[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 200810081234.8
• 申請日: 2008-02-20
• 公開（公告）號: CN101256993A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發明（設計）人: 田中壯和;高橋康平;岡部誠司
• 申請（專利權）人: 恩益禧電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/485;H01L23/488;H01L23/49;H01L23/29
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 孫志湧;陸錦華

1.一種半導體器件，包括：

半導體芯片；

電極焊墊，其提供在所述半導體芯片中，并包含鋁(Al)作為主要成分且另外包含銅(Cu)；和

接合構件，其連接提供在所述半導體芯片外部的接合端子和所述半導體芯片，且主要包含Cu，

其中，在用來接合所述接合構件和所述電極焊墊的區域中，提供具有不同Cu和Al含量比的多個Cu和Al合金層，

其中所述Cu和Al合金層包括銅-鋁合金(CuAl₂)層和提供在所述CuAl₂層和所述接合構件之間且具有比所述CuAl₂層的Al含量比相對低的Al含量比的層，和

其中所述電極焊墊和所述接合構件用基本不包含鹵素的密封樹脂密封。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其中在所述CuAl₂層和所述接合構件之間提供的所述層包括：具有1∶1的Cu和Al含量比的銅-鋁合金(CuAl)層，和提供在所述CuAl層和所述接合構件之間且具有比所述CuAl層的Al含量比相對低的Al含量比的層。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其中在整個所述電極焊墊上Al的含量比為大于等于50.0％wt.且小于等于99.9％wt.，且在整個所述電極焊墊上Cu的含量比為大于等于0.1％wt.且小于等于5.0％wt.。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述電極焊墊進一步包含硅(Si)。

5.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述接合構件進一步包含磷(P)。

6.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述密封樹脂中的樹脂由分子骨架中基本沒有溴(Br)基團的聚合體化合物構成。

7.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述密封樹脂包含金屬氫氧化合物。

8.如權利要求1所述的半導體器件，其中接合所述接合構件的區域中的所述電極焊墊的厚度等于或大于沒有接合所述接合構件的區域中的所述電極焊墊的厚度的1/4。

9.如權利要求1所述的半導體器件，

其中所述接合構件為導線，

其中在所述導線與所述電極焊墊的結點中形成了球，和

其中在截面圖中所述球提供有具有從中心向球的外圍增加的球厚度的肩部。

10.如權利要求2所述的半導體器件，

其中在整個所述電極焊墊上Al的含量比為大于等于50.0％wt.且小于等于99.9％wt.，且在整個所述電極焊墊上Cu的含量比為大于等于0.1％wt.且小于等于5.0％wt.。

11.如權利要求2所述的半導體器件，

其中所述密封樹脂中的樹脂由分子骨架中基本沒有溴(Br)基團的聚合體化合物構成。

12.如權利要求3所述的半導體器件，

其中所述密封樹脂中的樹脂由分子骨架中基本沒有溴(Br)基團的聚合體化合物構成。

13.如權利要求10所述的半導體器件，其中所述密封樹脂中的樹脂由分子骨架中基本沒有溴(Br)基團的聚合體化合物構成。

14.如權利要求6所述的半導體器件，其中所述密封樹脂包含金屬氫氧化物。

15.如權利要求11所述的半導體器件，其中所述密封樹脂包含金屬氫氧化物。

16.如權利要求12所述的半導體器件，其中所述密封樹脂包含金屬氫氧化物。

17.如權利要求13所述的半導體器件，其中所述密封樹脂包含金屬氫氧化物。

18.如權利要求2所述的半導體器件，其中接合所述接合構件的區域中的所述電極焊墊的厚度等于或大于沒有接合所述接合構件的區域中的所述電極焊墊的厚度的1/4。

19.如權利要求3所述的半導體器件，其中接合所述接合構件的區域中的所述電極焊墊的厚度等于或大于沒有接合所述接合構件的區域中的所述電極焊墊的厚度的1/4。

20.如權利要求10所述的半導體器件，其中接合所述接合構件的區域中的所述電極焊墊的厚度等于或大于沒有接合所述接合構件的區域中的所述電極焊墊的厚度的1/4。