[發明專利]半導體晶片封裝體及其封裝方法

無效

• 申請號: 200810083043.5
• 申請日: 2008-03-18
• 公開（公告）號: CN101540306A
• 公開（公告）日: 2009-09-23
• 發明（設計）人: 沈育濃
• 申請（專利權）人: 沈育濃
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L21/60;H01L21/78
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 蔡勝利

1.一種半導體晶片封裝體，其特征在于，包含：

一個半導體基體，其具有一個焊墊安裝表面、一個與該焊墊安裝表面 相對的后表面、數個形成于該焊墊安裝表面上的焊墊、及數個形成在該半 導體基體的兩側表面上的大致半圓形孔；

一個形成于該半導體基體的焊墊安裝表面上的絕緣層，該絕緣層是形 成有數個用于曝露該半導體基體的對應的焊墊的通孔及與該半導體基體的 兩側表面上的大致半圓形孔對準的大致半圓形孔；

至少一個從其中一個焊墊經由至少一個半圓形孔延伸到該半導體基體 的后表面的預定位置的導體；

一個形成在該半導體基體的焊墊安裝表面上的上覆蓋層，該上覆蓋層 是形成有數個用于曝露在該焊墊安裝表面之上的對應的導體的一部分的曝 露孔；

一個形成在該半導體基體的后表面上的下覆蓋層，該下覆蓋層是形成 有數個用于曝露在該后表面上的對應的導體的一部分的曝露孔；及

數個各形成在該上覆蓋層的一對應的曝露孔內的外部電路連接點。

2.如權利要求1所述的半導體晶片封裝體，其特征更在于，包含形成 于每個焊墊上的導電金屬層。

3.如權利要求1所述的半導體晶片封裝體，其特征更在于，包含數個 形成于對應的導體的在半導體基體的焊墊安裝表面之上和后表面之上的導 體部分上的導電金屬層。

4.如權利要求3所述的半導體晶片封裝體，其特征在于，這些導電金 屬層中的每一個可以包含疊置的一個鎳層與一個金層。

5.一種半導體晶片封裝體，其特征在于，包含：

一個半導體基體，其具有一個焊墊安裝表面及數個形成于該焊墊安裝 表面上的焊墊；

一個形成于該半導體基體的焊墊安裝表面上的絕緣層，該絕緣層是形 成有數個用于曝露該半導體基體的對應的焊墊的通孔，而且具有斜的邊緣 表面以致于其具有一個梯形橫截面；

一個形成于該絕緣層上的導線形成層，該導線形成層是形成有至少一 個與該絕緣層的其中一個通孔連通且曝露該絕緣層的一部分的穿孔，該導 線形成層亦具有斜的邊緣表面從而可與該絕緣層的對應的邊緣表面形成連 續的邊緣表面；

充填在連通的該絕緣層的通孔與該導線形成層的穿孔內的導電金屬 膠；

一個覆蓋該導線形成層的絕緣保護層，該絕緣保護層是形成有用于曝 露對應的導電金屬膠的一部分的曝露孔；及

數個各形成在該保護層的一對應的曝露孔內的外部電路連接點。

6.如權利要求5所述的半導體晶片封裝體，其特征在于，更包含形成于 該半導體基體的每個焊墊上的導電金屬層。

7.如權利要求5所述的半導體晶片封裝體，其特征在于，更包含形成 于在導線形成層的每個穿孔內的導電金屬膠的表面上的導電金屬層。

8.如權利要求7所述的半導體晶片封裝體，其特征在于，這些導電金 屬層中的每一個可以包含疊置的一個鎳層與一個金層。

9.一種半導體晶片封裝體，其特征在于，包含：

一個半導體基體，其具有一個焊墊安裝表面、一個與該焊墊安裝表面 相對的后表面、及數個形成于該焊墊安裝表面上的焊墊；

一個形成于該半導體基體的焊墊安裝表面、側表面、以及后表面上的 絕緣包覆層，該絕緣包覆層是形成有至少一個用于曝露該半導體基體的其 中一個焊墊的通孔；

至少一個從該其中一個焊墊延伸到該半導體基體的后表面的預定位置 的導體；

一個形成在該絕緣包覆層的在半導體基體的焊墊安裝表面上的包覆層 部分從而可覆蓋在該半導體基體的焊墊安裝表面之上的導體部分的上覆蓋 層，該上覆蓋層是形成有數個用于曝露對應的導體部分的一部分的曝露孔；

一個形成在該絕緣包覆層的在半導體基體的后表面上的包覆層部分從 而可覆蓋在該半導體基體的后表面之上的導體部分的的下覆蓋層，該下覆 蓋層是形成有數個用于曝露對應的導體部分的一部分的曝露孔；及

數個各形成在該上絕緣層的一對應的曝露孔內的外部電路連接點。