[發(fā)明專利]結(jié)構(gòu)以及集成電路制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810080839.5
• 申請日: 2008-02-21
• 公開（公告）號: CN101256939A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: C·W·科布格爾三世;古川俊治;D·V·霍拉克;M·C·哈基;J·G·高迪亞羅
• 申請（專利權(quán)）人: 國際商業(yè)機器公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/02;H01L21/027;H01L21/311;H01L21/82
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所
• 代理人: 于靜;李崢

1.一種結(jié)構(gòu)制造方法，包括以下步驟：

提供一種結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括：

(a)記憶層，以及

(b)側(cè)壁圖像轉(zhuǎn)移(SIT)層，在所述記憶層的頂上；

構(gòu)圖所述SIT層，產(chǎn)生SIT區(qū)域，其中所述構(gòu)圖包括光刻方法；

使用SIT區(qū)域作為掩模定向蝕刻所述記憶層，產(chǎn)生第一記憶區(qū)域；以及

沿參考方向以縮進距離D縮進所述SIT區(qū)域的側(cè)壁，產(chǎn)生包括所述側(cè)壁的SIT部分，

其中所述縮進距離D小于與所述光刻方法有關(guān)的臨界尺寸CD，

其中所述第一記憶區(qū)域包括沿所述參考方向的第一尺寸W2和第二尺寸W3，以及

其中CD＜W2＜2D＜W3。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括，在進行所述縮進之后，將所述SIT部分的所述側(cè)壁的圖像轉(zhuǎn)移到所述第一記憶區(qū)域，產(chǎn)生第二記憶區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中所述轉(zhuǎn)移包括：

在所述第一記憶區(qū)域和所述SIT部分的頂上形成保護層；然后

回蝕刻所述保護層，將所述SIT部分的頂表面暴露到周圍環(huán)境，其中所述回蝕刻對于SIT部分具有選擇性；然后

去除所述SIT部分，使所述去除對于所述蝕刻的保護層和所述第一記憶區(qū)域具有選擇性；然后

使用所述蝕刻的保護層作為阻擋掩模定向蝕刻所述第一記憶區(qū)域，產(chǎn)生所述第二記憶區(qū)域；以及然后

去除所述蝕刻的保護層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中定向蝕刻所述第一記憶區(qū)域包括所述第一記憶區(qū)域的反應(yīng)離子蝕刻(RIE)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中所述保護層包括聚合物。

6.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中所述第二記憶區(qū)域包括封閉的環(huán)路。

7.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，還包括構(gòu)圖所述第二記憶區(qū)域，使所述封閉的環(huán)路開放。

8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，

其中所述SIT區(qū)域還包括沿參考方向的第三尺寸W1，并且

其中CD＜W1＜W2。

9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述縮進包括對所述SIT區(qū)域進行的化學(xué)氧化物去除(COR)方法。

10.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述記憶層包括氮化硅。

11.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述SIT層包括介質(zhì)材料。

12.一種集成電路單元制造方法，包括以下步驟：

提供一種結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括：

(a)將構(gòu)圖的層，以及

(b)芯軸層，在所述將構(gòu)圖的層的頂上；

構(gòu)圖所述芯軸層，產(chǎn)生第一芯軸區(qū)域和第二芯軸區(qū)域，

其中構(gòu)圖所述芯軸層包括光刻方法，

其中所述第一芯軸區(qū)域的第一側(cè)壁和所述第二芯軸區(qū)域的第二側(cè)壁基本上彼此平行，

其中所述第一側(cè)壁限定了與所述第一側(cè)壁垂直的參考方向，以及

其中在所述第一側(cè)壁與第二側(cè)壁之間沿所述參考方向的芯軸距離W5大于與所述光刻方法有關(guān)的臨界尺寸CD；以及

在所述第一芯軸區(qū)域的所述第一側(cè)壁上形成第一間隔物區(qū)域和在所述第二芯軸區(qū)域的所述第二側(cè)壁上形成第二間隔物區(qū)域，

其中所述第一和第二間隔物區(qū)域跨過距離為所述芯軸距離W5的距離彼此直接物理接觸，以及

其中沿所述參考方向的所述第一和第二間隔物區(qū)域的寬度D5小于所述CD并滿足公式2×D5＞W(wǎng)5。

13.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中形成所述第一和第二間隔物區(qū)域包括：

在所述第一和第二芯軸區(qū)域和所述將構(gòu)圖的層的頂上形成間隔物層；以及然后

直接回蝕刻所述間隔物層，產(chǎn)生所述第一和第二間隔物區(qū)域。

14.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，還包括將所述第一和第二間隔物區(qū)域的圖像轉(zhuǎn)移到所述將構(gòu)圖的層，產(chǎn)生構(gòu)圖的區(qū)域，其中所述構(gòu)圖的區(qū)域是進行了所述轉(zhuǎn)移之后所述將構(gòu)圖的層的剩余部分。