[發明專利]氧化鋅基半導體發光組件及其制造方法

無效

• 申請號: 200810081961.4
• 申請日: 2008-02-29
• 公開（公告）號: CN101540354A
• 公開（公告）日: 2009-09-23
• 發明（設計）人: 陳敏璋;陳星兆
• 申請（專利權）人: 陳敏璋
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01S5/30
• 代理公司: 上海翰鴻律師事務所
• 代理人: 李佳銘

1.一種制造一半導體發光組件的方法，其特征在于，所述方法包含下列步驟：

制備一基材；以及

通過一基于原子層沉積的制程，在所述基材上或之上形成一氧化鋅基多層結構，所述氧化鋅基多層結構包含一發光區域。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述基于原子層沉積的制程包含選自由一原子層沉積制程、一電漿增強原子層沉積制程以及一電漿輔助原子層沉積制程所組成的一群組中的至少其中一個。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述基材選自由一藍寶石基材、一硅基材、一SiC基材、一GaN基材、一AlGaN基材、一InGaN基材、一ZnO基材、一ScAlMgO₄基材、一YSZ基材、一SrCu₂O₂基材、一CuAlO₂基材、一LaCuOS基材、一NiO基材、一LiGaO₂基材、一LiAlO₂基材、一GaAs基材以及一玻璃基材所組成的一群組中的其中一個。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述基材為一圖案化基材。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述發光區域選自由一P型摻雜ZnO/未摻雜ZnO/N型摻雜ZnO結構組合、一P型摻雜ZnO/未摻雜ZnO結構組合、一P型摻雜ZnO/N型摻雜ZnO結構組合、一P型摻雜Mg_xZn_1-xO/未摻雜Mg_yZn_1-yO/N型摻雜Mg_zZn_1-zO結構組合、一P型摻雜Mg_xZn_1-xO/N型摻雜Mg_yZn_1-yO/N型摻雜Mg_zZn_1-zO結構組合、一P型摻雜Mg_xZn_1-xO/P型摻雜Mg_yZn_1-yO/N型摻雜Mg_zZn_1-zO結構組合、一P型摻雜Mg_xZn_1-xO/未摻雜ZnO/N型摻雜Mg_zZn_1-zO結構組合、一P型摻雜Mg_xZn_1-xO/N型摻雜ZnO/N型摻雜Mg_zZn_1-zO結構組合、一P型摻雜Mg_xZn_1-xO/P型摻雜ZnO/N型摻雜Mg_zZn_1-zO結構組合、一P型摻雜Mg_xZn_1-xO/N型摻雜Mg_zZn_1-zO結構組合、一P型摻雜Mg_xZn_1-xO/未摻雜Mg_yZn_1-yO結構組合、一P型摻雜Mg_xZn_1-xO/未摻雜ZnO結構組合、一P型摻雜Mg_xZn_1-xO/未摻雜ZnO/N型摻雜ZnO結構組合、一P型摻雜Mg_xZn_1-xO/P型摻雜ZnO/N型摻雜ZnO結構組合、一P型摻雜Mg_xZn_1-xO/N型摻雜ZnO結構組合、一P型摻雜ZnO/未摻雜ZnO/N型摻雜Mg_zZn_1-zO結構組合、一P型摻雜ZnO/N型摻雜ZnO/N型摻雜Mg_zZn_1-zO結構組合、一P型摻雜ZnO/N型摻雜Mg_zZn_1-zO結構組合、一N型摻雜ZnO/P型摻雜所述基材結構組合、一N型摻雜Mg_zZn_1-zO/P型摻雜所述基材結構組合、一P型摻雜Be_xZn_1-xO/未摻雜Be_yZn_1-yO/N型摻雜Be_zZn_1-zO結構組合、一P型摻雜Be_xZn_1-xO/N型摻雜Be_yZn_1-yO/N型摻雜Be_zZn_1-zO結構組合、一P型摻雜Be_xZn_1-xO/P型摻雜Be_yZn_1-yO/N型摻雜Be_zZn_1-zO結構組合、一P型摻雜Be_xZn_1-xO/未摻雜ZnO/N型摻雜Be_zZn_1-zO結構組合、一P型摻雜Be_xZn_1-xO/N型摻雜ZnO/N型摻雜Be_zZn_1-zO結構組合、一P型摻雜Be_xZn_1-xO/P型摻雜ZnO/N型摻雜Be_zZn_1-zO結構組合、一P型摻雜Be_xZn_1-xO/N型摻雜Be_zZn_1-zO結構組合、一P型摻雜Be_xZn_1-xO/未摻雜Be_yZn_1-yO結構組合、一P型摻雜Be_xZn_1-xO/未摻雜ZnO結構組合、一P型摻雜Be_xZn_1-xO/未摻雜ZnO/N型摻雜ZnO結構組合、一P型摻雜Be_xZn_1-xO/P型摻雜ZnO/N型摻雜ZnO結構組合、一P型摻雜Be_xZn_1-xO/N型摻雜ZnO結構組合、一P型摻雜ZnO/未摻雜ZnO/N型摻雜Be_zZn_1-zO結構組合、一P型摻雜ZnO/N型摻雜ZnO/N型摻雜Be_zZn_1-zO結構組合、一P型摻雜ZnO/N型摻雜Be_zZn_1-zO結構組合以及一N型摻雜Be_zZn_1-zO/P型摻雜所述基材結構組合所組成的一群組中的其中一個，0＜x，y，z≤1。