[發(fā)明專利]堆棧式芯片封裝結(jié)構(gòu)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810082782.2 | 申請日: | 2008-03-19 |
| 公開(公告)號: | CN101540312A | 公開(公告)日: | 2009-09-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 董悅明;楊家銘;林淑惠;林大發(fā);宋明芳 | 申請(專利權(quán))人: | 華泰電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/00 | 分類號: | H01L25/00;H01L25/065;H01L23/488;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 梁 揮;祁建國 |
| 地址: | 臺灣省高雄市*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 堆棧 芯片 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種堆棧式芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,至少包含:
一第一基板;
一第一芯片,設(shè)置于該第一基板上;
一第二芯片,設(shè)置于該第一芯片上;
至少一第二基板,設(shè)置于該第一芯片上,且電性連接于該第一芯片及該第一基板;
至少一第一接線,連接于該第二芯片與該第二基板之間;
至少一第二接線,連接于該第一基板與該第二基板之間;以及
一封膠體,形成于該第一基板上,并包覆該第一芯片、該第二芯片、該第二基板、該第一接線及該第二接線。
2.如權(quán)利要求1所述的堆棧式芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,該第二基板設(shè)有一開槽,該第二芯片設(shè)置于該開槽中,并接合于該第一芯片上。
3.如權(quán)利要求1所述的堆棧式芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,該第二基板位于該第二芯片的一側(cè)。
4.如權(quán)利要求1所述的堆棧式芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,該堆棧式芯片封裝結(jié)構(gòu)設(shè)有二第二基板,其分別位于該第二芯片的兩側(cè)。
5.如權(quán)利要求1所述的堆棧式芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,該第一基板設(shè)有至少一被動組件。
6.如權(quán)利要求1所述的堆棧式芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,該第一芯片設(shè)有至少一導(dǎo)電凸塊,用以電性連接于該第二基板。
7.一種堆棧式芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,至少包含:
提供一第一基板;
設(shè)置一第一芯片于該第一基板上;
設(shè)置一第二芯片和至少一第二基板于該第一芯片上,其中該第二基板電性連接于該第一芯片及該第一基板;
連接至少一第一接線于該第二芯片與該第二基板之間;
連接至少一第二接線于該第一基板與該第二基板之間;以及
形成一封膠體于該第一基板上,以包覆該第一芯片、該第二芯片、該第二基板、該第一接線及該第二接線。
8.如權(quán)利要求7所述的堆棧式芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,該設(shè)置至少一第二基板的步驟至少包含:
設(shè)置一第二基板于該第二芯片的一側(cè)。
9.如權(quán)利要求7所述的堆棧式芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,該設(shè)置至少一第二基板的步驟至少包含:
設(shè)置二第二基板于該第二芯片的兩側(cè)。
10.如權(quán)利要求7所述的堆棧式芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,至少還包含:
形成至少一導(dǎo)電凸塊于該第一芯片上,用以電性連接于該第二基板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨容器的器件
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