[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 200810080855.4
• 申請日: 2008-02-22
• 公開（公告）號: CN101252134A
• 公開（公告）日: 2008-08-27
• 發明（設計）人: 山崎舜平;川俁郁子;荒井康行
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 金春實

1.一種半導體裝置，包括：

包括存儲單元陣列和驅動電路部的存儲器，該存儲單元陣列包括第一薄膜晶體管，而該驅動電路部包括第二薄膜晶體管，

其中，所述存儲單元陣列和所述驅動電路部設置在具有絕緣表面的襯底上，

并且，所述第一薄膜晶體管包括第一柵電極層；包括第一源區、第一漏區及第一溝道形成區的第一半導體層；以及第一柵極絕緣層，

并且，所述第二薄膜晶體管包括第二柵電極層；包括第二源區、第二漏區及比所述第一溝道形成區薄的第二溝道形成區的第二半導體層；以及第二柵極絕緣層。

2.一種半導體裝置，包括：

包括存儲單元陣列和驅動電路部的存儲器，該存儲單元陣列包括第一薄膜晶體管，而該驅動電路部包括第二薄膜晶體管，

其中，所述存儲單元陣列和所述驅動電路部設置在具有絕緣表面的襯底上，

并且，所述第一薄膜晶體管包括第一柵電極層；包括第一源區、第一漏區及第一溝道形成區的第一半導體層；以及第一柵極絕緣層，

并且，所述第二薄膜晶體管包括第二柵電極層；包括第二源區、第二漏區及比所述第一溝道形成區薄的第二溝道形成區的第二半導體層；以及第二柵極絕緣層，

并且，所述第二溝道形成區比所述第二源區和所述第二漏區薄。

3.一種半導體裝置，包括：

包括存儲單元陣列和驅動電路部的存儲器，該存儲單元陣列包括第一薄膜晶體管，而該驅動電路部包括第二薄膜晶體管，

其中，所述存儲單元陣列和所述驅動電路部設置在具有絕緣表面的襯底上，

并且，所述第一薄膜晶體管包括第一柵電極層；包括第一源區、第一漏區及第一溝道形成區的第一半導體層；以及第一柵極絕緣層，

并且，所述第二薄膜晶體管包括第二柵電極層；包括第二源區、第二漏區及比所述第一溝道形成區薄的第二溝道形成區的第二半導體層；以及比所述第一柵極絕緣層薄的第二柵極絕緣層。

4.一種半導體裝置，包括：

包括存儲單元陣列和驅動電路部的存儲器，該存儲單元陣列包括第一薄膜晶體管，而該驅動電路部包括第二薄膜晶體管，

其中，所述存儲單元陣列和所述驅動電路部設置在具有絕緣表面的襯底上，

并且，所述第一薄膜晶體管包括第一柵電極層；包括第一源區、第一漏區及第一溝道形成區的第一半導體層；以及第一柵極絕緣層，

并且，所述第二薄膜晶體管包括第二柵電極層；包括第二源區、第二漏區及比所述第一溝道形成區薄的第二溝道形成區的第二半導體層；以及比所述第一柵極絕緣層薄的第二柵極絕緣層，

并且，所述第二溝道形成區比所述第二源區和所述第二漏區薄。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中具有側壁結構的絕緣層設置于所述第一柵電極層及所述第二柵電極層的側面。

6.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中具有側壁結構的絕緣層設置于所述第一柵電極層及所述第二柵電極層的側面。

7.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中具有側壁結構的絕緣層設置于所述第一柵電極層及所述第二柵電極層的側面。

8.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中具有側壁結構的絕緣層設置于所述第一柵電極層及所述第二柵電極層的側面。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中硅化物設置于所述第一源區、所述第一漏區、所述第二源區及所述第二漏區的表面部。

10.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中硅化物設置于所述第一源區、所述第一漏區、所述第二源區及所述第二漏區的表面部。

11.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中硅化物設置于所述第一源區、所述第一漏區、所述第二源區及所述第二漏區的表面部。

12.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中硅化物設置于所述第一源區、所述第一漏區、所述第二源區及所述第二漏區的表面部。

13.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中具有側壁結構的絕緣層設置于所述第一半導體層及所述第二半導體層的側面。

14.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中具有側壁結構的絕緣層設置于所述第一半導體層及所述第二半導體層的側面。