[發(fā)明專利]一種增進(jìn)硅片級封裝(WLP)可靠度的封裝結(jié)構(gòu)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810082323.4
• 申請日: 2008-02-29
• 公開（公告）號: CN101256991A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊文焜;林殿方
• 申請（專利權(quán)）人: 育霈科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/29
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 周長興

1、一種增進(jìn)可靠度的封裝結(jié)構(gòu)，其包含：

一柔軟區(qū)域其位于此封裝結(jié)構(gòu)的中性點(diǎn)距離區(qū)外側(cè)，其中該柔軟區(qū)域具有第一介電層以吸收熱應(yīng)力；且

一堅(jiān)硬區(qū)域其位于此封裝結(jié)構(gòu)的中性點(diǎn)距離區(qū)之內(nèi)，其中在堅(jiān)硬區(qū)域中的第二介電層材料，硬度高于第一介電層。

2、如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中，該中性點(diǎn)距離的長度于0.3mm的錫球?yàn)?-4mm。

3、如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中，于上述堅(jiān)硬區(qū)域的該第二介電層材料的熱膨脹系數(shù)范圍在20-80ppm。

4、如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中，上述堅(jiān)硬區(qū)域中的該第二介電層材料的伸長百分比小于10％。

5、如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中，上述堅(jiān)硬區(qū)域中的該第二介電層材料為苯環(huán)丁烯或聚亞酰胺。

6、如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中，上述堅(jiān)硬區(qū)域的球部抗切強(qiáng)度大于此柔軟區(qū)域的球部抗切強(qiáng)度。

7、如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中，上述柔軟區(qū)域中的該第一介電層材料的伸長百分比為30-50％。

8、如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中，上述柔軟區(qū)域面積大于此堅(jiān)硬區(qū)域的面積。

9、如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中，于上述柔軟區(qū)域的該第一介電層材料的熱膨脹系數(shù)大于100ppm。

10、如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中，于上述柔軟區(qū)域的該第一介電層為硅基介電質(zhì)-硅氧烷高分子或道康寧WL5000/3000系列。