[發(fā)明專(zhuān)利]改善液晶顯示器線性殘影的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810082783.7
• 申請(qǐng)日: 2008-03-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101241681A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-08-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖培鈞;張庭瑞;劉品妙;廖干煌;陳予潔
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 友達(dá)光電股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G09G3/36
• 分類(lèi)號(hào): G09G3/36;G02F1/133
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 梁揮;祁建國(guó)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種改善液晶顯示器線性殘影的方法，更明確地說(shuō)，涉及一種利用殘余電壓來(lái)改善液晶顯示器線性殘影的方法。

背景技術(shù)

請(qǐng)參考圖1。圖1為現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示器的橫剖面圖。液晶顯示器100由兩片玻璃基板(上板UL和下板LL)所構(gòu)成，兩片玻璃基板中間再注入液晶層LCL。液晶層中包含了液晶分子LC。玻璃基板LL上包含多數(shù)條數(shù)據(jù)線(未圖標(biāo))與多數(shù)條掃描線(未圖標(biāo))，以及多數(shù)個(gè)由掃描線與數(shù)據(jù)線交錯(cuò)而形成的像素區(qū)(未圖示)。然而由于實(shí)際情況中非為理想，故在液晶層LCL中，除了液晶分子LC之外，還摻雜雜質(zhì)分子P。雜質(zhì)分子P如圖所示，可為正電性或負(fù)電性。

請(qǐng)參考圖2。圖2為現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示器于顯示畫(huà)面時(shí)的示意圖。如圖所示，當(dāng)要顯示畫(huà)面時(shí)，玻璃基板UL與LL之間會(huì)加上一個(gè)電壓差使得液晶分子LC轉(zhuǎn)向。也就是說(shuō)，在玻璃基板UL與LL之間會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電場(chǎng)E。在液晶分子LC轉(zhuǎn)向的同時(shí)，雜質(zhì)分子P也會(huì)因?yàn)楸旧淼碾娦裕S著電場(chǎng)的方向移動(dòng)。

請(qǐng)參考圖3。圖3為現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示器于顯示畫(huà)面一段時(shí)間后的示意圖。如圖所示，當(dāng)顯示畫(huà)面一段時(shí)間后，玻璃基板UL與LL之間所加上的電場(chǎng)E會(huì)使得雜質(zhì)分子P的移動(dòng)更徹底。使得帶有正電的雜質(zhì)分子P都聚于一側(cè)，而帶有負(fù)電的雜質(zhì)分子P都聚于另外一側(cè)。這樣的情況，由于雜質(zhì)分子P移動(dòng)速度較慢，因此在電場(chǎng)E消失后，雜質(zhì)分子P并不會(huì)馬上變回原本常態(tài)分布的狀況；這樣一來(lái)，雜質(zhì)分子P便會(huì)在液晶層LCL中產(chǎn)生另外一個(gè)電場(chǎng)，而使得原本應(yīng)該回到預(yù)定位置的液晶分子LC受到影響，造成無(wú)法回到原本預(yù)定位置。也就是說(shuō)，若原本預(yù)設(shè)的電場(chǎng)為E₁，雜質(zhì)分子P聚集而產(chǎn)生的電場(chǎng)為E₂，在理想狀態(tài)下，液晶分子LC所感受到的電場(chǎng)應(yīng)為E₁，而能夠根據(jù)電場(chǎng)E₁轉(zhuǎn)動(dòng)到預(yù)定的位置，但是由于雜質(zhì)分子P產(chǎn)生的電場(chǎng)E₂的作用，液晶分子LC實(shí)際上所感受到的電場(chǎng)變成(E₁+E₂)，因此液晶分子LC便無(wú)法順利轉(zhuǎn)動(dòng)到預(yù)定的位置，因此產(chǎn)生了影像殘留的現(xiàn)象。

請(qǐng)參考圖4。圖4為現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示器于顯示畫(huà)面一段時(shí)間后的示意圖。雜質(zhì)分子P所移動(dòng)的方向，除了電場(chǎng)E的影響外，也會(huì)受到液晶分子LC轉(zhuǎn)向的影響。如圖4所示，由于液晶分子LC受到電場(chǎng)E而略為傾斜，因此會(huì)造成雜質(zhì)分子P除了在垂直方向上的移動(dòng)外，也有水平方向的橫移。持續(xù)移動(dòng)的結(jié)果將會(huì)造成雜質(zhì)分子P堵塞(trap)于液晶顯示器100中的某些像素之間(堵塞的方式與畫(huà)面顯示的圖案有關(guān))，造成堆積較多雜質(zhì)分子P的像素所受到雜質(zhì)分子P的影響較大，而堆積較少雜質(zhì)分子P的像素所受到雜質(zhì)分子P的影響較小。這樣一來(lái)，堆積較多雜質(zhì)分子P的像素與堆積較少雜質(zhì)分子P的像素的液晶分子LC的感受的電場(chǎng)將會(huì)有明顯不同，而造成顯示畫(huà)面時(shí)會(huì)有不均勻的情況，這就是所謂的線狀的影像殘留(image?sticking?of?line?shape?type)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種改善液晶顯示器線性殘影的方法。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的改善液晶顯示器線性殘影的方法，該液晶顯示器包含多數(shù)個(gè)像素。每個(gè)該像素都包含一第一子像素與一第二子像素。該方法包含以一第一最佳共同電壓，驅(qū)動(dòng)該多數(shù)個(gè)像素的該第一子像素；以一第二最佳共同電壓，驅(qū)動(dòng)該多數(shù)個(gè)像素的該第二子像素；以及以一面板電壓，驅(qū)動(dòng)該液晶顯示器，其中該面板電壓介于該第一最佳共同電壓與該第二最佳共同電壓之間。

綜上論述，采用本發(fā)明所提供的方法能有效地利用液晶顯示器上殘余的電壓，降低液晶顯示器的線性殘影，提供更好的顯示質(zhì)量。

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示器的橫剖面圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示器于顯示畫(huà)面時(shí)的示意圖；

圖3為現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示器于顯示畫(huà)面一段時(shí)間后的示意圖；

圖4為現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示器于顯示畫(huà)面一段時(shí)間后的示意圖；

圖5為本發(fā)明于液晶顯示器上外加殘余偏壓以降低線性殘留的示意圖；

圖6為本發(fā)明于一像素上外加殘余偏壓以降低線性殘留的示意圖；

圖7為根據(jù)圖6所示的方式驅(qū)動(dòng)子像素的示意圖；

圖8為本發(fā)明利用殘余電壓的第一實(shí)施例的電路的示意圖；

圖9根據(jù)圖8的實(shí)施例的時(shí)序示意圖；

圖10為本發(fā)明利用殘余電壓的第二實(shí)施例的電路的示意圖；