[發(fā)明專利]有機晶體管、其制造方法及電子設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810081588.2
• 申請日: 2008-03-07
• 公開（公告）號: CN101262042A
• 公開（公告）日: 2008-09-10
• 發(fā)明（設計）人: 青木敬
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所
• 代理人: 陳海紅;段承恩

1.一種有機晶體管，其特征在于，具備：

源電極及漏電極，

跨前述源電極及前述漏電極之間所設置的有機半導體層，和

與前述有機半導體層通過柵絕緣膜設置、與前述源電極及前述漏電極相對向地設置的柵電極；

前述有機半導體層，具備：

設置于前述柵電極與前述源電極相對向的對向區(qū)域的第1半導體區(qū)域，

設置于前述柵電極與前述漏電極相對向的對向區(qū)域的第2半導體區(qū)域，和

設置于前述第1半導體區(qū)域與前述第2半導體區(qū)域之間的第3半導體區(qū)域；

當設前述第1半導體區(qū)域的厚度的平均值為W1、前述第2半導體區(qū)域的厚度的平均值為W2、前述第3半導體區(qū)域的厚度的平均值為W3時，前述W1、W2及W3，滿足W1、W2＜W3的關系。

2.按照權利要求1所述的有機晶體管，其特征在于：

當設前述源電極與前述第1半導體區(qū)域的合計的厚度的平均值為W4、前述漏電極與前述第2半導體區(qū)域的合計的厚度的平均值為W5時，前述W3、W4及W5，滿足W4、W5＜W3的關系。

3.按照權利要求1或2所述的有機晶體管，其特征在于：

前述W1、W2及W3，滿足W1、W2≤50nm，50nm＜W3≤200nm的關系。

4.按照權利要求1～3中的任何一項所述的有機晶體管，其特征在于：

前述源電極的、與前述柵電極相對向的部分，僅為前述源電極的形成區(qū)域的一部分。

5.按照權利要求1～4中的任何一項所述的有機晶體管，其特征在于：

前述漏電極的、與前述柵電極相對向的部分，僅為前述漏電極的形成區(qū)域的一部分。

6.一種有機晶體管的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成源電極及漏電極的工序，

采用噴墨法，跨前述源電極及前述漏電極地配置包含有機半導體的溶液的工序，

使前述溶液干燥而形成有機半導體層的工序，

在前述有機半導體層上形成柵絕緣膜的工序，和

在前述柵絕緣膜上形成與前述源電極及前述漏電極相對向的柵電極的工序；

在前述形成有機半導體的工序中，對包含前述有機半導體的溶液的種類、排出條件及干燥條件進行設定，

使得當設設置于前述柵電極與前述源電極相對向的對向區(qū)域的前述有機半導體層的第1半導體區(qū)域的厚度的平均值為W1、設置于前述柵電極與前述漏電極相對向的對向區(qū)域的前述有機半導體層的第2半導體區(qū)域的厚度的平均值為W2、設置于前述第1半導體區(qū)域與前述第2半導體區(qū)域之間的前述有機半導體層的第3半導體區(qū)域的厚度的平均值為W3時，前述W1、W2及W3，滿足W1、W2＜W3的關系。

7.按照權利要求6所述的有機晶體管的制造方法，其特征在于：

在前述形成有機半導體的工序中，對包含前述有機半導體的溶液的種類、排出條件及干燥條件進行設定，

使得當設前述源電極與前述第1半導體區(qū)域的合計的厚度的平均值為W4、前述漏電極與前述第2半導體區(qū)域的合計的厚度的平均值為W5時，前述W3、W4及W5，滿足W4、W5＜W3的關系。

8.一種電子設備，其特征在于：

具有權利要求1～5中的任何一項所述的有機晶體管或通過權利要求6或7所述的有機晶體管的制造方法所制造的有機晶體管。