[發(fā)明專利]腔室上方的層的平面化

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810081080.2
• 申請(qǐng)日: 2008-02-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101329445A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-12-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 潘曉和;李契京
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 視頻有限公司
• 主分類號(hào): G02B26/08
• 分類號(hào): G02B26/08
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 王會(huì)卿

1.一種用于制造微結(jié)構(gòu)的方法，包括：

在形成在下層中的凹部中布置犧牲材料；

在凹部中的犧牲材料上形成補(bǔ)償材料層；

去除補(bǔ)償材料的第一部分以便在該犧牲材料上形成大體上為平的 表面，其中該大體上為平的表面與下層的上表面大體上共面；和

在下層和大體上為平的表面上形成上層；

其中，所述方法進(jìn)一步包括：

去除犧牲材料和位于犧牲材料上的補(bǔ)償材料的第二部分以便在上 層下方形成腔室。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：

在下層和位于凹部中的犧牲材料上形成中間層；和

有選擇地從中間層去除材料以便在犧牲材料的上方形成補(bǔ)償材料 層。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，中間層和犧牲材料具 有大體上相同的材料成分，并且布置犧牲材料的步驟和形成中間層的 步驟在一個(gè)連續(xù)步驟中進(jìn)行。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，上層包括反射面。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，去除補(bǔ)償材料的第一 部分包括各向同性蝕刻該第一部分。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，該各向同性蝕刻包括 等離子蝕刻。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，補(bǔ)償材料包括光阻材 料、硅或二氧化硅。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，補(bǔ)償材料與犧牲材料 具有大體上相同的成分。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，上層具有高度偏差小 于0.1微米的上表面。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，上層具有高度偏差 小于0.05微米的上表面。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，補(bǔ)償材料高于下層 的上表面。

12.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，補(bǔ)償材料是光阻材 料并且去除步驟包括化學(xué)機(jī)械拋光光阻材料以便去除位于下層和犧牲 材料上的光阻材料的第一部分。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，光阻材料層和犧牲 材料具有大體上相同的材料成分，并且犧牲材料和位于犧牲材料上的 光阻材料層在一個(gè)連續(xù)步驟中布置。

14.一種用于在基底上方制造鏡板的方法，該方法包括：

在基底上形成鉸鏈支柱；

形成位于鉸鏈支柱上的鉸鏈連接柱和連接到該鉸鏈連接柱的鉸鏈 層，其中鉸鏈層是帶有凹部的下層；

將犧牲材料布置到鉸鏈層的凹部中；

在鉸鏈層上形成間隔層，其中該間隔層包括位于鉸鏈連接柱上方 的孔，該鉸鏈層的凹部位于間隔層的孔下方；

將犧牲材料布置到間隔層的孔中；

在間隔層的孔中的犧牲材料上方布置補(bǔ)償材料；

其中，去除補(bǔ)償材料的第一部分以便在犧牲材料上形成大體上為 平的表面使得大體上為平的表面與間隔層的上表面大體上共面；

其中形成上層為在鉸鏈層和大體上為平的表面上方形成反射層； 和

有選擇地去除反射層和鉸鏈層的部分以便形成鏡板以及連接到鉸 鏈連接柱和鉸鏈層的鉸鏈元件，其中鏡板被構(gòu)造為繞著鉸鏈元件傾斜。

15.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，鉸鏈連接柱和鉸鏈 層是同時(shí)形成的。

16.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，該犧牲材料是第一 犧牲材料并且形成鉸鏈連接柱的步驟包括：

將第二犧牲材料布置在基底和鉸鏈支柱上；

在第二犧牲材料中形成通道以便露出鉸鏈支柱的上表面；和

沉積導(dǎo)電材料以便同時(shí)形成通道中的鉸鏈連接柱和第二犧牲材料 上的鉸鏈層。

17.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，鉸鏈連接柱包括底 層和為圓錐或截頭圓錐的側(cè)層，其中側(cè)層的下邊緣連接到底層以限定 腔室。