[發明專利]絕緣膜的制造方法及半導體器件的制造方法

無效

• 申請號: 200810081085.5
• 申請日: 2008-02-26
• 公開（公告）號: CN101256956A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發明（設計）人: 藤井照幸
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L21/31
• 分類號: H01L21/31;H01L21/312;H01L21/3105;H01L21/311;H01L21/768
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 吳麗麗

1.一種半導體器件的制造方法，包括如下工序：

使用在第一有機溶媒中包含硅氧烷樹脂或硅氧烷類材料的懸濁液來形成薄膜；

對所述薄膜進行第一加熱處理；

在所述第一加熱處理之后的所述薄膜上形成掩模；

對所述第一加熱處理之后的所述薄膜使用第二有機溶媒進行濕蝕刻；以及

對所述濕蝕刻之后的所述薄膜進行第二加熱處理。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中所述第二有機溶媒為碳數是3至5范圍內的醇。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中所述薄膜形成在導電膜上。

4.根據權利要求3所述的半導體器件的制造方法，其中通過所述濕蝕刻在所述薄膜中形成開口部以使所述導電膜露出。

5.一種半導體器件的制造方法，包括如下工序：

使用在第一有機溶媒中包含硅氧烷樹脂或硅氧烷類材料的懸濁液來形成薄膜；

對所述薄膜進行第一加熱處理；

在所述第一加熱處理之后的所述薄膜上形成掩模；

對所述第一加熱處理之后的所述薄膜使用第二有機溶媒進行濕蝕刻；以及

對所述濕蝕刻之后的所述薄膜以高于所述第一加熱處理的溫度進行第二加熱處理。

6.根據權利要求5所述的半導體器件的制造方法，其中第二所述有機溶媒為碳數是3至5范圍內的醇。

7.根據權利要求5所述的半導體器件的制造方法，其中所述薄膜形成在導電膜上。

8.根據權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其中通過所述濕蝕刻在所述薄膜中形成開口部以使所述導電膜露出。

9.一種半導體器件的制造方法，包括如下工序：

使用在第一有機溶媒中包含硅氧烷樹脂或硅氧烷類材料的懸濁液來形成薄膜；

對所述薄膜以使所述薄膜固化的溫度且低于所述第一有機溶媒的沸點的溫度進行第一加熱處理；

在所述第一加熱處理之后的所述薄膜上形成掩模；

對所述第一加熱處理之后的所述薄膜使用第二有機溶媒進行濕蝕刻；以及

對所述濕蝕刻之后的所述薄膜以高于所述第一有機溶媒的沸點的溫度進行第二加熱處理。

10.根據權利要求9所述的半導體器件的制造方法，其中所述第一加熱處理在低于所述第一有機溶媒的沸點的溫度下進行以使完成所述濕蝕刻的時間周期為30秒或更長。

11.根據權利要求9所述的半導體器件的制造方法，其中所述第二有機溶媒為碳數為3至5范圍內的醇。

12.根據權利要求9所述的半導體器件的制造方法，其中所述薄膜形成在導電膜上。

13.根據權利要求12所述的半導體器件的制造方法，其中通過所述濕蝕刻在所述薄膜中形成開口部以使所述導電膜露出。

14.一種半導體器件的制造方法，包括如下工序：

使用在第一有機溶媒中包含硅氧烷樹脂或硅氧烷類材料的懸濁液來形成薄膜；

對所述薄膜進行第一加熱處理；

在所述第一加熱處理之后的所述薄膜上形成掩模；

對形成所述掩模之后的所述薄膜進行第二加熱處理；

對所述第二加熱處理之后的所述薄膜使用第二有機溶媒進行濕蝕刻；以及

對所述濕蝕刻之后的所述薄膜進行第三加熱處理。

15.根據權利要求14所述的半導體器件的制造方法，其中所述第二有機溶媒是碳數為3至5范圍內的醇。

16.根據權利要求14所述的半導體器件的制造方法，其中所述薄膜形成在導電膜上。

17.根據權利要求16所述的半導體器件的制造方法，其中通過所述濕蝕刻在所述薄膜中形成開口部以使所述導電膜露出。