[發明專利]在高壓晶體管結構的端處的柵極回拉

有效

• 申請號: 200810080747.7
• 申請日: 2008-02-18
• 公開（公告）號: CN101246906A
• 公開（公告）日: 2008-08-20
• 發明（設計）人: V·帕塔薩拉蒂;M·H·曼利
• 申請（專利權）人: 電力集成公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 張雪梅;魏軍

1.一種晶體管，包括：

設置成跑道形布局的半導體材料柱，所述半導體材料柱具有沿第 一橫向延伸的線性部分和在跑道形布局的線性部分的每一端處的圓 形部分，第一導電類型的源極區被設置在所述柱的頂表面處或附近， 并且第二導電類型的本體區被設置在源極區下面的柱中；

分別設置在柱的相對側的第一和第二介電區域，第一介電區域被 柱橫向包圍，并且第二介電區域橫向包圍所述柱；

分別設置在第一和第二介電區域中的第一和第二場板；

分別設置在鄰近本體區的柱的頂表面處或附近的第一和第二介 電區域中的第一和第二柵極元件，所述第一和第二柵極元件通過柵極 氧化物與本體區分開，所述柵極氧化物在跑道形布局的線性部分中具 有第一厚度，柵極氧化物在圓形部分處具有第二厚度，第二厚度大于 第一厚度。

2.根據權利要求1所述的晶體管，其中第一厚度大約是

3.根據權利要求1所述的晶體管，其中第二厚度大約是1μm。

4.根據權利要求1所述的晶體管，進一步包括設置在本體區下 面的柱中的延伸漏極區。

5.根據權利要求1所述的晶體管，其中所述線性部分沿第一橫 向的長度比跑道形布局的寬度大至少30倍，所述寬度在垂直于第一 橫向的第二橫向上。

6.根據權利要求1所述的晶體管，其中第一和第二柵極元件與 第一和第二場板完全絕緣。

7.一種晶體管，包括：

設置成跑道形布局的半導體材料柱，所述半導體材料柱具有沿第 一橫向延伸的線性部分和在跑道形布局的線性部分的每一端處的圓 形部分；

分別設置在柱的相對側的第一和第二介電區域，第一介電區域被 柱橫向包圍，并且第二介電區域橫向包圍所述柱；

分別設置在第一和第二介電區域中的第一和第二場板；

分別設置在柱的頂部處或附近的第一和第二介電區域中的第一 和第二柵極元件，所述第一和第二柵極元件通過柵極氧化物與本體區 分開，所述柵極氧化物在跑道形布局的線性部分中具有第一厚度，柵 極氧化物在圓形部分處具有第二厚度，第二厚度大于第一厚度。

8.根據權利要求7所述的晶體管，其中第一厚度大約是

9.根據權利要求7所述的晶體管，其中第二厚度大約是1μm。

10.根據權利要求7所述的晶體管，進一步包括：

源極區，所述本體區被設置在源極區下面的柱中；以及

設置在本體區下面的柱中的延伸漏極區。

11.根據權利要求7所述的晶體管，其中所述線性部分沿第一橫 向的長度比跑道形布局的寬度大至少30倍，所述寬度在垂直于第一 橫向的第二橫向上。

12.一種晶體管，包括：

具有均沿第一橫向延伸的間隔開的第一和第二線性部分的半導 體材料的跑道形柱，所述跑道形柱的第一圓形部分接合第一和第二線 性部分的相應的第一端，所述跑道形柱的第二圓形部分接合第一和第 二線性部分的相應的第二端；

分別設置在跑道形柱的相對側的第一和第二介電區域，第一介電 區域被柱橫向包圍，并且第二介電區域橫向包圍所述柱；

分別設置在第一和第二介電區域中的第一和第二場板；

分別設置在跑道形柱的第一線性部分的頂部處或附近的第一和 第二介電區域中的第一和第二柵極元件；

分別設置在跑道形柱的第二線性部分的頂部處或附近的第一和 第二介電區域中的第三和第四柵極元件；并且

其中第一、第二、第三和第四柵極元件均借助柵極氧化物與跑道 形柱分開，第一、第二、第三和第四柵極元件的相對端沿第一橫向分 別終止于第一和第二圓形部分處或附近。

13.根據權利要求12所述的晶體管，其中第一、第二、第三和 第四柵極元件均包括多晶硅。

14.根據權利要求12所述的晶體管，其中柵極氧化物大約是厚。