[發明專利]結構以及集成電路制造方法

有效

• 申請號: 200810080839.5
• 申請日: 2008-02-21
• 公開（公告）號: CN101256939A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發明（設計）人: C·W·科布格爾三世;古川俊治;D·V·霍拉克;M·C·哈基;J·G·高迪亞羅
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/02;H01L21/027;H01L21/311;H01L21/82
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所
• 代理人: 于靜;李崢

1.一種結構制造方法，包括以下步驟：

提供一種結構，所述結構包括：

(a)記憶層，以及

(b)側壁圖像轉移(SIT)層，在所述記憶層的頂上；

構圖所述SIT層，產生SIT區域，其中所述構圖包括光刻方法；

使用SIT區域作為掩模定向蝕刻所述記憶層，產生第一記憶區域；以及

沿參考方向以縮進距離D縮進所述SIT區域的側壁，產生包括所述側壁的SIT部分，

其中所述縮進距離D小于與所述光刻方法有關的臨界尺寸CD，

其中所述第一記憶區域包括沿所述參考方向的第一尺寸W2和第二尺寸W3，以及

其中CD＜W2＜2D＜W3。

2.根據權利要求1的方法，還包括，在進行所述縮進之后，將所述SIT部分的所述側壁的圖像轉移到所述第一記憶區域，產生第二記憶區域。

3.根據權利要求2的方法，其中所述轉移包括：

在所述第一記憶區域和所述SIT部分的頂上形成保護層；然后

回蝕刻所述保護層，將所述SIT部分的頂表面暴露到周圍環境，其中所述回蝕刻對于SIT部分具有選擇性；然后

去除所述SIT部分，使所述去除對于所述蝕刻的保護層和所述第一記憶區域具有選擇性；然后

使用所述蝕刻的保護層作為阻擋掩模定向蝕刻所述第一記憶區域，產生所述第二記憶區域；以及然后

去除所述蝕刻的保護層。

4.根據權利要求3的方法，其中定向蝕刻所述第一記憶區域包括所述第一記憶區域的反應離子蝕刻(RIE)。

5.根據權利要求3的方法，其中所述保護層包括聚合物。

6.根據權利要求2的方法，其中所述第二記憶區域包括封閉的環路。

7.根據權利要求6的方法，還包括構圖所述第二記憶區域，使所述封閉的環路開放。

8.根據權利要求1的方法，

其中所述SIT區域還包括沿參考方向的第三尺寸W1，并且

其中CD＜W1＜W2。

9.根據權利要求1的方法，其中所述縮進包括對所述SIT區域進行的化學氧化物去除(COR)方法。

10.根據權利要求1的方法，其中所述記憶層包括氮化硅。

11.根據權利要求1的方法，其中所述SIT層包括介質材料。

12.一種集成電路單元制造方法，包括以下步驟：

提供一種結構，所述結構包括：

(a)將構圖的層，以及

(b)芯軸層，在所述將構圖的層的頂上；

構圖所述芯軸層，產生第一芯軸區域和第二芯軸區域，

其中構圖所述芯軸層包括光刻方法，

其中所述第一芯軸區域的第一側壁和所述第二芯軸區域的第二側壁基本上彼此平行，

其中所述第一側壁限定了與所述第一側壁垂直的參考方向，以及

其中在所述第一側壁與第二側壁之間沿所述參考方向的芯軸距離W5大于與所述光刻方法有關的臨界尺寸CD；以及

在所述第一芯軸區域的所述第一側壁上形成第一間隔物區域和在所述第二芯軸區域的所述第二側壁上形成第二間隔物區域，

其中所述第一和第二間隔物區域跨過距離為所述芯軸距離W5的距離彼此直接物理接觸，以及

其中沿所述參考方向的所述第一和第二間隔物區域的寬度D5小于所述CD并滿足公式2×D5＞W5。

13.根據權利要求12的方法，其中形成所述第一和第二間隔物區域包括：

在所述第一和第二芯軸區域和所述將構圖的層的頂上形成間隔物層；以及然后

直接回蝕刻所述間隔物層，產生所述第一和第二間隔物區域。

14.根據權利要求12的方法，還包括將所述第一和第二間隔物區域的圖像轉移到所述將構圖的層，產生構圖的區域，其中所述構圖的區域是進行了所述轉移之后所述將構圖的層的剩余部分。