[發明專利]鎢膜的形成方法及使用其的半導體裝置的布線的形成方法

無效

• 申請號: 200810080788.6
• 申請日: 2008-02-18
• 公開（公告）號: CN101447427A
• 公開（公告）日: 2009-06-03
• 發明（設計）人: 河佳英;金俊基
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/3205
• 分類號: H01L21/3205;H01L21/283;H01L21/768
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 彭久云

1.?一種鎢膜的形成方法，包括步驟：

在半導體基底上方形成具有非晶相和β相至少其一的鎢成核層；

在該鎢成核層上方形成具有α相的第一鎢層；以及

在該第一鎢層上方通過物理氣相沉積工藝形成第二鎢層。

2.?如權利要求1所述的方法，其中該鎢成核層是通過化學氣相沉積工藝或原子層沉積工藝來形成。

3.?如權利要求1所述的方法，其中形成鎢成核層的步驟包括流通含有B的氣體做為反應氣體和流通含有W的氣體做為源氣體。

4.?如權利要求3所述的方法，其中所述含有B的氣體包括B₂H₆氣體以及所述含有W的氣體包括WF₆氣體。

5.?如權利要求1所述的方法，其中形成鎢成核層的步驟包括步驟：

在該半導體基底上方形成第一成核層；

在該第一成核層上方形成第二成核層。

6.?如權利要求5所述的方法，其中形成第一成核層的步驟包括流通含有Si的氣體做為反應氣體和流通含有W的氣體做為源氣體。

7.?如權利要求6所述的方法，其中所述含有Si的氣體包括SiH₄氣體以及所述含有W的氣體包括WF₆氣體。

8.?如權利要求5所述的方法，其中該第一成核層是通過重復一包括流通反應氣體、第一凈化、流通源氣體以及第二凈化的工藝來形成。

9.?如權利要求5所述的方法，其中形成第二成核層的步驟包括流通含有B的氣體做為反應氣體和流通含有W的氣體做為源氣體來形成。

10.?如權利要求9所述的方法，其中所述含有B的氣體包括B₂H₆氣體以及所述含有W的氣體包括WF₆氣體。

11.?如權利要求5所述的方法，其中所述第二成核層是通過重復一包括流通反應氣體、第一凈化、流通源氣體、以及第二凈化的工藝來形成。

12.?如權利要求5所述的方法，其中形成第二成核層的步驟包括將含有B的反應氣體流通到該第一成核層的表面上。

13.?如權利要求12所述的方法，其中形成第二成核層的步驟包括重復一包括流通含有B的反應氣體以及凈化的工藝，其中所述含有B的反應氣體包括B₂H₆。

14.?如權利要求1所述的方法，其中所述第一鎢層是通過化學氣相沉積工藝或原子層沉積工藝來形成。

15.?如權利要求1所述的方法，其中所述第一鎢層是通過流通WF₆氣體和H₂氣體來形成。

16.?一種半導體裝置的布線的形成方法，包括步驟：

在半導體基底上方形成阻擋膜；

在該阻擋膜上方形成鎢膜；以及

蝕刻該鎢膜和該阻擋膜以形成該布線，

其中形成該鎢膜的步驟包括步驟：

在該阻擋膜上方形成具有非晶相和β相至少其一的鎢成核層；

在該鎢成核層上方形成具有α相的第一鎢層；以及

在該第一鎢層上方通過物理氣相沉積工藝形成第二鎢層。

17.?如權利要求16所述的方法，在形成阻擋膜的步驟之前，進一步包括步驟：

在該半導體基底上方形成柵極絕緣膜；以及

在該柵極絕緣膜上方形成多晶硅膜。

18.?如權利要求16所述的方法，其中該鎢成核層是通過化學氣相沉積工藝或原子層沉積工藝來形成。

19.?如權利要求16所述的線形成方法，其中形成鎢成核層的步驟包括流通含有B的氣體做為反應氣體和流通含有W的氣體做為源氣體。

20.?如權利要求19所述的方法，其中所述含有B的氣體包括B₂H₆氣體以及所述含有W的氣體包括WF₆氣體。