[發明專利]磁記錄介質用硅襯底及其制造方法無效
| 申請號： | 200810082933.4 | 申請日： | 2008-03-13 |
| 公開（公告）號： | CN101299334A | 公開（公告）日： | 2008-11-05 |
| 發明（設計）人： | 大橋健 | 申請（專利權）人： | 信越化學工業株式會社 |
| 主分類號： | G11B5/73 | 分類號： | G11B5/73;G11B5/84 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 | 代理人： | 王海川;樊衛民 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 記錄 介質 襯底 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種磁記錄介質用硅襯底，其中，在純度為99.99％以上的多晶硅襯底的主面上具有氧化膜，并且波紋度和微波紋度的均方值均為0.3nm以下。
2.權利要求1所述的磁記錄介質用硅襯底，其中，所述硅襯底的直徑為90mm以下。
3.權利要求1或2所述的磁記錄介質用硅襯底，其中，所述氧化膜的厚度為1000nm以下且10nm以上。
4.一種磁記錄介質，其中，在權利要求1或2所述的硅襯底上具有磁記錄層。
5.一種制造磁記錄介質用硅襯底的方法，其中包括：在純度為99.99％以上的多晶硅襯底的主面上形成氧化膜的工序、和將該氧化膜進行平坦化的研磨工序，所述氧化膜形成工序通過在多晶硅襯底的主面上旋涂有機二氧化硅或硅酮類材料并進行熱處理而實施。
6.一種制造磁記錄介質用硅襯底的方法，其中包括：在純度為99.99％以上的多晶硅襯底的主面上形成氧化膜的工序、和將該氧化膜進行平坦化的研磨工序，所述氧化膜形成工序通過將多晶硅襯底的主面進行熱氧化而實施。
7.權利要求5或6所述的制造磁記錄介質用硅襯底的方法，其中，所述研磨工序中，通過在所述氧化膜上進行使用中性或堿性漿料的CMP處理，使襯底的波紋度和微波紋度的均方值均為0.3nm以下。
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