[發明專利]金屬氧化物半導體晶體管元件及其制造方法

無效

• 申請號: 200810081285.0
• 申請日: 2008-02-26
• 公開（公告）號: CN101521227A
• 公開（公告）日: 2009-09-02
• 發明（設計）人: 許修文
• 申請（專利權）人: 聯笙電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L29/08;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 彭久云

1.一種金屬氧化物半導體晶體管元件，包含有：

半導體基底；

外延層，設于該半導體基底上；

氧化層，設于該外延層上；

柵極結構，設于該氧化層上，包含有：

導電層，該導電層的側壁上緣包含缺口；以及

間隙壁，位于該導電層的側壁，且覆蓋于該導電層的該缺口上；以及

淺結阱區，設于該柵極結構的兩側，包含有源極及重阱區區域。

2.如權利要求1所述的金屬氧化物半導體晶體管元件，其中該導電層是通過第一蝕刻工藝及第二蝕刻工藝而形成。

3.如權利要求2所述的金屬氧化物半導體晶體管元件，其中該第一蝕刻工藝是用來蝕刻該導電層的部分厚度，以形成第一開口。

4.如權利要求3所述的金屬氧化物半導體晶體管元件，其中該第一開口是用來進行離子摻雜工藝，以形成該淺結阱區。

5.如權利要求2所述的金屬氧化物半導體晶體管元件，其中該第二蝕刻工藝是利用該間隙壁為掩模，蝕刻該導電層至該氧化層的上緣，以形成第二開口。

6.如權利要求5所述的金屬氧化物半導體晶體管元件，其中該第二開口是用來行離子摻雜工藝，以形成該源極及重阱區區域。

7.如權利要求1所述的金屬氧化物半導體晶體管元件，其中該間隙壁是通過回蝕刻工藝而形成。

8.如權利要求1所述的金屬氧化物半導體晶體管元件，其中該半導體基底為硅基底。

9.如權利要求1所述的金屬氧化物半導體晶體管元件，其中該氧化層是由氧化硅所構成。

10.如權利要求1所述的金屬氧化物半導體晶體管元件，其中該導電層是由多晶硅所構成。

11.如權利要求1所述的金屬氧化物半導體晶體管元件，其中該金屬氧化物半導體晶體管元件為垂直式雙擴散功率金屬氧化物半導體場效應晶體管。

12.一種制造金屬氧化物半導體晶體管元件的方法，包含有：

提供半導體基底；

在該半導體基底上形成外延層；

在該外延層上形成氧化層；

在該氧化層上形成導電層；

在該導電層形成第一開口；

該第一開口進行第一離子摻雜工藝，以形成淺結阱區；

沉積氧化層及進行回蝕刻工藝，以于該第一開口的側壁形成間隙壁；

以該間隙壁為掩模進行蝕刻工藝，以形成柵極結構；

在該柵極結構兩側的該淺結阱區中，形成源極及重阱區區域；以及

進行絕緣層的沉積與蝕刻工藝及金屬層的沉積與蝕刻工藝，以形成該功率金屬氧化物半導體晶體管元件。

13.如權利要求11所述的方法，其中在該導電層形成該第一開口是蝕刻該導電層的部分厚度，以形成該第一開口。

14.如權利要求11所述的方法，其中該蝕刻工藝是用來蝕刻該導電層至該氧化層的上緣，以形成第二開口。

15.如權利要求14的方法，其中該第二開口是用來進行第二離子摻雜工藝，以形成該源極及重阱區區域。

16.如權利要求11所述的方法，其中該半導體基底為硅基底。

17.如權利要求11所述的方法，其中該氧化層是由氧化硅所構成。

18.如權利要求11所述的方法，其中該導電層是由多晶硅所構成。

19.如權利要求11所述的方法，其中該金屬氧化物半導體晶體管元件為垂直式雙擴散功率金屬氧化物半導體場效應晶體管。