[發(fā)明專利]金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810081285.0
• 申請(qǐng)日: 2008-02-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101521227A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-09-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許修文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)笙電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/423;H01L29/08;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 彭久云

1.一種金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件，包含有：

半導(dǎo)體基底；

外延層，設(shè)于該半導(dǎo)體基底上；

氧化層，設(shè)于該外延層上；

柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)于該氧化層上，包含有：

導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層的側(cè)壁上緣包含缺口；以及

間隙壁，位于該導(dǎo)電層的側(cè)壁，且覆蓋于該導(dǎo)電層的該缺口上；以及

淺結(jié)阱區(qū)，設(shè)于該柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，包含有源極及重阱區(qū)區(qū)域。

2.如權(quán)利要求1所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件，其中該導(dǎo)電層是通過(guò)第一蝕刻工藝及第二蝕刻工藝而形成。

3.如權(quán)利要求2所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件，其中該第一蝕刻工藝是用來(lái)蝕刻該導(dǎo)電層的部分厚度，以形成第一開(kāi)口。

4.如權(quán)利要求3所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件，其中該第一開(kāi)口是用來(lái)進(jìn)行離子摻雜工藝，以形成該淺結(jié)阱區(qū)。

5.如權(quán)利要求2所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件，其中該第二蝕刻工藝是利用該間隙壁為掩模，蝕刻該導(dǎo)電層至該氧化層的上緣，以形成第二開(kāi)口。

6.如權(quán)利要求5所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件，其中該第二開(kāi)口是用來(lái)行離子摻雜工藝，以形成該源極及重阱區(qū)區(qū)域。

7.如權(quán)利要求1所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件，其中該間隙壁是通過(guò)回蝕刻工藝而形成。

8.如權(quán)利要求1所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件，其中該半導(dǎo)體基底為硅基底。

9.如權(quán)利要求1所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件，其中該氧化層是由氧化硅所構(gòu)成。

10.如權(quán)利要求1所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件，其中該導(dǎo)電層是由多晶硅所構(gòu)成。

11.如權(quán)利要求1所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件，其中該金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件為垂直式雙擴(kuò)散功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

12.一種制造金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件的方法，包含有：

提供半導(dǎo)體基底；

在該半導(dǎo)體基底上形成外延層；

在該外延層上形成氧化層；

在該氧化層上形成導(dǎo)電層；

在該導(dǎo)電層形成第一開(kāi)口；

該第一開(kāi)口進(jìn)行第一離子摻雜工藝，以形成淺結(jié)阱區(qū)；

沉積氧化層及進(jìn)行回蝕刻工藝，以于該第一開(kāi)口的側(cè)壁形成間隙壁；

以該間隙壁為掩模進(jìn)行蝕刻工藝，以形成柵極結(jié)構(gòu)；

在該柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的該淺結(jié)阱區(qū)中，形成源極及重阱區(qū)區(qū)域；以及

進(jìn)行絕緣層的沉積與蝕刻工藝及金屬層的沉積與蝕刻工藝，以形成該功率金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件。

13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中在該導(dǎo)電層形成該第一開(kāi)口是蝕刻該導(dǎo)電層的部分厚度，以形成該第一開(kāi)口。

14.如權(quán)利要求11所述的方法，其中該蝕刻工藝是用來(lái)蝕刻該導(dǎo)電層至該氧化層的上緣，以形成第二開(kāi)口。

15.如權(quán)利要求14的方法，其中該第二開(kāi)口是用來(lái)進(jìn)行第二離子摻雜工藝，以形成該源極及重阱區(qū)區(qū)域。

16.如權(quán)利要求11所述的方法，其中該半導(dǎo)體基底為硅基底。

17.如權(quán)利要求11所述的方法，其中該氧化層是由氧化硅所構(gòu)成。

18.如權(quán)利要求11所述的方法，其中該導(dǎo)電層是由多晶硅所構(gòu)成。

19.如權(quán)利要求11所述的方法，其中該金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件為垂直式雙擴(kuò)散功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。