[發明專利]襯底拋光方法有效
| 申請號: | 200810081220.6 | 申請日: | 2004-02-25 |
| 公開(公告)號: | CN101241843A | 公開(公告)日: | 2008-08-13 |
| 發明(設計)人: | 戶川哲二;鍋谷治 | 申請(專利權)人: | 株式會社荏原制作所 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/304;B24B1/00;B24B55/00;B24B49/16;B24B37/04;B24B29/00 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 | 代理人: | 劉炳勝 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 襯底 拋光 方法 | ||
1、一種襯底拋光方法,包括:
經由多個流體通道將流體提供給多個壓力室;
將多個傳感器分別設置在所述多個流體通道中,用于檢測流過所述多個流體通道的所述流體的流動狀態;
當在所述多個流體通道的兩個相鄰流體通道中的二個所述傳感器檢測到所述流體的固定流動方向時,則判斷為發生流體泄露并停止拋光所述襯底。
2、如權利要求1所述的襯底拋光方法,其中
所述兩個相鄰流體通道將所述流體提供給所述多個壓力室中的二個相鄰且具有不同壓力的壓力室,由此所述判斷步驟判斷所述流體泄漏發生在所述二個壓力室的界面處。
3、如權利要求2所述的拋光方法,其中所述傳感器進一步檢測所述流體的流量,
當所述兩個相鄰流體通道中的所述二個傳感器檢測到所述流體的固定流動方向和流量時,則判斷為所述壓力室的隔板損壞。
4、如權利要求1所述的拋光方法,其中,所述固定流動方向是彼此相反的方向。
5、如權利要求1所述的拋光方法,其中,所述固定流動方向是彼此相反的方向,以及所述固定流量彼此相同。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





