[發明專利]基板拋光方法、半導體裝置及其制造方法無效
| 申請號： | 200810080787.1 | 申請日： | 2008-02-18 |
| 公開（公告）號： | CN101244536A | 公開（公告）日： | 2008-08-20 |
| 發明（設計）人： | 中村寬子;上月貴晶;榎本貴幸;山本雄一 | 申請（專利權）人： | 索尼株式會社 |
| 主分類號： | B24B29/00 | 分類號： | B24B29/00;H01L21/304;C09K3/14;B24B1/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 拋光 方法 半導體 裝置 及其 制造 | ||
1、一種基板拋光方法，包括如下步驟：
采用由布魯諾-埃麥特-泰勒值彼此不同的二氧化鈰研磨劑顆粒形成的兩種或者多種不同的漿料，對基板上的拋光目標氧化膜進行兩級或者多級化學機械拋光工藝，以平坦該拋光目標氧化膜。
2、根據權利要求1所述的基板拋光方法，其中該兩級或者多級化學機械拋光工藝包括：
第一拋光工藝步驟，采用由第一布魯諾-埃麥特-泰勒值的二氧化鈰研磨劑顆粒形成的漿料，在下層圖案密集形成的部分上拋光該拋光目標氧化膜；和
第二拋光工藝步驟，采用由低于該第一布魯諾-埃麥特-泰勒值的第二布魯諾-埃麥特-泰勒值的二氧化鈰研磨劑顆粒形成的另一種漿料，在下層圖案非密集形成的部分上拋光該拋光目標氧化膜。
3、根據權利要求2所述的基板拋光方法，其中該第一布魯諾-埃麥特-泰勒值為15到30m2/g，并且該第二布魯諾-埃麥特-泰勒值為5到10m2/g。
4、一種半導體裝置的制造方法，包括如下步驟：
采用由布魯諾-埃麥特-泰勒值彼此不同的二氧化鈰研磨劑顆粒形成的兩種或者多種不同的漿料，對基板上的拋光目標氧化膜進行兩級或者多級化學機械拋光工藝，以平坦該拋光目標氧化膜。
5、根據權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其中該兩級或者多級化學機械拋光工藝包括：
第一拋光工藝步驟，采用由第一布魯諾-埃麥特-泰勒值的二氧化鈰研磨劑顆粒形成的漿料，在下層圖案密集形成的部分上拋光該拋光目標氧化膜；和
第二拋光工藝步驟，采用由低于該第一布魯諾-埃麥特-泰勒值的第二布魯諾-埃麥特-泰勒值的二氧化鈰研磨劑顆粒形成的另一種漿料，在下層圖案非密集形成的部分上拋光該拋光目標氧化膜。
6、根據權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其中該第一布魯諾-埃麥特-泰勒值為15到30m2/g，并且該第二布魯諾-埃麥特-泰勒值為5到10m2/g。
7、一種半導體裝置，包括：
層間氧化膜，具有形成為平坦面的表面，其中采用由第一布魯諾-埃麥特-泰勒值的二氧化鈰研磨劑顆粒形成的漿料進行拋光，并且采用由低于該第一布魯諾-埃麥特-泰勒值的第二布魯諾-埃麥特-泰勒值的二氧化鈰研磨劑顆粒形成的另一漿料進行拋光。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于索尼株式會社，未經索尼株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810080787.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
