰寬幅(half-peak?width)；

S4(晶粒形成)：以微影及蝕刻工藝技術在上述的磊晶迭層定義出多個晶 粒結構及電極區域；