[發明專利]內埋組件的基板制程有效
| 申請號: | 200810081067.7 | 申請日: | 2008-02-21 |
| 公開(公告)號: | CN101231961A | 公開(公告)日: | 2008-07-30 |
| 發明(設計)人: | 謝爵安;戴豐成 | 申請(專利權)人: | 日月光半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/48 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 | 代理人: | 陸嘉 |
| 地址: | 臺灣省高雄市*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 組件 基板制程 | ||
1.一種內埋組件的封裝制程,其是包含:
提供一模具,該模具具有一表面及數個突起部,該些突起部形成于該表面上;
形成一第一介電層于該表面并覆蓋該些突起部;
設置至少一電子組件于該第一介電層,該電子組件具有一主動面、一背面及數個接點,該主動面朝向該第一介電層,該些接點形成于該主動面上,其中該些接點對應于該些突起部;
形成一第二介電層于該第一介電層;以及
設置一載板于該電子組件的該背面上。
2.如權利要求1所述的內埋組件的封裝制程,其中該第二介電層是覆蓋該電子組件。
3.如權利要求2所述的內埋組件的封裝制程,其另包含有:利用一整平步驟使該第二介電層顯露出該電子組件的該背面,使得該載板得以貼設于該背面。
4.如權利要求3所述的內埋組件的封裝制程,其中該第二介電層與該電子組件的該背面是共平面。
5.如權利要求1所述的內埋組件的封裝制程,其另包含有:進行一微壓印步驟,其通過該模具的該些突起部使該第一介電層形成有數個開口,該些開口是對應該電子組件的該些接點。
6.如權利要求5所述的內埋組件的封裝制程,其中在該微壓印步驟中,是以紫外光固化該第一介電層。
7.如權利要求5所述的內埋組件的封裝制程,其另包含有:移除該模具以顯露出該些開口,其中該些開口顯露該些接點。
8.如權利要求1所述的內埋組件的封裝制程,其另包含有:形成一重分配線路層于該第一介電層上,該重分配線路層具有數個重分配墊,該些重分配墊是電性連接至該電子組件的該些接點。
9.如權利要求1所述的內埋組件的封裝制程,其中該模具為一透明材質。
10.如權利要求1所述的內埋組件的封裝制程,其另包含有:進行移除該載板的步驟。
11.如權利要求1所述的內埋組件的封裝制程,其另包含有:進行切割步驟。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





