[發明專利]半導體封裝及其制造方法和電子系統及其制造方法

有效

• 申請號: 200810080837.6
• 申請日: 2008-02-21
• 公開（公告）號: CN101252115A
• 公開（公告）日: 2008-08-27
• 發明（設計）人: 金東漢;崔基元
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L25/00;H01L21/60;H01L21/50
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司
• 代理人: 韓明星;馮敏

1、一種半導體封裝，包括：

基底，包括穿過基底延伸的第一通孔；

導電圖案，在基底上面并且在第一通孔上方延伸；

第一半導體芯片，面向導電圖案，第一半導體芯片的至少部分設置在第一通孔內；

第一外部接觸端，位于第一通孔內并且將導電圖案電連接到第一半導體芯片。

2、根據權利要求1所述的半導體封裝，其中，第一外部接觸端包括設置在第一半導體芯片上的導電凸塊、導電球或者它們的組合。

3、根據權利要求1所述的半導體封裝，其中，第一外部接觸端和導電圖案形成一體結構，第一外部接觸端從導電圖案突出。

4、根據權利要求1所述的半導體封裝，其中，基底包括上表面和與上表面相對的下表面，其中，第一外部接觸端的底表面位于基底的上表面和下表面之間。

5、根據權利要求1所述的半導體封裝，還包括位于第一半導體芯片和導電圖案之間的絕緣材料。

6、根據權利要求5所述的半導體封裝，其中，所述絕緣材料是絕緣體框架主體，其中，所述絕緣體框架主體包括穿過絕緣體框架主體限定的絕緣體框架主體通孔，其中，第一外部接觸端穿過絕緣體框架主體通孔延伸。

7、根據權利要求5所述的半導體封裝，其中，絕緣材料包括各向異性導電膜。

8、根據權利要求1所述的半導體封裝，其中，在第一區域和與第一區域分開的第二區域，通過基底支撐導電圖案。

9、根據權利要求8所述的半導體封裝，其中，導電圖案包括在第一區域由基底支撐的接觸部分和在第二區域由基底支撐的延伸部分，所述第一區域與所述第二區域彼此相對。

10、根據權利要求9所述的半導體封裝，其中，所述接觸部分具有矩形形狀，所述延伸部分具有窄條形形狀。

11、根據權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述半導體封裝包括：

多個導電圖案；

多個第一外部接觸端，多個第一外部接觸端中的每個將第一半導體芯片電連接到多個導電圖案中對應的導電圖案。

12、根據權利要求11所述的半導體封裝，其中，在多個導電圖案之間限定空間，所述半導體封裝還包括：

阻擋構件，跨過所述空間并且在多個導電圖案中的至少一對相鄰的導電圖案之間延伸。

13、根據權利要求12所述的半導體封裝，其中，所述阻擋構件設置在多個導電圖案中的成對的相鄰導電圖案的下表面上。

14、根據權利要求12所述的半導體封裝，其中，所述阻擋構件設置在多個導電圖案中的成對的相鄰導電圖案的上表面上。

15、根據權利要求12所述的半導體封裝，其中，所述阻擋構件設置在所述空間的至少一部分內。

16、根據權利要求12所述的半導體封裝，其中，所述阻擋構件的至少一部分設置在多個導電圖案和第一半導體芯片之間。

17、根據權利要求12所述的半導體封裝，其中，所述阻擋構件是能被去除的。

18、根據權利要求1所述的半導體封裝，其中，在平面圖中，第一通孔具有基本上矩形的形狀。

19、根據權利要求1所述的半導體封裝，其中，第一外部接觸端直接接觸導電圖案。

20、根據權利要求1所述的半導體封裝，還包括：

第二半導體芯片，電結合到第一半導體芯片。

21、根據權利要求20所述的半導體封裝，還包括：

導電通孔，延伸穿過第一半導體芯片，其中，導電通孔將第一半導體芯片和第二半導體芯片電連接。

22、根據權利要求20所述的半導體封裝，其中，第二半導體芯片利用鍵合線電結合到導電圖案。