[發(fā)明專利]具有貫穿晶片的通孔的晶片及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810083087.8
• 申請日: 2008-03-21
• 公開（公告）號: CN101276801A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: T·D·蘇里文;K·J·斯坦;P·S·安德雷;王平川;B·C·韋伯;E·J·斯普羅吉斯;C·K－I·曾
• 申請（專利權(quán)）人: 國際商業(yè)機(jī)器公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L23/482;H01L21/768;H01L21/60
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 秦晨

1.?一種結(jié)構(gòu)，包括：

(a)晶片，該晶片包括(i)開口和(ii)晶片頂面，其中，該晶片頂面限定與所述晶片頂面垂直的第一參考方向；以及

(b)處于開口中的貫穿晶片的通孔，

其中，所述貫穿晶片的通孔具有矩形板的形狀，

其中，所述貫穿晶片的通孔在所述第一參考方向上的高度基本上等于所述晶片在所述第一參考方向上的厚度，

其中，所述貫穿晶片的通孔在第二參考方向上的長度是所述貫穿晶片的通孔在第三參考方向上的寬度的至少十倍，

其中，所述貫穿晶片的通孔的所述高度是所述貫穿晶片的通孔的所述寬度的至少十倍，

其中，所述第二參考方向和所述第三參考方向相互垂直，并且，

其中，所述第二參考方向和所述第三參考方向都垂直于所述第一參考方向。

2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述貫穿晶片的通孔的垂直邊緣是圓的。

3.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，還包括電介質(zhì)層，該電介質(zhì)層(i)夾在所述貫穿晶片的通孔和所述晶片之間，并且(ii)與所述貫穿晶片的通孔和所述晶片直接物理接觸。

4.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，還包括頂墊結(jié)構(gòu)，該頂墊結(jié)構(gòu)(i)位于所述貫穿晶片的通孔的頂面上，并且(ii)與所述貫穿晶片的通孔和所述電介質(zhì)層直接物理和電接觸。

5.?根據(jù)權(quán)利要求4所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述頂墊結(jié)構(gòu)包含選自包括銅和鋁的組中的材料。

6.?根據(jù)權(quán)利要求5所述的結(jié)構(gòu)，還包括底墊結(jié)構(gòu)，該底墊結(jié)構(gòu)(i)位于所述貫穿晶片的通孔的底面上，并且(ii)與所述貫穿晶片的通孔和所述晶片直接物理接觸。

7.?根據(jù)權(quán)利要求6所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述底墊結(jié)構(gòu)包含選自包括銅和鋁的組中的材料。

8.?根據(jù)權(quán)利要求6所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述貫穿晶片的通孔設(shè)置于所述頂墊結(jié)構(gòu)和所述底墊結(jié)構(gòu)之間。

9.?一種結(jié)構(gòu)，包括：

(a)晶片，該晶片包括(i)N個(gè)開口和(ii)晶片頂面，

其中，N是大于1的整數(shù)，并且

其中，該晶片頂面限定與所述晶片頂面垂直的第一參考方向；以及

(b)處于N個(gè)開口中的N個(gè)貫穿晶片的通孔，

其中，所述N個(gè)貫穿晶片的通孔中的每一個(gè)貫穿晶片的通孔具有矩形板的形狀，

其中，所述N個(gè)貫穿晶片的通孔相互平行，

其中，所述N個(gè)貫穿晶片的通孔中的每一個(gè)貫穿晶片的通孔在所述第一參考方向上的高度等于所述晶片的厚度，

其中，所述N個(gè)貫穿晶片的通孔中的每一個(gè)貫穿晶片的通孔在第二參考方向上的長度是所述每一個(gè)貫穿晶片的通孔在第三參考方向上的寬度的至少十倍，

其中，所述每一個(gè)貫穿晶片的通孔的所述高度是所述每一個(gè)貫穿晶片的通孔的所述寬度的至少十倍，

其中，所述第二參考方向和所述第三參考方向相互垂直，并且，

其中，所述第二參考方向和所述第三參考方向都垂直于所述第一參考方向。

10.?根據(jù)權(quán)利要求9所述的結(jié)構(gòu)，還包括頂墊結(jié)構(gòu)，該頂墊結(jié)構(gòu)與所有的所述N個(gè)貫穿晶片的通孔直接物理接觸。

11.?根據(jù)權(quán)利要求10所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述頂墊結(jié)構(gòu)包含選自包括銅和鋁的組中的材料。

12.?根據(jù)權(quán)利要求11所述的結(jié)構(gòu)，還包括底墊結(jié)構(gòu)，

其中，所述底墊結(jié)構(gòu)與所有的所述N個(gè)貫穿晶片的通孔直接物理接觸，

其中，所述N個(gè)貫穿晶片的通孔設(shè)置在所述頂墊結(jié)構(gòu)和所述底墊結(jié)構(gòu)之間，

其中，所述N個(gè)貫穿晶片的通孔垂直于所述頂墊結(jié)構(gòu)和所述底墊結(jié)構(gòu)，并且

其中，所述底墊結(jié)構(gòu)包含選自包括銅和鋁的組中的材料。

13.?根據(jù)權(quán)利要求9所述的結(jié)構(gòu)，還包括電介質(zhì)層，該電介質(zhì)層(i)夾在所述晶片和所述N個(gè)貫穿晶片的通孔之間，并且(ii)與所述晶片和所述N個(gè)貫穿晶片的通孔直接物理接觸。