[發(fā)明專利]芯殼型磁性粒子和高頻磁性材料

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810081593.3
• 申請日: 2008-03-07
• 公開（公告）號: CN101299365A
• 公開（公告）日: 2008-11-05
• 發(fā)明（設計）人: 末綱倫浩;原田耕一;末永誠一
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01F1/053
• 分類號: H01F1/053;H01F1/06;B22F1/02
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所
• 代理人: 段承恩;田欣

技術領域

本發(fā)明涉及芯殼型磁性粒子和含有該芯殼型磁性粒子，并可在高頻下 控制導磁率的高頻磁性材料。

背景技術

近年，磁性材料被用于電磁波吸收體、磁性油墨、電感元件等，其重 要性逐年增大。這些用途均利用導磁率實部(μ’)或?qū)Т怕侍摬?μ”)。 例如，電感元件利用高的μ’(并且低的μ”)，電磁波吸收體利用高的μ”。 因此，實際上作為部件使用的場合，必須符合設備的利用頻帶而控制μ’和 μ”。近年，由于設備的利用頻帶正高頻化，因此強烈需求可在高頻下控制 μ’、μ”的材料的制造技術。

作為在1MHz以上的高頻域使用的電感元件用磁性材料，主要使用鐵 氧體、非晶合金。這些磁性材料在1MHz～10MHz域沒有損耗(低的μ’)， 具有高的μ’，顯示出良好的磁特性。然而，這種磁性材料在10MHz以上 的更高的頻域，導磁率實部μ’降低，未必能得到滿意的特性。由于這種情 況，采用濺射法、鍍覆法等的薄膜技術進行的電感元件開發(fā)正在盛行，已 確認在高頻域中也顯示優(yōu)異的特性。然而，濺射法等的薄膜技術需要大型 的設備，并且必須精密地控制膜厚等，因此在成本、合格率方面未必充分 滿意。另外，采用薄膜技術得到的電感元件，存在缺乏在高溫、高濕度下 的磁特性的長時間的熱穩(wěn)定性的問題。

另一方面，電磁波吸收體利用高的μ”，吸收伴隨電子設備的高頻化而 產(chǎn)生的噪聲，減少電子設備的誤動作等的不良情況。作為電子設備，可舉 出IC芯片等的半導體元件和各種通訊設備等。這樣的電子設備，有在 1MHz～數(shù)GHz，進而為數(shù)十GHz以上的高頻域使用的設備等各種各樣的 設備。尤其是近年，存在在1GHz以上的高頻域使用的電子設備增加的傾 向。在高頻域使用的電子設備的電磁波吸收體，以往采用將鐵氧體粒子、 羰基鐵粒子、FeAlSi薄片、FeCrAl薄片等與樹脂進行混合的粘合劑成型 法進行制造。然而，這些材料在1GHz以上的高頻域μ’、μ”均極端低， 未必能得到滿意的特性。此外，采用機械合金化法等合成的材料，存在缺 乏長時間的熱穩(wěn)定性、合格率低的問題。

發(fā)明內(nèi)容

采用以往的方法制造的高頻磁性材料，存在缺乏磁特性的長時間的熱 穩(wěn)定性的問題。

本發(fā)明的目的在于，提供飽和磁化高，可抑制成為高頻下的損耗的主 要因素的渦流損耗，并且有高的各向異性磁場的芯殼型磁性粒子。

本發(fā)明的目的還在于，提供在高頻域顯示優(yōu)異的磁特性，并且長時間 的磁特性的熱穩(wěn)定性優(yōu)異的高頻磁性材料。

根據(jù)本發(fā)明，提供一種芯殼型磁性粒子，其特征在于，含有磁性金屬 粒子和氧化物被覆層，

上述磁性金屬粒子含有含選自Fe、Co、Ni之中的至少一種的磁性金 屬、和非磁性金屬及選自碳和氮中的至少一種元素；

上述氧化物被覆層被覆在上述磁性金屬粒子的表面上，由含有至少一 種作為上述磁性金屬粒子構成成分之一的非磁性金屬的氧化物或復合氧化 物形成。

根據(jù)本發(fā)明，提供一種高頻磁性材料，其特征在于，含有上述芯殼型 磁性粒子。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，提供飽和磁化高，可抑制成為在高頻下的損耗主要原因 的渦流損耗，并且具有高的各向異性磁場的芯殼型磁性粒子。

另外，根據(jù)本發(fā)明，可提供一種高頻磁性材料，其在10MHz以上， 尤其是100MHz～1GHz的范圍的高頻域中顯示優(yōu)異的磁特性，并且長時 間的磁特性的熱穩(wěn)定性優(yōu)異，適用于電感器、濾波器、變壓器、扼流圈、 便攜電話和無線LAN等用的天線基板之類的高導磁率部件或電磁波吸收 體等。

具體實施方式

以下，對本發(fā)明的實施方式的芯殼型磁性粒子和高頻磁性材料詳細地 進行說明。

實施方式所涉及的芯殼型磁性粒子，含有磁性金屬粒子和被覆在該磁 性金屬粒子的表面上的氧化物被覆層。磁性金屬粒子含有含選自Fe、Co、 Ni中的至少一種的磁性金屬、和非磁性金屬及選自碳和氮中的至少一種元 素。氧化物被覆層被覆磁性金屬粒子的表面，由含有至少一種作為磁性金 屬粒子構成成分之一的非磁性金屬的氧化物或復合氧化物形成。