[發明專利]半導體基板用存儲裝置無效
| 申請號: | 200810082741.3 | 申請日: | 2008-03-05 |
| 公開(公告)號: | CN101276772A | 公開(公告)日: | 2008-10-01 |
| 發明(設計)人: | 前滝進;伊藤浩士 | 申請(專利權)人: | 日本亞仕帝科技株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;B65G1/04 |
| 代理公司: | 北京泛誠知識產權代理有限公司 | 代理人: | 楊本良;文琦 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 基板用 存儲 裝置 | ||
1.一種半導體基板用存儲裝置,其特征在于,配備:
頂棚板;
側板,以在所述頂棚板的下方與所述頂棚板共同劃定內置空間的方式設置;
基板架裝置,其具有沿垂直方向排列的多個基板架,并設置于所述內置空間內;以及
第一氣流產生裝置,其沿水平方向與所述基板架裝置介有空間相對地固定在所述側板上,使所述內置空間內產生從所述側板流向上述基板架裝置的氣流,
在所述基板架裝置中,形成一個或多個連通所述側板之間的空間與所述基板架彼此所包夾的空間的開口,
在所述內置空間內,沿著連接所述第一氣流產生裝置至所述開口的直線路徑的氣體的流路,通過全部的所述開口得以確保。
2.根據權利要求1所述的半導體基板用存儲裝置,其特征在于:使所述內置空間內產生流向下方的氣流的第二氣流產生裝置固定在所述頂棚板上。
3.根據權利要求1或2所述的半導體基板用存儲裝置,其特征在于:沿垂直方向的位置互不相同的多個所述第一氣流產生裝置固定在所述側板上。
4.根據權利要求1所述的半導體基板用存儲裝置,其特征在于:所述第一氣流產生裝置包括,產生從所述側板流向所述基板架裝置的氣流的第一鼓風機。
5.根據權利要求4所述的半導體基板用存儲裝置,其特征在于:所述第一氣流產生裝置包括,開口于所述內置空間的第一進氣口;和介有空間地與所述基板架裝置相對的第一送風口。
6.根據權利要求5所述的半導體基板用存儲裝置,其特征在于:所述第一氣流產生裝置包括,設置于所述第一送風口,并使通過第一鼓風機所產生的氣流沿垂直方向擴散的送風導管。
7.根據權利要求2所述的半導體基板用存儲裝置,其特征在于:所述第二氣流產生裝置包括,產生流向下方的氣流的第二鼓風機。
8.根據權利要求7所述的半導體基板用存儲裝置,其特征在于:所述第二氣流產生裝置包括,開口于所述頂棚板的上方的第二進氣口;和開口于所述內置空間的第二送風口。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





