[發明專利]半導體裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 200810082197.2
• 申請日: 2008-03-07
• 公開（公告）號: CN101261971A
• 公開（公告）日: 2008-09-10
• 發明（設計）人: 東條啟;木谷智之;井口知洋;平原昌子;西內秀夫
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 胡建新;楊謙

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

半導體芯片，第一表面上配設有半導體元件的第一電極，并且與上述第一表面相對置的第二表面上配設有上述半導體元件的第二電極；

連接在上述半導體芯片的第一表面上的第一導電性部件；

連接在上述半導體芯片的第二表面上的第二導電性部件；

第一外部電極，與上述第一導電性部件連接，并且具有比上述第一導電性部件大的連接面積；

第二外部電極，與上述第二導電性部件連接，并且具有比上述第二導電性部件大的連接面積；以及

密封材料，在上述第一外部電極與上述第二外部電極之間利用加熱而被熔融及硬化來密封上述半導體芯片、上述第一導電性部件和上述第二導電性部件。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，在上述第一外部電極和上述第二外部電極上進行電鍍處理。

3.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

半導體芯片，第一表面上配設有半導體元件的第一電極，并且與上述第一表面相對置的第二表面上配設有上述半導體元件的第二電極；

連接在上述半導體芯片的第一表面上的導電性部件；

外部電極，與上述導電性部件連接，并且具有比上述導電性部件大的連接面積；以及

密封材料，利用加熱而被熔融及硬化來密封上述半導體芯片和上述導電性部件。

4.如權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，在上述外部電極和上述半導體芯片的上述第二表面上實施電鍍處理，形成電鍍膜。

5.如權利要求1～4中的任一項所述的半導體裝置，其特征在于，上述密封材料被形成為片狀。

6.如權利要求1～4中的任一項所述的半導體裝置，其特征在于，利用具有相同性質但其顏色不同的多個片狀密封材料密封上述半導體芯片。

7.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

在片狀密封材料上形成通孔的工序；

將設置了上述通孔的片狀密封材料分別粘接到第一外部電極和第二外部電極上的工序；

將導電性材料填充到粘接在上述第一外部電極上的第一片狀密封材料和粘接在上述第二外部電極上的第二片狀密封材料的各個通孔中的工序；

在第一表面上配設了半導體元件的第一電極并且與上述第一表面相對置的第二表面上配設了上述半導體元件的第二電極的半導體芯片上，將由填充到上述第一片狀密封材料的通孔中的導電性材料形成的第一導電性部件連接到上述第一電極上，并且將由填充到上述第二片狀密封材料的通孔中的導電性材料形成的第二導電性部件連接到上述第二電極上的工序；

從上述第一外部電極和上述第二外部電極向被上述第一導電性部件和第二導電性部件夾著的上述半導體芯片加壓并加熱來熔融上述第一片狀密封材料和上述第二片狀密封材料，從而密封上述半導體芯片、上述第一導電性部件和上述第二導電性部件的工序；以及

進一步加熱并硬化上述第一片狀密封材料和第二片狀密封材料的工序。

8.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

半導體芯片，第一表面上配設有半導體元件的第一電極，并且與上述第一表面相對置的第二表面上配設有上述半導體元件的第二電極；

連接在上述半導體芯片的第一表面上的第一導電性部件；

連接在上述半導體芯片的第二表面上的第二導電性部件；以及

密封材料，在上述第一導電性部件與第二導電性部件之間利用加熱而被熔融及硬化來密封上述半導體芯片；

上述第一導電性部件和上述第二導電性部件的與配設在上述半導體芯片的表面上的電極接觸的一端具有比上述半導體芯片的表面積小的面積，另一端具有比上述半導體芯片的表面積大的面積。

9.如權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于，上述第一導電性部件和上述第二導電性部件具有：從上述一端延伸到上述另一端的電流的第一導通路徑、與該第一導通路徑成直角地連接并延伸而構成上述另一端的第二導通路徑、以及與上述第二導通路徑成直角地連接并與上述第一導通路徑并列地延伸的第三導通路徑。

10.如權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，上述第三導通路徑的長度比上述第一導通路徑的長度短。