[發(fā)明專利]半導體裝置及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810082319.8
• 申請日: 2005-03-25
• 公開（公告）號: CN101286463A
• 公開（公告）日: 2008-10-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 臼井良輔;井上恭典;水原秀樹
• 申請（專利權(quán)）人: 三洋電機株式會社
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/768;H01L21/311
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

本申請為三洋電機株式會社于2005年3月25日向中國專利局提交的題為“半導體裝置及其制造方法”的申請?zhí)枮?00510059261.1的中國專利申請的分案申請。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及形成有敷金屬夾層的半導體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)

隨著手機、PDA、DVC、DSC等便攜電子設(shè)備的高功能化加速，為了使這樣的制品被市場接受，而必須使其小型、輕量化。為實現(xiàn)該小型、輕量化，而要求高集成的系統(tǒng)LSI。另一方面，對這些電子設(shè)備要求更容易使用且便利性好，對用于設(shè)備的LSI要求高功能化、高性能化。因此，隨著LSI芯片的高集成化，其I/O數(shù)增大，而封裝本身的小型化要求也很強，為同時實現(xiàn)這兩者，而強烈要求開發(fā)適用于半導體部件的高密度襯底安裝的半導體封裝。對應這樣的要求，開發(fā)了各種被稱為CSP(芯片尺寸封裝Chip?SizePackage)的封裝技術(shù)。例如，專利文獻1中記載有這樣的CSP。

在這樣的半導體封裝中，為將來自半導體芯片的信號介由電極焊盤取出到外部，要在電極焊盤上形成敷金屬夾層。由于在這樣的電極焊盤下方配置有半導體芯片，故必須不施加高熱量地形成敷金屬夾層。

另外，伴隨電子設(shè)備的高速化，開始使用銅作為配線材料。這樣，在利用銅形成的焊盤電極中，當施加熱量時，產(chǎn)生焊盤電極表面氧化這樣的問題。專利文獻1中有如下記載，為解決這樣的問題，在焊盤電極上部覆蓋防氧化用的Al焊盤電極。

關(guān)聯(lián)文獻

1：特開2003-249498號公報

2：特開2002-110717號公報

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是鑒于所述問題而開發(fā)的，本發(fā)明的目的在于，提供一種使具有和電路元件的電極焊盤連接的敷金屬夾層的半導體裝置的穩(wěn)定性良好的技術(shù)。

本發(fā)明的半導體裝置的制造方法包括：在形成于具有電極焊盤的電路元件上的絕緣樹脂膜上形成敷金屬夾層孔，使電極焊盤露出的工序；向敷金屬夾層孔內(nèi)導入導電材料，形成與電極焊盤連接的敷金屬夾層的工序，其中，形成敷金屬夾層孔的工序包括通過照射激光在絕緣樹脂膜上形成開口的第一工序和通過干式蝕刻在絕緣樹脂膜上形成開口、并且在所述電極焊盤上形成凹部的第二工序。在此，電路元件是半導體元件或無源元件等。

根據(jù)該方法，可在通過激光照射迅速形成開口后，通過干式蝕刻形成微細的開口。由此，可縮短敷金屬夾層孔的形成時間，同時，可進行微細的加工。另外，在形成使電路元件露出的敷金屬夾層孔時，僅通過激光照射進行開口，激光的熱可能使電路元件受到損傷。具體地說，可能使電路元件中含有的Cu或Al熔融、或向晶體管部施加熱而使設(shè)備特性劣化。但是，根據(jù)該方法，由于階段性地進行開口，故可利用激光開口至使電路元件不受損傷的程度的深度，然后，通過干式蝕刻進行開口。

半導體裝置可進一步包括形成于絕緣樹脂膜上的導電膜，形成敷金屬夾層孔的工序還包括部分除去導電膜的工序，可以以導電膜為掩膜，進行第一工序及第二工序。由此，可簡單地形成敷金屬夾層孔。

第一工序可包括利用第一激光在絕緣樹脂膜上形成開口的工序、和利用相對于絕緣樹脂膜的加工速度比第一激光慢的第二激光在絕緣樹脂膜上形成開口的工序。由此，可首先利用加工速度快的激光迅速地形成開口，同時，利用加工速度慢的激光進行微細加工。

第一工序可包括利用二氧化碳激光在絕緣樹脂膜上形成開口的工序、和利用YAG激光在絕緣樹脂膜上形成開口的工序。由此，即使在利用激光照射形成開口的階段，也可以在首先利用二氧化碳激光迅速地形成開口后，利用YGA激光形成微細的開口。

形成敷金屬夾層孔的工序還可包括在等離子氣氛下進行反向濺射的第三工序。由此，即使在由激光照射或干式蝕刻將電極焊盤表面氧化時，也可以除去氧化膜，使敷金屬夾層孔和電極焊盤低電阻化。另外，也可以使敷金屬夾層孔和電極焊盤間的附著性良好。

本發(fā)明的半導體裝置包括：電路元件，其具有電極焊盤；絕緣樹脂膜，其形成于電路元件上；敷金屬夾層，其設(shè)于絕緣樹脂膜內(nèi)，和電極焊盤連接，其中，敷金屬夾層側(cè)壁的一部分被電極焊盤包圍形成。通過該結(jié)構(gòu)，可增大敷金屬夾層和電極焊盤的接觸面積，使敷金屬夾層和電極焊盤低電阻化。

以上說明了本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，但將以上這些結(jié)構(gòu)任意組合使用作為本發(fā)明的方式也是有效的。另外，將本發(fā)明的表達方式改變?yōu)槠渌愋鸵矊儆诒景l(fā)明的范疇。

附圖說明

圖1A～圖1F是表示本發(fā)明實施例的半導體裝置制造順序的工序剖面圖；

圖2A～圖2E是詳細表示形成圖1D所示的敷金屬夾層孔的工序的圖示；