[發明專利]薄膜晶體管基板的制造方法

有效

• 申請號: 200810083158.4
• 申請日: 2008-03-07
• 公開（公告）號: CN101261961A
• 公開（公告）日: 2008-09-10
• 發明（設計）人: 金潤熙;姜鎬民
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L21/768;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種薄膜晶體管基板的制造方法，包括：

于其上形成有柵極布線的基板上順序形成柵極絕緣層、半導體層、歐姆接觸層和數據金屬層；

形成光致抗蝕劑圖案于源電極區域和漏電極區域中；

使用該光致抗蝕劑圖案作為第一蝕刻停止層，蝕刻該數據金屬層，以形成包括源電極和漏電極的數據布線；

回流該光致抗蝕劑圖案以覆蓋該源電極和該漏電極之間的溝道區；

使用經過回流的光致抗蝕劑圖案作為第二蝕刻停止層，蝕刻該歐姆接觸層和該半導體層，以形成包括歐姆接觸圖案和半導體圖案的有源圖案；

回蝕刻該經過回流的光致抗蝕劑圖案，以露出該溝道區內的該歐姆接觸圖案的一部分；以及

使用經過回蝕刻的光致抗蝕劑圖案作為第三蝕刻停止層，蝕刻該歐姆接觸圖案，完成具有溝道的薄膜晶體管。

2.如權利要求1所述的方法，其中該光致抗蝕劑圖案包括酚醛清漆樹脂或丙烯酸樹脂。

3.如權利要求2所述的方法，其中該光致抗蝕劑圖案包括具有1.5至2的分散度的粘合劑。

4.如權利要求3所述的方法，其中該光致抗蝕劑圖案在150℃至160℃的溫度范圍回流。

5.如權利要求2所述的方法，其中該光致抗蝕劑圖案在150℃至160℃的溫度范圍回流。

6.如權利要求1所述的方法，其中該光致抗蝕劑圖案包括具有1.5至2的分散度的粘合劑。

7.如權利要求6所述的方法，其中該光致抗蝕劑圖案在150℃至160℃的溫度范圍回流。

8.如權利要求1所述的方法，其中該光致抗蝕劑圖案在150℃至160℃的溫度范圍回流。

9.如權利要求1所述的方法，還包括：

剝離該經過回蝕刻的光致抗蝕劑圖案；

于其上形成有該數據布線的基板上形成覆層；以及

于該覆層上形成電連接到該漏電極的像素電極。

10.如權利要求9所述的方法，還包括：

形成有機層于該覆層上。

11.如權利要求9所述的方法，還包括：

形成存儲電容器。

12.如權利要求11所述的方法，其中形成該存儲電容器包括：

由與該柵極布線相同的層形成下存儲電極，該下存儲電極與該柵極布線隔開；以及

由與該數據布線相同的層形成上存儲電極，該上存儲電極與該下存儲電極交疊。

13.如權利要求11所述的方法，其中形成該存儲電容器包括由與該柵極布線相同的層形成下存儲電極，該下存儲電極與該柵極布線隔開，以及

其中該像素電極交疊該下存儲電極以形成薄膜晶體管的上存儲電極。

14.一種薄膜晶體管基板的制造方法，包括：

于其上形成有柵極布線和柵極金屬焊墊的基板上順序形成柵極絕緣層、半導體層和歐姆接觸層；

形成穿過該柵極絕緣層、該半導體層和該歐姆接觸層的接觸孔以露出該柵極金屬焊墊；

形成數據金屬層于具有該接觸孔的該基板上；

形成光致抗蝕劑圖案于源電極區域、漏電極區域和焊墊區域中；

使用該光致抗蝕劑圖案作為第一蝕刻停止層，蝕刻該數據金屬層，以形成包括源電極和該漏電極的數據布線以及直接連接到該柵極金屬焊墊的數據金屬焊墊；

回流該光致抗蝕劑圖案以覆蓋該源電極和該漏電極之間的溝道區；

使用經過回流的光致抗蝕劑圖案作為第二蝕刻停止層，蝕刻該歐姆接觸層和該半導體層，以形成包括歐姆接觸圖案和半導體圖案的有源圖案；

回蝕刻該經過回流的光致抗蝕劑圖案以露出該溝道區內的該歐姆接觸圖案的一部分；以及

使用經過回蝕刻的光致抗蝕劑圖案作為第三蝕刻停止層，蝕刻該歐姆接觸圖案，完成具有溝道的薄膜晶體管。

15.如權利要求14所述的方法，其中該光致抗蝕劑圖案包括酚醛清漆樹脂或丙烯酸樹脂。

16.如權利要求15所述的方法，其中該光致抗蝕劑圖案包括具有1.5至2的分散度的粘合劑。

17.如權利要求16所述的方法，其中該光致抗蝕劑圖案的回流在150℃至160℃的溫度范圍執行。